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Intel晶片组的产品线中,通常是半到一年会汰旧换新一轮
+ h% E: J$ l8 |- b, R; J1 Z+ P$ V975X推出已经很长一段时间,P965也推出将近一年左右
& V+ r' }( t" V/ J+ H( ^5 RIntel推出的新款处理器,支援到1333Mhz,加上力推DDR3的架构* M% m; ]4 n k" e; }$ L
就这样新款的P35与X38晶片组,将会是2007下半年新一代的宠儿
. P2 w$ s% _) Q- R/ Y- T9 {# ?- ^. ~! g0 Q) P- T$ p D
此次入手使用P35晶片组的产品-MSI P35 Platinum-DDRII版本; J9 |* O) C; `9 o9 u' ^
主打的是未来45nm处理器与1333Mhz支援
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产品外包装,这次的封面设计与以往不同,别有一番风味
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, h ]) o. j# {1 Q9 I/ T5 K4 F& L
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内附配件,排线颜色与字样也与众不同(驱动CD没有入镜)2 o$ V! f. h% }, K; z
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! p! X9 _, J; W( D8 H4 ^6 Y主机板本体
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8 k+ ]6 `1 Y* t7 G" U$ e5 z$ T4 x7 w& J! T# n# E
8 Y; A" n& I% k/ u: `" _
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主机板左下: ?# U, A! B: ?( ^, V2 H
P35虽然定位与965P一样,为单VGA规格9 a: }, H w3 m# n
不过较高阶的版本也会做出双VGA的支援, F, C/ X( j, \1 c. P V) [: C% ^
音效晶片使用ALC888T晶片,7.1声道HD Audio,四周有众多固态电容
1 s m. `5 x# ~, ]- f* Z3 Q3 ^2 Q- ]: ] x
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6 |$ T/ h( F) B
' B- |: o' v' F/ q5 T" T主机板右下
4 Y& F7 O& X+ f$ l# {; c8 J3 m3 U5个SATAII与一个IDE装置# |; g, X" J3 u8 l2 M; d I
红色按钮为Clear CMOS功能
) U4 T. r3 H6 l$ @0 d) S% q3 N$ v6 ~) x( r, a
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5 {0 h% o# L* G; }
6 t l) j: |: g5 d6 Z, B" gDRAM部份
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. U' j7 a: P6 z5 Q4 W8 @" U8 M' ~. N. j3 z B7 m
3 ~5 l& w' n- k, w, {( v+ x+ g: s1 t
处理器方面使用四相供电' _& t7 `# y5 I" l
0 X4 d% O/ {& A( R" W" p) C+ C$ V1 c& ~; H
& V* A/ @; Z9 a5 D
% f$ ? ]" K; `& H: |. @8 ~/ TIO介面
# X& T. G" s" V. g) \除了有1394,提供两个eSATA介面& h& C- g. ?# z o5 k6 D' q
0 i) b+ ?/ T/ X* @2 ?6 E H% h# p z; z+ \! n3 {
1 H: F3 N8 H( d, U8 `& @6 t d7 z
' x/ w/ a* R0 W/ L此次铜导管设计相当特殊,对MSI来说是一大突破
# @) _! V, ~5 |: R* }. ]分为四个部份,依次介绍
6 T" w' R* e) X5 s% _7 i! Z$ b0 P4 k- ~
第一部份:处理器左上方
4 E8 G0 x) q- n8 M有铭版刻着CIRCU-PIPE,质感不错& \$ g! |6 S9 D; @
+ }( _7 h3 c) K7 b5 d) g4 m4 f* b* u
- A* ~2 q% M6 `$ A$ w9 }# q/ _第二部份:处理器右上方
5 Y. A2 g9 x& Z* j8 [8 v
" a$ ~6 c: @+ x, R& W* t/ r" g6 p, h- ~) X; J) c
* U. `/ m% x7 r+ q' K
第三部份:北桥散热! |+ l1 O" `6 O9 ^7 W
设计的相当特殊,散热范围也相当的大,效果预料比其他铜导管优秀, g3 A2 o- v5 i) P# O0 m# b6 q
2 l6 c4 C/ D$ Q# r$ I7 ]! e& ]9 ~) o4 _7 l2 @+ t0 \
: w( Z, u# ^1 V0 f: t- U" @4 v7 ?
第四部份:南桥散热; y* j$ f" `$ z t, p' V; f& L: {
散热片中的铜片厚实
N5 D) F/ O+ M" [8 p+ R C" J4 `% N7 M, M B+ \" N+ m
0 ~' g F4 L: I% e
' b$ v0 o9 V2 i2 s+ l2 F
( A0 _9 p/ u, j; X) v测试之DRAM模组, M. S* _6 r6 i: ?; H' P
; |* r& U3 s5 I2 P2 Q2 Q6 E( t0 r/ h& T' G( F0 [
9 B/ w a& U2 Y: V* X+ n- F: U$ r在这款P35产品上,个人看到MSI足够的功能规格与较美观的散热导管
4 s( n( ?" r Y2 d! v, ^$ P三大厂中高阶主机板到现在来说,已经站在同一个基准点
5 A: f2 ^4 T7 }: G! {希望MSI在超频方面能有更多的突破,来为这次P35的产品线占有一席之地. B7 f2 i8 \( R: e3 }9 s) j
2 ?. K9 K" O: p0 N9 z测试未来将会补上:) |
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