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标题: PCINLIFE：300mm wafer能塞多少片Nehalem？ [打印本页]

作者: Edison 时间: 2007-9-20 00:02
标题: PCINLIFE：300mm wafer能塞多少片Nehalem？
答案应该是：229枚不沾边的Nehalem。

作者: phk 时间: 2007-9-20 00:04
有多少枚能成为成品呢？:loveliness:

作者: Edison 时间: 2007-9-20 00:06
明年年初能有30%就不错了。

作者: GZboy 时间: 2007-9-20 00:15
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作者: fineday 时间: 2007-9-20 00:17
建议Intel把剩下的当钥匙扣卖

作者: Edison 时间: 2007-9-20 00:18

原帖由 GZboy 于 2007-9-20 00:15 发表
30%？有那么高吗？ 200多片里能有30片是功能完整的就很不错了

不要小看Intel的实力亚，Intel的fab都是自己的，以年底就能大量上市Penryn家族来看，瑕疵率应该已经控制在相当合理的范围。

作者: GZboy 时间: 2007-9-20 00:25
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作者: 来不及思考 时间: 2007-9-20 01:03
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作者: Prescott 时间: 2007-9-20 03:44
30% :funk:

太小看Intel了吧，别说赚钱，连本都回不来。

作者: ITANIUM2 时间: 2007-9-20 08:57
哈哈, 我pro I下, 50%:a)

作者: GZboy 时间: 2007-9-20 09:18
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作者: acqwer 时间: 2007-9-20 09:31

原帖由 GZboy 于 2007-9-20 00:15 发表

30%？有那么高吗？ 200多片里能有30片是功能完整的就很不错了

大部分有问题的可以靠砍L2当低一级别的卖啊。

作者: Tanknet 时间: 2007-9-20 09:34
边角的可以塞一个silverthrone上去

作者: ofeng 时间: 2007-9-20 09:43
良品率太低对消费者来说不是好事情哦:unsure:

作者: shike_cuke 时间: 2007-9-20 09:45
30%应该能做到哦！我相信INTEL..........

作者: _MyST_Spring 时间: 2007-9-20 09:47
呵呵，若是intel用我们公司的wat测试软件，就不用数的这么辛苦啦

作者: 武内空 时间: 2007-9-20 09:52
这么大公司30%，

那AMD拿什么下去玩~~~~~~

作者: gzXW 时间: 2007-9-20 09:53

原帖由 _MyST_Spring 于 2007-9-20 09:47 发表
呵呵，若是intel用我们公司的wat测试软件，就不用数的这么辛苦啦

这明显不是intel画的数字

作者: GZboy 时间: 2007-9-20 09:58
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作者: _MyST_Spring 时间: 2007-9-20 10:01
我又没说是intel数的辛苦啦，呵呵

作者: 1empress 时间: 2007-9-20 10:32
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作者: 1empress 时间: 2007-9-20 10:38
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作者: Edison 时间: 2007-9-20 10:40
这个"数数"并不辛苦吧，两分钟左右的事情。

作者: Rock·Will 时间: 2007-9-20 11:28
我要最中间那块~~~~~:loveliness:

作者: itany 时间: 2007-9-20 11:56

原帖由 Rock·Will 于 2007-9-20 11:28 发表
我要最中间那块~~~~~:loveliness:

坏的总是随机的，如果是我的话，我就说：我要体质最好的那块 :lol:

作者: GZboy 时间: 2007-9-20 11:58
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作者: winfast007 时间: 2007-9-20 11:59
一般来说中心的晶元品质最佳吧

作者: soft 时间: 2007-9-20 12:06

原帖由 winfast007 于 2007-9-20 11:59 发表
一般来说中心的晶元品质最佳吧

为什么？

作者: potomac 时间: 2007-9-20 12:07
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作者: itany 时间: 2007-9-20 12:20
总之，要体制最好的肯定没错 :lol:

作者: lacri 时间: 2007-9-20 12:47
我不需要体质最好的，我只要最便宜的那块。:lol:

作者: 嘉蓝 时间: 2007-9-20 13:20

原帖由 potomac 于 2007-9-20 12:07 发表
晶圆生长的时候要慢慢的旋转。可能中间的品质没有边上的好吧。:p

wafer生长？线速度越小晶格越整齐，当然是中间的缺陷少

作者: pjtomtai 时间: 2007-9-20 13:22
Yield一直是所有半导体厂商的机密,
行内估计INTEL以前成熟制程的yield在87-92%,
45nm不会只有20-30%吧.

作者: Prescott 时间: 2007-9-20 14:14

原帖由 GZboy 于 2007-9-20 09:18 发表

你要看看Nehalem有多大的块头阿。

08年初试产时有30%的成品率已经是高估了，08年尾正式量产时可能会有40%以上的良品率

只有40%的良品率就等着看Nehalem取消吧。

作者: potomac 时间: 2007-9-20 14:27
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作者: _MyST_Spring 时间: 2007-9-20 14:50
最差的当然在边上了，做过wafer acceptance test就知道了

作者: potomac 时间: 2007-9-20 16:31
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作者: _MyST_Spring 时间: 2007-9-20 16:58
什么面积？ wafer上面的die size是一致的

[ 本帖最后由 _MyST_Spring 于 2007-9-20 16:59 编辑 ]

作者: itany 时间: 2007-9-20 17:00
  大家说Intel会不会在32nm的时候突然宣布迁移到450mm晶圆，给大家一个惊喜阿？
  原来不是传说在2008到2010年期间Intel将会迁移到450mm晶圆么？
  也不知道现在怎么样了

作者: 1empress 时间: 2007-9-20 17:17
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作者: potomac 时间: 2007-9-20 17:46
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作者: potomac 时间: 2007-9-20 17:48
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作者: 1empress 时间: 2007-9-20 17:54
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作者: 路路步兵 时间: 2007-9-20 17:56
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作者: potomac 时间: 2007-9-20 17:58
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作者: spinup 时间: 2007-9-20 18:32

原帖由 potomac 于 2007-9-20 17:58 发表

那你告诉偶吧。:loveliness:

先是拉晶锭。一个大炉子煮纯净的硅，一根棒子从顶上伸下来，顶端是一小粒单晶硅，然后慢慢边转边拉，最后拉出一大陀。然后再切割成一片片的。
拉的时候线速度越低越稳定，当然晶格缺陷就越少。所以理论上说当然是中心缺陷少。----其实还有很多因素，例如杂质在拉单晶过程中总是向外移动的，所以硅片中心还最纯净。

现在单晶硅直径有300mm，即使转动很慢，最外部的线速度也相当大，缺陷完全是必然的。不过现在有一系列再处理的技术，可以使缺陷大幅度减少。

影响芯片质量的还有曝光过程。现在都是步进曝光，一片wafer上要曝光多次。镜头每次曝光都需要定位，不同曝光层要精确对准。这个时候以什么位置为中心开始曝光也对芯片质量有重大影响。如果以硅片中心开始曝光，当然也是中心部分质量最好。

作者: potomac 时间: 2007-9-20 18:59
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作者: spinup 时间: 2007-9-20 19:01

原帖由 potomac 于 2007-9-20 18:59 发表

还是老嘉好，写了这么多。
问题是为什么要转呢？
不转不就线速度=0了么。:loveliness:

转的话拉一炉子要几天到个把月。
如果不转的话拉一炉子等一年吧。

作者: flight 时间: 2007-9-20 19:06

原帖由 spinup 于 2007-9-20 18:32 发表

先是拉晶锭。一个大炉子煮纯净的硅，一根棒子从顶上伸下来，顶端是一小粒单晶硅，然后慢慢边转边拉，最后拉出一大陀。然后再切割成一片片的。
拉的时候线速度越低越稳定，当然晶格缺陷就越少。所以理论上说当 ...

你和外行人，而且还是根本不知道什么一回事的外行讲这些，最好从基础讲起，图文并茂的说，Crystal Growth 讲到 Lithographic，然后再说测试和封装:lol:

作者: xing83 时间: 2007-9-20 19:17
国内那个“有研硅股”貌似就是做这个的？

作者: 胖默默 时间: 2007-9-20 19:49
关键是看工艺气体在WAFER上面的反应效果。不一定中心的刻蚀效果就最好。还有就是制造过程中的颗粒控制，线宽达到45NM以后这才是关键的问题。
另外，虽然INTEL的FAB厂都是自己的。但里面的设备可不是INTEL自己制造的。大部分的设备都是LAM、AM或者是TEL的。

作者: Rock·Will 时间: 2007-9-20 19:50

原帖由 spinup 于 2007-9-20 18:32 发表

先是拉晶锭。一个大炉子煮纯净的硅，一根棒子从顶上伸下来，顶端是一小粒单晶硅，然后慢慢边转边拉，最后拉出一大陀。然后再切割成一片片的。
拉的时候线速度越低越稳定，当然晶格缺陷就越少。所以理论上说当 ...

长见识！又学到东西了，谢谢~:loveliness:

作者: Bohr 时间: 2007-9-20 20:34
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作者: itany 时间: 2007-9-20 22:22
谢谢嘉兰和默默两位的指教

作者: potomac 时间: 2007-9-20 22:26
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作者: 最弱的ID 时间: 2007-9-20 22:48
靠
楼上的说得对，从硅片的角度，中间和边上是基本无差别的，
中间和边上性能的差别来自于制成，制成中中间和边缘有差异的主要是蚀刻和扩散

作者: spinup 时间: 2007-9-20 23:45

原帖由 最弱的ID 于 2007-9-20 22:48 发表
靠
楼上的说得对，从硅片的角度，中间和边上是基本无差别的，
中间和边上性能的差别来自于制成，制成中中间和边缘有差异的主要是蚀刻和扩散

:p 其实经过重熔和退火，现在的硅片中间和边上区别确实不大。所以中心更好只是理论上成立的。

作者: potomac 时间: 2007-9-22 16:43
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作者: duansindo 时间: 2010-4-20 11:43
这个真有钱职。。。

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