Micron采用78奈米制程 推出1Gb DDR3记忆体颗粒

流氓兔116

记忆体主要厂商Micron宣布，正式推出全球首款采用78奈米制程的1Gb DDR3记忆体颗粒，提供比上代DDR2更快、更大容量、更少耗电量等优点。

市场调查机构IDC资深分析员Shane Rau表示，由于微软即将推出Vista作业系统，估计将带动2007上半年记忆体市场需求进一步扩大，预计DDR3记忆体将首先应用于伺服器、行动电脑及桌面电脑上，并最终使用在其他家电产品如高清电视等。

据了解，现时Micron 1Gb DDR3 记忆体工程样本已提供给各厂商，预计于2007年上半年进入量产阶段，将采用78奈米制程，乎合最新的JEDEC DDR3规格标准，支援x4、x8及x16方式之组合，结合成为512MB至4GB记忆体模组，并适用于FBDIMMs、 UDIMMs、SODIMMs及RDIMMs接口上。

速度方面，Micron 1Gb DDR3 记忆体支援400MHz至800MHz外频，提供800MT/s (MegaTransfers per Second) 至1,600MT/s频宽，比上代DDR2快近一倍。另外，由于DDR3记忆体在电压方面由DDR2时代的1.8V下降至1.5V，其功耗下降约30%，这些的改良将有助未来更多电子产品的普及。同时，Micron表示2Gb DDR3产品亦将于明年上半年推出，使记忆体容量进一步提升