GTX480年内难产，NVIDIA费米面临推倒重来

Asuka

这篇文章是扯谈

原文作者在半导体制造领域属于文盲级别，连TSMC的工艺问题出在哪个环节都没弄清

Asuka

大家其实不需要知道原因，只需要知道fermi现在难产。
westlee 发表于 2010-2-24 18:09

GTX480年内难产，NVIDIA费米面临推倒重来

原文作者仅仅是想说Fermi难产？

Asuka

Fermi难产的真正原因我们无法知道，但原文作者的工艺焦点分析推理得很靠谱，虽然使用了很多不够专业的名词；至于以前盛传的TSMC腔体设备问题早已是5个月前的旧事
AN_Fusion 发表于 2010-2-24 18:32

你对TSMC工艺出问题的环节所知的程度也和原作者差不多，数据级别的论据为0，属于臆断

所以，你认为“分析推理得很靠谱”这个结论也是基本不靠谱的

Asuka

回复  牛奶不老
某版果然顺应民意跳出来了
AggressiveZone 发表于 2010-2-24 18:26

    文不对题，存证删贴

Asuka

你就别倔了外行冒充内行，原文作者的推理过程是正确的，你不够懂只是有些内幕消息而已，在拌老虎装大牙，

上面有个楼层说得好：不知道推理的论据是否确实？如果fermi不是这个原因，一切无从谈起
AN_Fusion 发表于 2010-2-25 07:49

没错，原文推力过程是正确的，可惜这个推理的所有论据确是建立在原作者的[意][淫]之上

先不说有没有所谓脆弱的晶体管，理想环境下沉积不当导致的所谓脆弱的晶体管，脆弱在栅极或者管壁上，主要导致功耗上升的栅氧层隧穿不发生在这里。所以即便所谓脆弱的晶体管真的存在，导致的也不是漏电问题，这俩事情之间不存在逻辑上的联系，他连和功耗相关的栅氧层隧穿发生在什么地方都没搞清楚。

其次，提升电压，为的是让槽电流清澈，并不是让所谓的不工作的晶体管工作掉，这跟晶体管脆不脆弱又是不存在任何联系

还是最理想形态下的脆弱晶体管，因为沉积不当导致的管壁厚度不达标的，加压会在第一时间导致沟槽隧穿击穿晶体管，照原作者的意思看来着凉感冒了的人要丢尽冰窟窿里并且再吹点冷风才能康复啊。

我很奇怪原文作者究竟要文盲到什么程度才会写出这种东西？ 写这种又臭又长的东西好歹也要google大学速成班毕业才来喷啊。

关于TSMC的工艺问题，我一个外行也不好意思细说，您要是有兴趣，我给您稍微提点醒，你觉得下面这个过程，用什么Ea比较合适？？

Asuka

什么也不懂就不要装那个什么字母
rx78meng 发表于 2010-2-25 10:08

拜托，要反驳也拿点干货出来啊

如果你很喜欢这样的胡搅蛮缠，我只能用如下官方辞令回复你了：


以你的_____，我很难和你解释

选择填空

Asuka

随便问一下，费米的问题究竟是因为查理说的薄弱晶体管还是因为你所谓的“理想状况”脆弱晶体管么？
anolen01 发表于 2010-2-25 10:49

虽然我不知道费米遇到了具体什么样的问题，但肯定与楼主引用文章中这个外国枪手google出来的内容没有关系————因为这个文盲说的东西本身就是错误的，是伪命题

原文作者服务的这个网站的水平和INQ之流也高下立判————自己2，就不要说太多细节，言多必失。你看INQ只告诉你N卡有问题，而不说为什么，多聪明啊

Asuka

原文的脆弱晶体管应该是weak transistor, 不是漏电流大的管子，是在低压下无法开启的管子，但由于fermi管子 ...
AN_Fusion 发表于 2010-2-25 12:35

google要用.com，不要用.cn，害死人的

你看你搜了半天连那个公式是什么都没搞清楚

Asuka

楼上两位专家，我贴的那个公式代表什么google出来没有啊？ 等你们回复呢，不要转移话题啊

Asuka

你的理解力不够，不够明白，只知道那个叫thermal budget的名字
AN_Fusion 发表于 2010-2-26 10:30

别转移话题到翻译上啊，我一直在诚心求教，“扩散激活能的一般定义式”是什么啊，我可没贴过这种东西哦  

至于你给出扩散激活能的一般定义式很是无厘头，那个式子能套用在无数的场合上甚至显卡散热器，就同一工厂的同一工艺来说至少有10处地方要用到，不同条件不同材料不同成分都可能不同，要局外人给出TSMC产femi的工艺的某一步中某个条件下的某种成分的EA，除非是闲得**的神仙，哈哈
AN_Fusion 发表于 2010-2-25 12:35

Asuka

针对你特意提到的EA，你那个公式在内行人看来有必要说吗跟吃饭穿衣一样，所以说你不够懂
AN_Fusion 发表于 2010-2-26 10:40

原来RV740出问题的原因就跟吃饭穿衣一样啊，受教了

Asuka

至于你给出扩散激活能的一般定义式很是无厘头，那个式子能套用在无数的场合上甚至显卡散热器，就同一工厂的同一工艺来说至少有10处地方要用到，不同条件不同材料不同成分都可能不同，要局外人给出TSMC产femi的工艺的某一步中某个条件下的某种成分的EA，除非是闲得**的神仙，哈哈
AN_Fusion 发表于 2010-2-25 12:35

你自己的帖子里，业内人士其实已经回答过了，不过[爪][牙]们还不甘心而已

Asuka

其实文章说的还是是比较有意义的，只是很多人看的角度不恰当。很正常，笔者可能不是半导体专家，半导体专家 ...
Gareth_CN 发表于 2010-2-26 11:03

大多数网友还没有明白，这篇文章的问题之处不是原作者思考的方式或者推力的逻辑，而是它用来论证自己观点的细节描述有常识性错误，如果他不叙述这些细节，文章反而没法反驳

虽然现在局外人不可能知道Fermi工艺是否有问题、如果有问题出在哪里，但是根据基本的教科书上的知识、定理，甚至一些半导体工艺方面的常识，可以判断出原作者的叙述是错误的

错误的论据得出的结论有什么意义？