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标题: AMD这代好超是因为用了浸没式光刻？ [打印本页]

作者: CC9K 时间: 2008-12-23 18:07
标题: AMD这代好超是因为用了浸没式光刻？
INTEL这代还是用干的

不过貌似业界45nm以下的工艺除了INTEL外都都用浸没式了

所以INTEL这代工艺并不算强

作者: SubaRu 时间: 2008-12-23 18:25
搬个板凳

等达人进来解释工艺

作者: Sirlion 时间: 2008-12-23 18:26
虽然不懂什么是浸没式光刻

但是就现在intel没有使用这东西，也可以弄到这种程度，amd要使用这东西才能追上intel，可见intel的工艺是最厉害的吧？等intel用的时候是否意味着更加可怕的情况？:sweatingbullets:

别拍砖，解释好了

作者: spinup 时间: 2008-12-23 18:27
可以很肯定的说，超频能力和浸没式光刻没直接关系。

但是和intel 65nm时候好超很可能是同一个原因。

作者: 奶牛老仙 时间: 2008-12-23 18:36
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: vc2136 时间: 2008-12-23 19:13
intel 32nm就会使用浸没式光刻了，还会引入第二代hkmg
intel的32nm值得期待啊

作者: pjtomtai 时间: 2008-12-23 20:08
对啊,蛋糕好吃是因为切的刀特殊.

作者: dartabe 时间: 2008-12-23 20:36
跟光刻有什么联系。。。

作者: john6078 时间: 2008-12-23 21:00

原帖由 pjtomtai 于 2008-12-23 20:08 发表
对啊,蛋糕好吃是因为切的刀特殊.

{lol:]:sweatingbullets:

作者: Reon 时间: 2008-12-23 21:07

原帖由 spinup 于 2008-12-23 18:27 发表
可以很肯定的说，超频能力和浸没式光刻没直接关系。

但是和intel 65nm时候好超很可能是同一个原因。

同等高手来解释,
嘉兰给大家科普下呗,你在禁止给他站打广告那个帖子就很好呀

45nm只比超频,肥龙2比i7确实强一些是不是和i7的静态cmos有关?

作者: fku 时间: 2008-12-23 21:09

原帖由 Reon 于 2008-12-23 21:07 发表

同等高手来解释,
嘉兰给大家科普下呗,你在禁止给他站打广告那个帖子就很好呀

45nm只比超频,肥龙2比i7确实强一些是不是和i7的静态cmos有关?

I7学内存控制还没学到家

作者: samhrc 时间: 2008-12-23 21:11

原帖由 dartabe 于 2008-12-23 20:36 发表
跟光刻有什么联系。。。

将纯水注入到光刻物镜和待曝光的掩膜之间以提高折射率。跟显微镜的齐名透镜一样的东西。

作者: samhrc 时间: 2008-12-23 21:12
跟是否好OC 没有直接关系。

作者: CC9K 时间: 2008-12-23 21:15

原帖由 samhrc 于 2008-12-23 21:12 发表
跟是否好OC 没有直接关系。

可能刻出来的体质更好呢

作者: skywalker_hao 时间: 2008-12-23 21:23

原帖由 fku 于 2008-12-23 21:09 发表

I7学内存控制还没学到家

到底谁学谁啊，搞搞清楚-_-

作者: fku 时间: 2008-12-23 21:28

原帖由 skywalker_hao 于 2008-12-23 21:23 发表

到底谁学谁啊，搞搞清楚-_-

又是一个I饭,看清楚, 我可没说学的是AMD的内存控制
好吧, 改说intel自己的内存控制没有AMD的内存控制好,这样说没问题吧

作者: amuly 时间: 2008-12-23 21:43

原帖由 fku 于 2008-12-23 21:28 发表

又是一个I饭,看清楚, 我可没说学的是AMD的内存控制
好吧, 改说intel自己的内存控制没有AMD的内存控制好,这样说没问题吧

你说的是X86里的内存控制吗？

我记得X86 ISA属于intel呀

原来intel学自己定义的东西学地不好

作者: pjtomtai 时间: 2008-12-23 21:45

原帖由 fku 于 2008-12-23 21:28 发表

又是一个I饭,看清楚, 我可没说学的是AMD的内存控制
好吧, 改说intel自己的内存控制没有AMD的内存控制好,这样说没问题吧

有问题啊-何以见得?

作者: Reon 时间: 2008-12-23 21:46

原帖由 fku 于 2008-12-23 21:28 发表

又是一个I饭,看清楚, 我可没说学的是AMD的内存控制
好吧, 改说intel自己的内存控制没有AMD的内存控制好,这样说没问题吧

请问你这是怎么知道的呢?
是怎么样获得这个结论的?
请给出详细的论证过程,不要用臆测,
写出一篇详详细细的从半导体结构的文章,
就像嘉兰最新翻译那篇intel45nm工艺分析的那样
而不要直接得出结论

作者: CC9K 时间: 2008-12-23 22:23

原帖由 Reon 于 2008-12-23 21:46 发表

请问你这是怎么知道的呢?
是怎么样获得这个结论的?
请给出详细的论证过程,不要用臆测,
写出一篇详详细细的从半导体结构的文章,
就像嘉兰最新翻译那篇intel45nm工艺分析的那样
而不要直接得出结论

论坛本来就是大家有什么想法

讨论下而已

不可能每个人都那么厉害吧

只是发帖子又不是在电子工程学刊物上发表文章

写文章你给稿费啊{lol:]

[ 本帖最后由 CC9K 于 2008-12-23 22:24 编辑 ]

作者: spinup 时间: 2008-12-23 23:12

原帖由 Reon 于 2008-12-23 21:46 发表

请问你这是怎么知道的呢?
是怎么样获得这个结论的?
请给出详细的论证过程,不要用臆测,
写出一篇详详细细的从半导体结构的文章,
就像嘉兰最新翻译那篇intel45nm工艺分析的那样
而不要直接得出结论

我去年年初开始写的文章，现在累积了快2万字.......
翻译老外的文章是因为他们说的比较简单.............要解释那篇文章的几个概念，每个都要几千字.......

作者: fku 时间: 2008-12-23 23:33

原帖由 Reon 于 2008-12-23 21:46 发表

请问你这是怎么知道的呢?
是怎么样获得这个结论的?
请给出详细的论证过程,不要用臆测,
写出一篇详详细细的从半导体结构的文章,
就像嘉兰最新翻译那篇intel45nm工艺分析的那样
而不要直接得出结论

我没这么高的水平
我只是做个推理,一直以来intel频率都比amd高些也更好超频,
但是I7集成了内存控制后频率比不上PII,是不是可以猜想技术不如AMD成熟

作者: inaty 时间: 2008-12-24 00:17

原帖由 fku 于 2008-12-23 23:33 发表

我没这么高的水平
我只是做个推理,一直以来intel频率都比amd高些也更好超频,
但是I7集成了内存控制后频率比不上PII,是不是可以猜想技术不如AMD成熟

CPU的内核和内存控制器是隔离的，有什么影响

作者: sunsil 时间: 2008-12-24 00:31
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: Reon 时间: 2008-12-24 00:59

原帖由 spinup 于 2008-12-23 23:12 发表

我去年年初开始写的文章，现在累积了快2万字.......
翻译老外的文章是因为他们说的比较简单.............要解释那篇文章的几个概念，每个都要几千字.......

那您能大概猜测下为啥i7目前极限频率不如肥龙呢?

作者: zaknafein 时间: 2008-12-24 02:41
个人觉得大概是静态L1的问题, 当然, 如果像amd一样把uncore频率调低, 不许出评测成绩, 估计i7上6G问题也不大

作者: xeon-pan 时间: 2008-12-24 12:45
某人啥都不懂就别来猜想了。。。。
一点科学依据都没有。。。。

作者: fku 时间: 2008-12-24 12:48

原帖由 xeon-pan 于 2008-12-24 12:45 发表
某人啥都不懂就别来猜想了。。。。
一点科学依据都没有。。。。

你是说歌德巴赫!??

作者: spinup 时间: 2008-12-24 13:30

原帖由 Reon 于 2008-12-24 00:59 发表

那您能大概猜测下为啥i7目前极限频率不如肥龙呢?

其实低温下intel 65nm就好超，而amd此时有cold bug，现在amd的45nm赶上来。
很明显这和一个不被大家注意的工艺改进有关。intel在65nm开始PMOS和NMOS使用不同的栅极材料，而amd则没有，AMD的45nm具体分析现在还没看到，不过预测中不大可能不采用分离栅极。

半导体材料在低温下电气性能提高，这也就是极限超频的原理。低温主要影响的是晶体管的沟道区，不过多晶硅栅极按理也能获得一些好处。intel在45nm采用high-k和金属栅极，这两样东西低温带来的电气性能改进不会很明显。

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