
不是很雷呀,我的还要1.35V才稳定500*8或者450*9呢~~!不过1.08V左右就可以400*9,所以我现在知超到3.6G,因为性能区别不大,低压发热量低一些。。。
Al@n 发表于 2009-3-1 01:08
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上面的这些概念和原理对于选择超频能力强的处理器有很密切的关系。
因为步进和生产批次的原因,目前相同型号规格的处理器往往有不同默认电压。许多人发现有一些默认Vid低的处理器,满载甚至待机的功耗并不低 ...
轩轩爱人 发表于 2009-3-1 10:44
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前面说CMOS电路理论上没有静态功耗,但是在90nm以后情况就变得大不一样了。
首先是阀值电压的问题。按以往的CMOS工艺规律发展的话,90nm下CPU的工作电压应降低到1.2V以下。前面说过,高速数字电路要求工作电压和阀值电压的比例是4:1左右。也就是说,阀值电压也应降低到0.3V以下。
但是有一个重大的问题出现了,实际上MOS管的亚阀泄漏随阀值电压降低而指数提高。阀值电压在0.3V以上的时候,亚阀泄漏是很小的数值,一般可以忽略。但是阀值电压降到0.3V以下,亚阀泄漏就十分显著。这就是90nm的阀值之障。
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前面说CMOS电路理论上没有静态功耗,但是在90nm以后情况就变得大不一样了。
首先是阀值电压的问题。按以往的CMOS工艺规律发展的话,90nm下CPU的工作电压应降低到1.2V以下。前面说过,高速数字电路要求工作电 ...
轩轩爱人 发表于 2009-3-1 10:45
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