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本帖最后由 san_037 于 2014-9-15 13:07 编辑
另外芯片不同密度相差可以很大
比如INTEL的IVB标准4核心集成GT2核显CPU，160平方毫米的面积，14亿晶体管，每平方毫米875万晶体管。这是22nm
INTEL的SNB四核心集成核显CPU，216平方毫米的面积，9.95亿晶体管，每平方毫米461万晶体管。这是32nm
但是看显卡的话，介于22nm和32nm之间的28nm
台积电生产的GK104，294 平方毫米的面积，35.4亿晶体管， 每平方毫米1204万晶体管。
台积电生产的R7970，365平方毫米的面积，43.1亿晶体管，每平方毫米1181万晶体管。
不同的芯片看同代的28nm和32nm比较密度相差两倍多
苹果A8在20nm下每平方毫米2247万晶体管，CORE M在14nm下每平方毫米1585万晶体管
对比同代的20nm和22nm，intel和台积电生产的A8之间基本快到三倍的密度差异了
但是从台积电和intel各自的工艺进化来看，密度变化则基本符合摩尔定律。一般而言，GPU、缓存晶体管密度可以做大，但是CPU就困难了，CPU内部来比较RISC的晶体管密度比CISC更容易做大
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发表于 2014-9-15 12:22
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