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标题: P45主板超频扫盲勘误-2011增补最终版（5W功率上500X8，更新见顶楼+5楼，给M我的致歉） [打印本页]

作者: klinsmn 时间: 2009-3-28 22:09
标题: P45主板超频扫盲勘误-2011增补最终版（5W功率上500X8，更新见顶楼+5楼，给M我的致歉）
本帖最后由 klinsmn 于 2011-12-20 14:21 编辑

100% PCI原创 BS他坛转帖不打招呼留名的行为

已发在主板版，视乎这边很多新手概念还很模糊，很多搞笑的想法
把众达人及本人的一些心得整出来共分享
作为旧人也是种对PCI的回馈有砖请轻拍谢谢

CPU电压篇
买P45的不超的占少数说到超第一就是电压了
要加压就要明白电压的含义做到有的放矢
基本的关系到安全的就那几个既然不是想把东西玩废
安全第一的观念一定要树立起来

而对CPU各个关键电压的权威定义来自于intel官方
所以P45超频第一步就是拜读intel的CPU规格书(Spec)
intel对于U的几个关键电压有如下定义（各主板厂家命名略有差异）：

Vid          标称电压-定义CPU供电电压属于Intel标定的额定值
Vcc       核心电压-实际核心工作电压属于实际工作负荷下的实际值
Vdrop    Vid跟Vcc之间的差值，广义掉压，Intel规范使然，开启LLC时，Vdrop为固定值。
Vdroop 满载Vcc跟待机Vcc的差值，狭义掉压，开启LLC时，Vdroop≈0
Vtt          FSB电压-定义前端总线电压超外频必须调整的电压
Vpll       内部频率发生器电压-驱动内部频率发生器需要电压对超外频影响较小

以上电压高低限具体见下图1：
[attach]1017594[/attach]
图1中E8000系列的Vcc高低限‘Refer to Table 5, Figure 1’见图2
[attach]1017595[/attach]

从以上两图可以得出几个简单的结论：

结论1：
Vdrop（俗称掉压）是intel规范使然，属于低负荷低功耗，高负荷高功耗的环保设计，
掉压是动态线性的，根据Icc（核心电流）进行变化，核心电流越大，掉压越严重。
所以请各位朋友不要再把掉压归罪到主板上，因为你的U不掉压的话等于主板没有遵循intel规范。
补充一下，这里的掉压是指主板设定供电电压与实际Vcc核心电压出现的偏差，
不是指CPU满载时Vcc的下降，不少朋友所谓掉压是这个意思，这个是intel规范使然，正常！
开启LLC后Vcc不会随Icc下降，此时CPU核心供电已经没有遵循intel的规范了，
开启LLC的目的是固定Vdrop，让Vdroop为零，请注意这一点区别！
LLC的原理其实就是动态补偿电路，再说白点就是CPU供电动态加压系统，
打开LLC后，待机满载主板都会加压，此时主板实际供电电压比intel规范都要高，
因为intel规范里待机电流功率比较小，Vcc不需要那么大，但是LLC强制把Vcc加上去了

2011.12.20补充：关于主板的CPU核心设定供电电压，一般有AUTO/Normal/具体数值三种选项，
AUTO-就是主板厂家根据具体情况，比如U的型号、VID、主频、外频，智能给你匹配的一个参数，
基于商业考虑一般都趋高，极不利于U的长治久安，超频状态下强烈不建议这个选项。
Normal-就是全套遵循Intel规范办事，完全按照上述负荷曲线供电，可以实现所有CPU节能措施。
具体数值-就是截取部分Intel规范，部分按照负荷曲线供电，但不如Normal节能。
判断依据就是看U的核心电流Icc和热功耗TDP，可以用everest这个软件来看
超频状态下，同主频/外频，同满载Vcc，同稳定程度的功率和电流排序：AUTO>具体数值>Normal
开启LLC实际就是在各个选项的基础上再进一步动态加压，破坏Intel的动态供电曲线。
因此关于核心电压的设置就有3个选项 X  开关LLC2个状态=6种搭配
具体数值这一项设为跟VID一样的情况下，JS这6种搭配都可以叫做是默电，这个水就深了，呵呵。
个人用everest5.0实测Normal+关闭LLC是最节能、最健康的搭配，当然也是最最考验体质的。
LLC是体质不行最最后才考虑的手段，即便相同Vcc，待机电流和功耗高了去了。
我的E8400（4G@500X8），Normal+关闭LLC，待机电流5.04A，功率5.4W，已稳定使用3年，供参考。

结论2：
intel并未规定CPU的核心电压Vcc绝对高低限而是一个动态范围，
但对核心电流Icc统一规定75A，因此决定CPU是否处于安全状态是看Icc核心电流，
满载超过75A，TDP功率超过65W无异就站在危险的边缘了。
个人建议满载Vcc在VID附近能够稳定就好，高于VID太多用寿命肯定会打折扣，
以E8400为例，以低于VID越多的Vcc稳4G说明体质越好，
而不是单纯的VID越低体质就好，这是一个很大的误区。
以我的经验VID越低，阻值越低，电流很容易彪上去，体质越差。
至于温度，intel仅关注顶盖表面中心温度Tc（见下图），
[attach]1017596[/attach]
高限随功率变化，因此核心温度仅具参考意义。

结论3：
Vpll：1.5V(+/-)5% Vtt：1.14V~1.26V
因U而异，我这颗PLL 1.5V超500外频足矣，VTT上500+外频在1.2~1.3V之间，
关于VTT国内外对于寿命及缩肛的讨论众多，XTREME有个VTT长期使用值调查，
多数骨灰玩家趋向于1.4~1.5之间，毕竟VTT过高体质缩肛是有实例存在的，安全第一啊
intel有个人写的关于GTL和PLL的文章里也提到intel桌面处理器VTT最高1.55V，
具体使用看各位的心理承受力了，超频有风险，下手请谨慎:lol:

主板供电篇
就简单说说一线的供电模组，华硕P5Q系列、技嘉的DS/UD系列、微星白金/钻石系列。

华硕P5Q系列-E的PWM是8相，不支持最新Intel VRD11.1，不能自动变相，
-D和玩家国度PWM同样是8相，不支持最新Intel VRD11.1，
PWM后面加个单刀双掷就虚拟成16相了，
同样不能自动变相，因为PWM芯片不支持，变不了相EPU就形同虚设了。
P5Q系列普遍掉压厉害，开启防掉压仍然掉，估计跟这颗PWM芯片有关。

技嘉DS/UD系列，基本跟华硕一样，PWM是6相，不过支持Intel VRD11.1，可自动变相，
高端的Extreme和DQ6，加双倍MOSFET和电感并联实现12相，这点跟华硕有点不一样。

微星的白金/钻石分别是5相和6相供电，PWM支持Intel VRD11.1，每相1颗DrMOS，
DrMOS是服务器应用范围的高效低耗开关电源器件，
它把2颗MOSEFT和驱动IC整合到一个芯片内，
经过优化处理，加快了响应时间，降低热损耗，使电源装换效率有较大的提高。

关于DrMOS的详细原理没用过微星只是知道个大概呵呵
但是微星8%的节能效率是摆在那里的这点说明一切：
（技嘉只有2%左右，华硕满载EPU不但不节能还多耗能）
[attach]1017597[/attach]

[attach]1017598[/attach]
关于技嘉的12相和华硕的16相其实就是6相和8相
微星技嘉的6相PWM都是Intersil的产品，支持VRD11.1最好的PWM，
这个系列有业界最好的低负荷转换效率以及自动变相功能。

华硕的8相PWM来路不明，以往的历史美国AD公司和台湾的Richtech都用过，
属于二流货，其在瞬态反应、动态补偿和能耗上的拙劣表现就说明了这一点。

两家只是通过不同的手段用更多电容电感分流了负荷而已，本质确实提高了供电能力，
当然12相和16相这种宣传手法属于仁者见仁智者见智，不予置评

主板选择篇
本来是重点，无奈怕掀起品牌口水战，就不得罪人作个好好先生算了。
注重实用选华硕、技嘉，要长期超全固铁感是基本盘，建议1K以上的板子，
玩极限DFI、映泰这些的P45都不错的啦，喜欢折腾的上，
没有得罪人吧。

内存篇
说到DD2内存，技术已经很成熟，我的观点：
不要盲目追求低电压、好时序，稳定高效能高容量才是王道。
很多号称5-5-5-15上1100+的其实都是硬上性能很差的 JS们都承认的
各位不要迷信什么5-5-5-15，真正最优时序的5-5-5-15才有意义
为什么？超到1100+都是DDR2的极限了，很多是以缩短寿命的代价硬上的，
这种情况下怎么可能有好时序、好性能？！

说到2G单条，很多人想求5-5-5-15的时序上1200YY，省省吧
这个要挑出来的难度比什么神条、黑黄马甲大太多了，
挑体质、颗粒，官方绝对比你我把握大，更能保证长期安全运行，
官挑是最放心最有技术说服力的，虽然价格不那么平易近人。

从各大厂的官网查只有芝奇有一对2GX2的9600对条，5-5-5-15，价格2000+
这对世界上最强悍的2GX2用的是PSC力晶颗粒消息来源于沧的拆MJ报告
官标2GX2的：镁光最高1066，OCZ最高1150（5-5-5-18），Hyperx最高1066，海盗最高1066
但是1GX2官标1200的：Hyperx有，OCZ有，芝奇有，海盗有，寨条更是多不胜数，
唯独D9的始作俑者镁光没有，有人会说镁光保守厚道，仔细想想，意味深长啊。

结论再明显不过：2GX2确实1066+都很难，上了也是官挑中的特挑，价格港港的。

继续聊聊颗粒，PCI在JS的有意引导下养成了D9强迫症，唯D9颗粒YY论比比皆是。
D9颗粒的通性就是吃电压，表现为对电压敏感，极限频率高但不够稳定，高压缩肛。
具体的，我感觉这个KST同门神条 VS D9 VS 尔必达的帖子很全面很有说服力

总而言之一个基本的准则：官标电压内超，缩肛就不好了。

P45平台OC极限篇
P45平台是775扣肉平台的收官作，注定也是经典的一代平台。
这个平台的OC极限遵循MB+U+Cooller+Ram的木桶法则，
而不是光是主板和处理器NB就行的，以空冷计基本可以分为以下几个层次：

第一个层次 4.0G冷又稳，500X8，属于基本盘，多数日常使用频率。
第二个层次 4.5G温温稳，500X9，属于及格，多数可以达到。
第三个层次 4.5G基本稳，600X7.5 属于优良，受制于内存半数以上达不到。
第四个层次 5.0G截张图，556X9 属于优秀，主要考验塔式热管换热器。
第五个层次 4.8G稳到爆，600X8 属于极品，这个参数对U和内存达到了相当的考验。

个人经验：
主频4.7G以上，主要考验散热器的散热效率，从4.7G到5.0G是个相当漫长痛苦的过程。
外频600以上，想稳定对内存的要求极为苛刻，我见过的600外频烧OR过MT的属于**麟角。

测试软件及买卖篇
测试软件作为验证系统及超频稳定性的工具肯定是必不可少的，
PCI比较流行的测小系统不外乎Pi/CPUZ/OR/Memtest/Everest，
具体用法及侧重相信大家都很熟悉了，这里要说的是PCI上少部分JS
的作弊手法，其实也很简单，我敢在这里说出来肯定会惹上不少麻烦。
举个简单的例子，一颗4G过不了OR的E8400，就有办法让它过，
甚至4.5G过OR都是有可能的，方法很简单：软拉外频，
一线品牌都有软**，这就有了钻空子的机会，
第一步先用默认333外频跑OR，稳得一踏糊涂
第二步等到时间够了，加压软拉到500外频，截屏完事
于是4G过OR N分钟的体质图就出炉了，想多久有多久

。

内存测Memtest依上法炮制，说出来吓各位一条吧。
小的以前在PCI卖场出自用U/Ram坚持用双OR体质图，
目的就是表明RP，但又不便点破少数人的做法，
因为双OR更为苛刻，没有那个体质你软拉上500立马报红，
但单OR再差也不会立马红掉，怎么也有个几秒时间截图，
所以出U的JS绝不会跑双OR给你看的，
双OR想照上法炮制过OR图的难度极大。

结论：
PCI上进行交易，测试软件这些东西都不是绝对的可靠，RP素王道。

以上有点帮助的话务必给顶下支持啊

作者: jayi 时间: 2009-3-28 22:54
晕，这么好的沙发没人做？

作者: zajara 时间: 2009-3-28 22:57
技术帖，一定要顶

作者: ultrakiller 时间: 2009-3-28 23:09
这贴怎么又重新开了，难道是gz新的所谓web券给逼得吗

作者: klinsmn 时间: 2009-3-28 23:14
标题: 浅析VTT与GTL调教
本帖最后由 klinsmn 于 2011-12-20 14:14 编辑

浅析VTT与GTL调教
前面提到了高VTT电压对CPU体质的不良影响，
多数主板放自动的话，VTT电压肯定超标得吓人的。
要用符合规范的VTT电压来保证高外频的稳定性就必须对GTL电压进行调教了。

VTT跟GTL电压的关系就好比仪表专业里的脉冲信号和回讯校验信号，
打个形象的比方：一个是业务员，一个是给业务员打考勤的（确认业务员哪天在哪天不在）。
放狗找到一个RECO上很好的帖子：VTT、GTL+Ref之探索，
有兴趣的可以仔细钻研一下，我基本也是看这个帖子慢慢有所认识的，
下面就简单把这个帖子里比较好懂的加上我的理解分享给大家，也在此感谢原作者gmx168

首先VTT就是一个脉冲电压，周期性的进行高低位的脉冲，高位为1低位为0。
理想和实际的VTT波形图是这样的：
[attach]1028102[/attach]
图上看得出一个高位加上一个低位就是前端总线的一个工作周期。

实际VTT由于供电质量在高位和低位都有一些震荡干扰，为了保证高位低位的可靠性，
就引入了一个GTL电压来进行高低位的校验：
[attach]1028103[/attach]
GTL电压是对VTT的高低位准确性和同步性进行校验的一个恒定电压。
VTT在GTL之上就认为VTT的高位脉冲有效，在之下就认为低位脉冲有效。
上图可以看出GTL在一定范围都可以准确的进行高低位校验，
但是实际操作中由于CPU供电质量对VTT的影响，这个范围是比较小的，
因此在一个VTT电压下找到红色范围里的GTL最佳值就是外频稳定的关键了。

国内OC一般理解高外频就要拉VTT电压，因为高外频脉冲的周期变短，
原有VTT电压下波峰偏窄偏矮，受制于电压发生的质量前后周期会相互干扰，
拉高VTT就可以拉高波谷减少前后周期的干扰，但同时会引入高位震荡。
根据VTT/GTL电路的设计思路来看，单纯用这种这种方式至少不是最好的办法：
[attach]1028104[/attach]
从上可以看出拉高VTT无疑会大幅增加在高低位的杂讯也就是震荡的幅度，
其直接结果就是大幅压缩有效GTL的范围，让GTL的设置范围更为苛刻。

结论就是：
VTT和GTL调教的基本理念就是尽可能低的VTT电压和有效范围里最佳的GTL值。

理论就介绍到这里，下面进入个人实作论证阶段。
各大厂的VTT/CPU GTL/NB GTL的叫法大同小异，调教的精细度以DFI最为优秀。
为什么？这就要从intel的设计规范讲起了，P45跟以前的设计一样公版设计是把
VTT跟CPU GTL进行捆绑设计的，同升同降，从上面的理论就可以看出这对OC显然是不利的。
三大一线的设计都是公版，VTT跟GTL都是同个电路，只有DFI是单独设计三个电路的。
所以DFI高外频的稳定性很强就是理所当然的事情了。不过用三大一线的也不要气馁，
虽然精准差一点，找个粗准还是没有问题的，一般日常用差距不大的，自我安慰一下

下面就技嘉DS/UD3系列的BIOS为例说哈实际调教的步骤（其他牌子大同小异）：
技嘉的VTT叫CPU Termination，CPU GTL叫CPU Ref，NB GTL（北桥GTL）叫MCH Ref，
三者手动控制技嘉是采用直接电压显示的方式，
不如其他牌子63/64/67比例显示来得直观，无所谓啦。

2011.12.20修改（很多朋友M我说实作部分的表达不是很清楚，特地梳理了一下）
以8400 500外频为例：
我这颗U在500外频下，BIOS里面VTT/CPU GTL/NB GTL三个都AUTO是肯定开不了机的，
也就是说超500外频，主板的智能调整并不适合我这颗U的体质，需要手动调整。
又因为前面说过Intel公版设计VTT跟CPU GTL是捆绑的，
所以三大厂公版设计主板的CPU GTL放自动就好，不然，呵呵
以下所有操作均保持CPU GTL自动，手动对VTT和NB GTL进行精度匹配。

前面图片表明NB GTL电压作为参考电压不需要高，而需要准！（准确对VTT的峰谷进行指示），
而Intel默认规范（主板BIOS的参考值）：VTT=1.2 NB GTL=0.76 ，
于是第一步采取NB GTL靠拢Intel规范值，而调整VTT来获取一个稳定匹配比例的思路
于是NB GTL手动设为0.758V，立马就可以开机了，此时VTT为初始值1.2V但是不稳+冷起不举，
继续升到1.22V稳定但仍冷起不举，继续到1.24V依然，拉到1.26V搞定。
第二步就是算出上面试验得出的VTT跟NB GTL稳定匹配比例：0.758/1.26=0.6015（此比例不可套用，因U而异）
VTT和NB GTL都为手动前提下，技嘉BIOS里VTT跟NB GTL建立联动，调整VTT即可，NB GTL会尽量保持这个比例进行联动，
此比例下VTT从1.1V到1.4V均很稳定（IBT 10圈），但是低于1.26V冷起不举，
这个原因跟技嘉的OC保护机制以及intel定义的VTT启动电压有关。
从这点看出技嘉的VTT电压由于供电比较到位稳定度还是过关的，联动机制也是很方便的。

VTT跟NB GTL的匹配比例找准以后，就可以进行最后的第三步：
VTT跟NB GTL同降，达到降低VTT电压满足Intel规范保护CPU的目的。
按照0.6015的比例，VTT降到1.20V NB GTL联动就降到0.72V，比例仍为0.72/1.2=0.6

最终调教下来的成果：
PLL=1.50V/VTT=1.20V（intel规范电压），
北桥核心电压MCH VCore=1.2V，因为内存异步1200加了0.1V
核心电压Vcc也可以在主板供电设为Normal关LLC情况下，满载1.184V(VID=1.25V）以稳定过IBT 10圈。
算很理想的啦！！！Normal+LLC关闭意义深远啊！！！！！！！！！！！
我的E8400（4G@500X8），Normal+关闭LLC，待机电流5.04A，功率5.4W，供参考。

再说哈GTL技嘉BIOS设置电压跟和ET6显示电压出入很大，建议以BIOS设置为准。

以上有点帮助的话务必给顶下支持啊

作者: 只会潜水 时间: 2009-3-28 23:19
活跃帮顶

作者: hazel2 时间: 2009-3-28 23:29
知识贴要支持的

作者: AlcatrazX 时间: 2009-3-28 23:40
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: xecon775 时间: 2009-3-28 23:41
不错，学习到了不少{handshake:]
楼主这姜够辣！

作者: alleve 时间: 2009-3-28 23:52
好贴,要顶.谢谢了

作者: 我是苹果人 时间: 2009-3-29 00:35
技术帖子
顶个

作者: popsos2000 时间: 2009-3-29 00:57
顶下技术贴！~

作者: thetrue2008 时间: 2009-3-29 01:04
我来学习一下，很好的内容，深夜来学完了{biggrin:]

作者: killua1109 时间: 2009-3-29 01:12
不错的技术贴～～很好虽然我用P5Q-D 看了后感觉心里有点不爽但是还是要顶顶

作者: 小內 时间: 2009-3-29 01:12
拜读！....

作者: 吃饭睡觉打东东 时间: 2009-3-29 01:30
好长呀～～先顶顶占个位

作者: girlboy911 时间: 2009-3-29 02:16
进来学习一下

作者: Readon 时间: 2009-3-29 02:24
学习了~~~~~

作者: wukefei1219 时间: 2009-3-29 09:26
看过的，温习一下也不错。

作者: gatorade 时间: 2009-3-29 09:34
很好的帖子，lz很用心啊！！

作者: x5x 时间: 2009-3-29 10:33
再次收藏~

作者: px002 时间: 2009-3-29 10:40
学习了。谢谢。。。

作者: 2601693 时间: 2009-3-29 11:05
好贴，顶一下

作者: sasan210 时间: 2009-3-29 11:39
学习了，，貌似是LZ血淋淋的教训？

作者: 柳鲲鹏 时间: 2009-3-29 12:24
赞成微星的供电最好，可惜太贵啦

作者: bigpao007 时间: 2009-3-29 12:41
问下LZ, 既然都用到采用PWM芯片的主板, 还在乎省电么??

只不支持 VRD 的最新规范和超频没直接关系的, VRD规范是 CPU供电的, 只影响是不是支持新CPU,

还有内存除了小参外还有个 command rate, 俗称 1 T 2T, 这个貌似也超级最要的吧, 起码比 4大小参里面最后一个要重要.

文章不错, 帮顶了

作者: keepwalking 时间: 2009-3-29 14:26
:w00t):很全面.重点在后面

作者: klinsmn 时间: 2009-3-29 14:43

问下LZ, 既然都用到采用PWM芯片的主板, 还在乎省电么??

只不支持 VRD 的最新规范和超频没直接关系的, VRD规范是 CPU供电的, 只影响是不是支持新CPU,

还有内存除了小参外还有个 command rate, 俗称 1 ...
bigpao007 发表于 2009-3-29 12:41

PWM芯片的主要作用就是将电源供电转换成多相进行CPU供电，省电的本质其实就是转换效率的高低
转换效率的高低直接决定了瞬态反应的水准，看看P5Q系列的耗电跟掉压你就会明白这一点
微星技嘉都可以让Vdroop为0，华硕的P5Q系列以及玩家系列都办不到，这就是瞬态补偿的水平差异了。

VRD11.1就是直接针对E0 45nm步进，不支持VRD11.1不能叫完美支持。

1T2T这个属于大参数吧呵呵

作者: potomac 时间: 2009-3-29 15:23
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: broken0sky 时间: 2009-3-29 15:47
快绝迹的技术贴呀~不顶不行呀

作者: 瞎猫 时间: 2009-3-29 15:50

PWM芯片的主要作用就是将电源供电转换成多相进行CPU供电，省电的本质其实就是转换效率的高低
转换效率的高低直接决定了瞬态反应的水准，看看P5Q系列的耗电跟掉压你就会明白这一点
微星技嘉都可以让Vdroop为0，华硕的P5Q系列以及玩家系列都办不到，这就是瞬态补偿的水平差异了。

VRD11.1就是直接针对E0 45nm步进，不支持VRD11.1不能叫完美支持。

1T2T这个属于大参数吧呵呵
klinsmn 发表于 2009-3-29 14:43

PWM是DC-DC电压调制的一种方式。
转换效率的高低通常和PWM芯片的控制方式和MOSFET及外围无源器件的性能参数有关，瞬态反应能力就是PWM芯片本身的控制能力了，我认为两者没有直接关系。
P5Q系列，P5Q和P5Q Pro是4相，其中P5Q Pro是双功率电感弄的假8相。P5Q-E是8相，方式是依靠一颗SPDT芯片快速切换输出的phase信号和反馈回来的FB信号。更高端的那些“16”相就再次重演了双功率电感的把戏。个人来说不是很喜欢ASUS的这种多相供电技术，首先正如LZ所说掉压厉害，同样的方式NV在680i SLI上也用过但显然就没那么烂。其次主控PWM芯片规格不明，不支持EVRD 11.1几乎是肯定的。

最后说一句，米国的ADI应该算是电源控制器里的一线厂商了，前年底把Power Management部门过继给了安森美。说ADI的芯片是二流货色我不敢苟同。

作者: klinsmn 时间: 2009-3-29 16:30

PWM是DC-DC电压调制的一种方式。
转换效率的高低通常和PWM芯片的控制方式和MOSFET及外围无源器件的性能参数有关，瞬态反应能力就是PWM芯片本身的控制能力了，我认为两者没有直接关系。
P5Q系列，P5Q和P5Q Pro是4相 ...
瞎猫发表于 2009-3-29 15:50

呵呵我说的是P5Q系列用的那颗8相PWM是二流货木有说AD的是阿
以往华硕多用richtech和AD的，还跟richtech因为PWM质量打过官司
一句话华硕在P5Q系列的PWM上确实偷工减料了

P45平台上为了对应E0 45nm的VRD11.1供电规范，
技嘉微星甚至一些通路都是intersil的6相或者4相PWM
这个对CPU供电的稳定性至关重要，
华硕直到用户致信问询P5Q系列对VRD11.1的支持与否才认账的

作者: royfun 时间: 2009-3-29 16:47
学习一下，不要酿成大祸~为了活跃度

作者: 瞎猫 时间: 2009-3-29 16:58
本帖最后由瞎猫于 2009-3-29 17:00 编辑

呵呵我说的是P5Q系列用的那颗8相PWM是二流货
klinsmn 发表于 2009-3-29 16:30

:sweatingbullets:
P5Q的PWM全都是4相的吧，8相信号是通过一颗SPDT电子开关切换来的。。。这种多相控制方式其实还是挺有创意的，只是可惜ASUS没调好。
不过ASUS用的SPDT电子开关也是tai巴子的东西，和NV的那套基于ADI的方案比至少理论参数要差一些。

作者: klinsmn 时间: 2009-3-29 20:54

:sweatingbullets:
P5Q的PWM全都是4相的吧，8相信号是通过一颗SPDT电子开关切换来的。。。这种多相控制方式其实还是挺有创意的，只是可惜ASUS没调好。
不过ASUS用的SPDT电子开关也是tai巴子的东西，和NV的那套基于 ...
瞎猫发表于 2009-3-29 16:58

P5Q全系列都是8相PWM，高端加个单刀双掷就是16相了，呵呵
虽然是8相，但系是比较请注意称呼用词。的8相，是不能自动变相的8相

作者: sonicxz 时间: 2009-3-29 21:06
很好的帖子，顶了，LZ

作者: sttn 时间: 2009-3-29 21:43
学习一下，不要酿成大祸~为了活跃度

作者: 侏罗纪跑步龙 时间: 2009-3-30 11:23
这篇文章不错，学习了

作者: xeon-pan 时间: 2009-3-30 11:32
很好的技术贴 lz很强大！

作者: jerry7547 时间: 2009-3-30 11:39
学到东西了,顶一下帖.

作者: boilsicewxp 时间: 2009-3-30 14:56
一定要正经的帮顶太有技术了

作者: zhangmeng 时间: 2009-3-30 14:59
技术贴,茫然

作者: 想吃猫的鱼 时间: 2009-3-30 15:19
进来学习的，支持lz的技术帖。

作者: findsin 时间: 2009-3-30 17:06
很好的技术贴～～～谢谢lz

作者: wy80828 时间: 2009-3-30 17:42
帮顶了！！！！！！

作者: zhang_fei 时间: 2009-3-30 18:28
学习了
{lol:]

作者: hongxu1600 时间: 2009-3-30 20:23
极品帖子学到不少东西

作者: wangzhao92 时间: 2009-3-30 20:37
好好学习,天天向上才是王道,这个贴一定要顶~~~谢放楼主分享

作者: djy128 时间: 2009-3-30 20:59
本帖最后由 djy128 于 2009-3-30 21:00 编辑

我的微星P45D3白金超E5200到4G(333*12)要1.3V, 而在ASUS P5K-P的板上只要1.23V，微星的板实在不怎么样

作者: 万里乌云 时间: 2009-3-30 21:44
学习了回头研究下

作者: linkpark 时间: 2009-3-30 22:30
学习道很多知识

作者: 1003636 时间: 2009-3-30 22:38
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: azureelfwang 时间: 2009-3-30 22:41
最后一段受益匪浅啊……感谢楼主分享

作者: klinsmn 时间: 2009-3-31 19:17
谢谢给位兄弟帮顶更新极限篇

作者: wtuwly2009 时间: 2009-3-31 20:32
学习到了～～～长见识

作者: liling99 时间: 2009-3-31 21:02
强贴顶一下，学习了。

作者: johngoo 时间: 2009-3-31 21:09
貌似这里很久没有这样的帖子了，学习

作者: babyblin 时间: 2009-3-31 21:21
不错!技术贴!

作者: eltonchen 时间: 2009-3-31 21:53
技术贴，虽然我用不到，但是还是要顶一下

作者: tanleiqu 时间: 2009-4-1 04:14
我来被扫..

作者: benbenboom 时间: 2009-4-1 06:56
难得的技术帖子，一定要顶，死里顶

作者: 云峰看海 时间: 2009-4-1 08:42
RP素王道

作者: cgcxl 时间: 2009-4-1 09:08
难得的技术帖子，一定要顶，死里顶

作者: wuqinchang 时间: 2009-4-2 07:22
RP素王道

作者: Ninja_y 时间: 2009-4-2 10:48
这贴敢情好,要顶!

作者: jikke 时间: 2009-4-2 12:36
微星好像超频总不怎么灵光啊，起码比不了技嘉

作者: bennysx 时间: 2009-4-2 13:03
好贴收藏~

作者: leangelle 时间: 2009-4-2 13:12
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: wha2008 时间: 2009-4-2 19:18
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: klinsmn 时间: 2009-4-3 09:58

微星好像超频总不怎么灵光啊，起码比不了技嘉
jikke 发表于 2009-4-2 12:36

微星在P45时代突然萎了下去有点意外

作者: dxbbc 时间: 2009-4-3 09:59
非常好~~~~~~~~~~

作者: tongzhenyu 时间: 2009-4-3 11:51
顶LZ一个，好贴

作者: 鱼夫君 时间: 2009-4-3 13:25
顶~几号给！这个帖子舒服！

作者: voodoohoho 时间: 2009-4-3 13:39
这样的好帖子不顶不对主LZ

作者: sunboy77_2000 时间: 2009-4-3 15:39
谢谢，不错的文章！

作者: max3396 时间: 2009-4-3 15:46
技术贴要好好学习~

作者: calvinlu 时间: 2009-4-3 16:52
技术帖，一定要顶

作者: warriorl 时间: 2009-4-3 18:14
技术贴一定要顶～

作者: 云之光 时间: 2009-4-3 18:15
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: wuqinchang 时间: 2009-4-3 18:31
我来学习一下

作者: 柳鲲鹏 时间: 2009-4-3 18:51
原来电压低并不一定好啊，温度低才是真正的好

作者: tonymomo 时间: 2009-4-3 19:50
学习学习。。。可是msi不好超啊

作者: xoo 时间: 2009-4-4 09:57
路过帮顶一下

作者: missingcq 时间: 2009-4-4 10:53
本帖最后由 missingcq 于 2009-4-4 11:15 编辑

写得不错，赞一个！
特别是对于技术规范的分析，确实很详细

另外，我觉得既然标题叫“P45极限篇”，还是应该多注意下I45和DFI P45
目前极限用得最多的应该是这两块板子，一块是冲主频、FSB标配；一块基本上垄断Super_Pi 1m
个人看法....呵呵

作者: loveyz 时间: 2009-4-4 11:12
不错学习了

作者: gdanmac 时间: 2009-4-4 14:08
顶 ,技术贴~~~~~~~~~~

作者: klinsmn 时间: 2009-4-4 18:42

写得不错，赞一个！
特别是对于技术规范的分析，确实很详细

另外，我觉得既然标题叫“P45极限篇”，还是应该多注意下I45和DFI P45
目前极限用得最多的应该是这两块板子，一块是冲主频、FSB标配；一块基本上垄断 ...
missingcq 发表于 2009-4-4 10:53

极限篇只是更新的一个板块本来就是就P45平台而言
也不大好落在具体哪块板子上

作者: tonysa 时间: 2009-4-4 22:17
最后一点很教育人.感动,还好从来不信JS的OR图

作者: mbcsoojin 时间: 2009-4-4 22:21
这帖学习了很多啊，我去调试了下安心多了

作者: darkjamesz 时间: 2009-4-5 08:28
学习到了，非常感谢

作者: yybkill 时间: 2009-4-5 13:37
这个贴应该是针对E84系列的U，对于4核CPU应该继续补充些CPU GTL的资料

作者: ChrisVinyard 时间: 2009-4-5 13:48
看到了~~受教了~~~~里面有些知识在研究MSI P35的时候已经在coolaler上恶补过了~~~大大又给了很多新的信息~~~~~感谢感谢~~~~~~~~~

作者: hyjpanda 时间: 2009-4-5 19:33
顶技术帖

作者: filco 时间: 2009-4-7 08:35
顶下技术贴！~

作者: zacard 时间: 2009-4-7 08:45
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: egaozhi 时间: 2009-4-7 09:11
进来学习一下！

作者: hcy1634 时间: 2009-4-7 10:11
好帖，值得收藏

作者: mingcs45 时间: 2009-4-8 02:22

楼主的强贴，顶上去！

作者: kadorre 时间: 2009-4-8 15:02
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: blueskinrat 时间: 2009-4-8 16:11
先做个标记，回头来认真学习学习，昨天自己瞎鼓捣超了一下Q6600，今天好好学习一下，看能超到多少。

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