PCINLIFE：300mm wafer能塞多少片Nehalem？

1empress

原帖由 potomac 于 2007-9-20 17:46 发表

边上的面积自然大哦。最外圈可以做几十个产品。
难不成生产晶圆的时候，工艺的调整不按照面积率来调整？:unsure:

很显然你不明白晶圆是怎么印刷成cpu的

spinup

原帖由 potomac 于 2007-9-20 17:58 发表

那你告诉偶吧。:loveliness:

先是拉晶锭。一个大炉子煮纯净的硅，一根棒子从顶上伸下来，顶端是一小粒单晶硅，然后慢慢边转边拉，最后拉出一大陀。然后再切割成一片片的。
拉的时候线速度越低越稳定，当然晶格缺陷就越少。所以理论上说当然是中心缺陷少。----其实还有很多因素，例如杂质在拉单晶过程中总是向外移动的，所以硅片中心还最纯净。

现在单晶硅直径有300mm，即使转动很慢，最外部的线速度也相当大，缺陷完全是必然的。不过现在有一系列再处理的技术，可以使缺陷大幅度减少。

影响芯片质量的还有曝光过程。现在都是步进曝光，一片wafer上要曝光多次。镜头每次曝光都需要定位，不同曝光层要精确对准。这个时候以什么位置为中心开始曝光也对芯片质量有重大影响。如果以硅片中心开始曝光，当然也是中心部分质量最好。

spinup

原帖由 potomac 于 2007-9-20 18:59 发表

还是老嘉好，写了这么多。
问题是为什么要转呢？
不转不就线速度=0了么。:loveliness:

转的话拉一炉子要几天到个把月。
如果不转的话拉一炉子等一年吧。

flight

原帖由 spinup 于 2007-9-20 18:32 发表

先是拉晶锭。一个大炉子煮纯净的硅，一根棒子从顶上伸下来，顶端是一小粒单晶硅，然后慢慢边转边拉，最后拉出一大陀。然后再切割成一片片的。
拉的时候线速度越低越稳定，当然晶格缺陷就越少。所以理论上说当 ...

你和外行人，而且还是根本不知道什么一回事的外行讲这些，最好从基础讲起，图文并茂的说，Crystal Growth 讲到 Lithographic， 然后再说测试和封装:lol:

xing83

国内那个“有研硅股”貌似就是做这个的？

胖默默

关键是看工艺气体在WAFER上面的反应效果。不一定中心的刻蚀效果就最好。还有就是制造过程中的颗粒控制，线宽达到45NM以后这才是关键的问题。
另外，虽然INTEL的FAB厂都是自己的。但里面的设备可不是INTEL自己制造的。大部分的设备都是LAM、AM或者是TEL的。

Rock·Will

原帖由 spinup 于 2007-9-20 18:32 发表

先是拉晶锭。一个大炉子煮纯净的硅，一根棒子从顶上伸下来，顶端是一小粒单晶硅，然后慢慢边转边拉，最后拉出一大陀。然后再切割成一片片的。
拉的时候线速度越低越稳定，当然晶格缺陷就越少。所以理论上说当 ...

长见识！又学到东西了，谢谢~:loveliness:

itany

谢谢嘉兰和默默两位的指教

最弱的ID

靠
楼上的说得对，从硅片的角度，中间和边上是基本无差别的，
中间和边上性能的差别来自于制成，制成中中间和边缘有差异的主要是蚀刻和扩散

spinup

原帖由 最弱的ID 于 2007-9-20 22:48 发表
靠
楼上的说得对，从硅片的角度，中间和边上是基本无差别的，
中间和边上性能的差别来自于制成，制成中中间和边缘有差异的主要是蚀刻和扩散

:p 其实经过重熔和退火，现在的硅片中间和边上区别确实不大。所以中心更好只是理论上成立的。

duansindo

这个真有钱职。。。