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E8400 E0 P35-NEO2-FR PCB1.2 BIOS 1B1 DELL双激活 超频的问题
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作者:
zmw_831110
时间:
2009-4-28 09:59
标题:
E8400 E0 P35-NEO2-FR PCB1.2 BIOS 1B1 DELL双激活 超频的问题
本帖最后由 zmw_831110 于 2009-4-28 10:09 编辑
+ H* `" f! D( u
! t$ U3 \$ G5 A9 _
WIN XP SP3 MSDN
0 B W" _' J0 }7 F
催化剂9.4
% E( b0 l) Z ^" v( _
E8400 E0 体质1.26V 4G 过 OR 30分钟
( o5 S/ @/ Q* I+ c% g
P35-NEO2-FR PCB1.2
, |# D# n; B2 p/ T H0 x
ASINT 2GB DDR800 *2 (4-4-4-12 1.9V)(异步1.8V就可以稳定,同步需1.9V)
4 ?, N) B* l4 M
WD 640 AAKS(开启NCQ)
" ]. c# ~, W/ ^4 y& h6 t$ `
HD4850赵云
' A" j' V, B8 c* Q+ W4 S0 i7 V
VX450
) B# q+ q+ q$ \# }7 `8 d, A# j0 s% G
8 x8 V& W3 n4 Z( N! X: _
) }5 G$ u J. x9 f" ?2 O
之前用的是tw官网最新的1.10(VID认对,1.25V)
( Z0 L/ u T( a i* i5 q- Y$ V
开启EIST需要1.275V(BIOS设置)才可以稳定 400*9
4 x, l, [3 B( T1 ~7 b% {& V
玩GTA4没问题,很稳定
. ~, X1 L7 q! q, H# Z% f
M0 ~: ~) X3 r; H" P
现在用1.11B1(1B1)BIOS(VID认错,1.10V)
& H% A; ~8 Q/ }( J8 v% }% g; S
关闭EIST只需要1.2V就可以 过 10次 IBT 过OR 400*9
+ P9 c" R5 G8 Z* }% l: m* b+ Y2 E
$ t" s# l, O; n, | O
但是玩GTA4会有卡帧的情况,就是动作断断续续的,在加电压到1.275V,问题仍然存在,只是没之前那么厉害
, V8 c; b9 c( `% { ^' f
==================
% m7 V' ^: k/ r
有没有同样用E8400 E0 P35-NEO2-FR BIOS 1B1 DELL双激活的朋友,进来说说呢
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