文: John Lam
Intel 10 日宣佈已完成新一代 32 奈米制程開發，並會於下週在美國舊金山舉辦的國際電子元件會議 (International Electron Devices meeting, IEDM) 中，進行簡報公佈更多與 32nm 製程相關的技術細節，根據 Intel 最新規劃， 32 奈米技術將會於 2009 年第四季正式導入， 提供更大更大能源效率、更高密度、效能更強的處理器產品。
Intel 依既定時程完成 32nm 製程開發與投產準備，意味著該公司依循其「 tick-tock 」策略，準時推出一系列更具企圖心的新產品和先進製程，按照計劃將會在 1 年內完成制程交替。
據了解， Intel 32nm 論文與簡報所描述的技術將包括第二代 high-k 、金屬閘極技術、重要圖層 (patterning layers) 採用 193nm 沉浸式微影技術 (immersion lithography) 、以及強化電晶體應變 (strain) 技術，這些技術可強化 Intel 處理器的時脈與能源效率，而且 Intel 32nm 技術所產出的電晶體效能和電晶體密度也超過業界公佈的任何 32nm 技術。
此外， Intel 亦計劃於 2009 年推出 45nm 製程生產的低耗電系統單晶片 (system on chip) 、基於化合物半導體 (compound semiconductor) 為基礎的電晶體、哂眠用基板工程 (substrate engineering) 改善 45nm 電晶體效能、 45nm 與更小節點採用整合化學機械式研磨及整合各種矽光調變器 (silicon photonics modulators) 等技術，同時亦展開了 22nm CMOS 技術研究。
