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标题: 貌似45nm K10的SOI真是很弱？有人好像缩肛了... [打印本页]

作者: amuly 时间: 2009-2-12 00:48
标题: 貌似45nm K10的SOI真是很弱？有人好像缩肛了...
http://bbs.ocer.net/thread-265437-1-1.html

作者: 了不起 时间: 2009-2-12 13:57
不知道三核的PII超频行不行啊！！

作者: Go.Go 时间: 2009-2-12 14:16
就现在已经出来的评测，P2如果同频率下能接近Q6已经算不错了

作者: spinup 时间: 2009-2-12 14:18
45nmP2在低温下好超是有原因的。
风冷下4g左右为极限也是合理的，这是不会因为低温下好超而使常温有多大沾光的。

作者: GZeasy.cn 时间: 2009-2-12 14:32
电压太漂亮了，哈哈，1.6V~~~~~~~~~~

作者: naze 时间: 2009-2-12 14:42

45nmP2在低温下好超是有原因的。
风冷下4g左右为极限也是合理的，这是不会因为低温下好超而使常温有多大沾光的。
spinup 发表于 2009-2-12 14:18

麻烦请教
是什么阻碍i7 低温下的频率攀升
而p2能到6.5G又是因为什么原因呢

按道理,intel45nm应该比amd更加好
看p2和Q9的晶体管密度就知道

作者: angelion 时间: 2009-2-12 14:59
好长的帖子

看完后，发现原来楼主是说自己

作者: fox990 时间: 2009-2-12 20:30
楼主适合PCI

作者: spinup 时间: 2009-2-12 22:13

麻烦请教
是什么阻碍i7 低温下的频率攀升
而p2能到6.5G又是因为什么原因呢

按道理,intel45nm应该比amd更加好
看p2和Q9的晶体管密度就知道
naze 发表于 2009-2-12 14:42

大致和intel的65nm好超的原因是一样的。硅材料的特性一般就是温度越低越好。
intel的65nm将是低温超频最好的一代---因为晶体管的主要部分都是硅材料，更早的工艺则有一些细节与低温运行矛盾。而amd对应的则是45nm。

high-K和metal gate的引入导致栅极材料随温度降低而性能提升就会很有限。这样低温超频的极限提升也就会略显少一些。---可以预计，不管哪一家，引入high-k后都或多或少会有一些影响。

作者: nicklu 时间: 2009-2-12 22:49
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作者: nicklu 时间: 2009-2-12 22:50
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作者: westlee 时间: 2009-2-12 23:05
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作者: china17 时间: 2009-2-12 23:30

45nmP2在低温下好超是有原因的。
风冷下4g左右为极限也是合理的，这是不会因为低温下好超而使常温有多大沾光的。
spinup 发表于 2009-2-12 14:18

LONG TIME NO SEE

看完那贴没发现CPU缩缸，楼主自己缩肛了？

作者: jenny8227 时间: 2009-2-12 23:38
哈哈
还跑这里来装“好像”
无间道哦

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