Rampage II Extreme 一些细节资料 送给R2E爱好者

scujie

4 u* l, V* i# _/ x5 w% j' _ 一、R2E的PWM芯片 2 N+ B' O2 c9 Z4 F* e4 @2 } * C9 k$ V9 |/ @0 p3 l7 t/ J 4 C1 c  ]3 j6 s' r7 U$ L之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700  这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板 . W6 A8 v5 j9 j6 @; _4 b: E ; G! J4 P3 o% n9 }* R 7 m1 u2 N/ ?  u. L! W+ b% `; N后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM 从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX  P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相 + D: K8 }1 l7 w2 X0 R6 g3 L  y2 R直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片 9 ~0 K, h+ q/ c0 L  o$ H1 b ( ~; u8 Z2 [# t0 f8 G) d二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同 09年采用的是瑞萨电子的MOS 上管为K0355  30A     8.2毫欧内阻@10V 6 j$ u  ]5 i7 u 6 r( I! G9 ~' B8 M7 i4 y 8 k5 R, Y! k. B: @下管为K0353  33A     4毫欧内阻  @10V 2 T0 @8 a7 ]* ?8 h# Q 此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电 包括前期的P5系列都是此MOS " \' C3 L  l& g4 d7 V 2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品 上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L    66A # G# K3 i2 b- F/ P! r, ?# s& C内阻6.3毫欧@10V 8 W6 d5 F3 {6 b ( o2 S1 x5 s7 X' _此MOS在R3E上同期出现  包括后来的R3BE 也是此MOS 4 d8 i* c+ u) ?2 x9 D; @; t# N 1 h9 Y1 i' i. q3 Q4 m- T3 {三、电感 * _4 {4 M- e# c& V" a R2E每相电感为30A   ( V! P& ^( S5 Q: T# a# B  O16个电感可一共480W输出 + g6 T( q7 {1 m: C, r; `# \ # N! ^3 d" l) D" cR3E提高了10A，为40A 8个电感可一共320W输出   g4 Q- \( q% o  a5 u7 E& N, | 四、效率 $ M. R7 l3 S' u7 b8 t参见效率图 3 e% H; }& K' m) |* R4 P4 B图中蓝线为R3E  红线为R2E   绿线为EVGA纯数字供电

aivv

隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

scujie

& }7 ]* C) i  g- q+ u

aivv 发表于 2013-11-12 21:33
+ X2 T5 \: k/ B隔壁的吗，全部是大xx了，还是发个连接吧。。。

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http://www.chip     hell.com/thread-888623-1-1.html