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标题: 三星在美国大批量生产50纳米NAND闪存芯片 [打印本页]

作者: hdy_aoe 时间: 2007-11-26 12:26
标题: 三星在美国大批量生产50纳米NAND闪存芯片
据外电报道，三星电子宣布在美国得克萨斯州的生产设施已经开始大批量生产50纳米NAND闪存芯片。这个生产设施是在2007年6月开始投产的。三星电子在2007年至2008年将向这个生产厂投资35亿美元。 NAND闪存是目前两种闪存芯片之一，用于在优盘、存储卡和MP3播放机中提供更大的容量和更快的速度。
这家公司的一位发言人James Chung称，三星将在位于得克萨斯州奥斯汀的工厂使用先进的50纳米技术用300毫米晶圆制造芯片。
这条心的生产线最初的产量为每月2万个16GB NAND闪存芯片。到2008年，产量将提高到6万个。

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