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标题: 关于RV740的40nm工艺…… [打印本页]

作者: shu0202 时间: 2009-5-7 00:32
标题: 关于RV740的40nm工艺……
   首先无论从哪个角度讲都不存在20%良率的情况。因为只有当初GT200级别的GPU切割才接近这一数字，那是发烧级，可以接受这样的报废率。对于100$美元市场来说，最多30$的芯片成本是无法在20%的良率下投产的。和55nm工艺RV770相比较来推算，RV740必须维持最低40%的良率才有经济性。这是按100$美元划线考虑，目前网购RV740最低报价已经降至89$，并且AMD并没有要延长RV770生命的意思，因此所谓RV740在40nm工艺上“相当糟糕”的说法是言过其实的。
   关于TSMC的40nm制程遇到困难从去年10月份就有这样的说法，但是从RV740来看，量产进度并未受到严重影响，可以说相当顺利。符合TSMC公开说明的“许多问题已经解决和正在解决”的说法。RV740工艺上面的问题并未影响RV740的设计目标和推出时间，相比于NV推出55nm产品的迟缓和40nm量产的遥遥无期，对RV740的攻击显然缺乏令人信服的力量。
   另外，RV740的后续产品的工艺设计已经基本就绪，这也说明当初困扰40nm工艺的关键性问题如今已不再构成障碍，NV和AMD的下一代产品不在一条起跑线上。如果谈障碍的话，NV恐怕更头疼，GT300的设计相当复杂，工艺问题敏感度更高。按照40%比例的下一代主流设计遥遥无期。RV870可能会在他的“黄金岁月”中没有对手……

作者: inmark 时间: 2009-5-7 00:55
这个解释还是比较合理的

作者: htt123 时间: 2009-5-7 00:59
有理有利有节

作者: tough 时间: 2009-5-7 02:13
从成本角度解释。。支持一把

作者: HilaryDuff 时间: 2009-5-7 02:32
估计某帮主又要来反驳了

作者: Asuka 时间: 2009-5-7 02:39

首先无论从哪个角度讲都不存在20%良率的情况。因为只有当初GT200级别的GPU切割才接近这一数字，那是发烧级，可以接受这样的报废率。对于100$美元市场来说，最多30$的芯片成本是无法在20%的良率下投产的。和55n ...
shu0202 发表于 2009-5-7 00:32

你连AMD和TSMC之间的芯片供应协议基本内容都没搞清楚是啥，谈什么良率呢

作者: Asuka 时间: 2009-5-7 02:40

估计某帮主又要来反驳了
HilaryDuff 发表于 2009-5-7 02:32

我们鼓励所有会员踊跃发言，但是楼主说的就没有一条是正确的，我只能说他发表自己观点的勇气可嘉

作者: 恶咪猫 时间: 2009-5-7 02:45
感觉大家就从了版主吧

人家够辛苦的

就是要说明良率不高

这又有什么不可以呢

虽然大家都不赞同

但也没必要表达的如此直白啊

作者: Asuka 时间: 2009-5-7 02:53

感觉大家就从了版主吧

人家够辛苦的

就是要说明良率不高

这又有什么不可以呢

虽然大家都不赞同

但也没必要表达的如此直白啊
恶咪猫发表于 2009-5-7 02:45

你这种回复毫无意义，良率不是你我能决定的，也不是“版主认为”或者“大家都不赞同”能改变的，它是一个客观存在的事实

一群连RTA是什么都不知道的噴子，大概良率两个字只能通过他们的脑内补完来确定吧

作者: Asuka 时间: 2009-5-7 03:37
本帖最后由 Asuka 于 2009-5-7 03:40 编辑

睡觉前还有一点点时间，仔细回复下这个帖子吧，不然我也和那几个噴完就走一击脱离的噴子没区别了（笑

首先无论从哪个角度讲都不存在20%良率的情况。shu0202 发表于 2009-5-7 00:32

呃，怎么说呢，对于你开头这句的语气，我只能表示遗憾。这句话表现出了楼主的傲慢与偏见，尤其面对是一个对自己来说还很陌生的领域。对于这句话我还是PASS不回复

因为只有当初GT200级别的GPU切割才接近20%这一数字，那是发烧级，可以接受这样的报废率。对于100$美元市场来说，最多30$的芯片成本是无法在20%的良率下投产的。和55nm工艺RV770相比较来推算，RV740必须维持最低40%的良率才有经济性。这是按100$美元划线考虑，目前网购RV740最低报价已经降至89$，并且AMD并没有要延长RV770生命的意思，因此所谓RV740在40nm工艺上“相当糟糕”的说法是言过其实的。
shu0202 发表于 2009-5-7 00:32

“因为RV740低良率带来的成本不可接受，所以RV740不可能低成本”你这种以结论推导论据的逻辑是典型的错误逻辑。如果我告诉你你的所有的推断都是基于错误的理解之上呢？呵呵

如果要了解RV740良率和成本之间的关系，首先，请您弄明白AMD和NV在TSMC下单的策略之间的区别。

简单的说，AMD是买chip，NV是买wafer。

也就是说，根据AMD和TSMC之间的协议，chip数量一定的情况下，AMD要给的费用是一次性付清的。这个协议对于TSMC来说，良率高，就猛赚，良率低，就亏；对于AMD来说，良率影响的只是时间成本，因为供货可能会有缺口，而良率是没有成本可言的，你TSMC良率高赚了和我无关，良率低赔了也不要找我；这种类型的协议中，风险和利润是呈正比的。

而NV就是直接买wafer，良率高低直接决定了一个wafer上能切割出的芯片数量，和成本有直接关系。

双方的协议不同，和它们的经验、公司运营策略有直接的关系。如果你比较关注最近几年的GPU玩家市场调查情况，就会发现从ATi到AMD-ATi，红色阵营一直扮演的是追随者的角色，ATi选择这种冒险而激进的策略，能赋予更多超越对手的机会，相当于一定程度的赌博，从R420的low-k，到R520的130nm锗区域精炼，到R600抢先上65nm制程，再到RV670抢先使用55nm制程，不管成功与否，AMD-ATi都在持续着这种策略。很明显RV670就是赌博的赢家，只是应为它本身的硬件设计实在不出彩，才让RV770大放光彩，而实际上RV770只是继承了RV670在制程方面的遗产而已。赌博当然也有失败的时候，典型例子就是R520和R600，这两款产品相比预订的周期都大大的delay了。

从NV方面来说，因为扮演的是领跑者的角色（虽然曾经数次被追上过），因此它在工艺制程的选择方面就比较从容。从N40、G80、G92、GT200来说，NV在线宽方面的冒险一直都比对手慢半拍。唯一的例外就是R300刺激下的NV30，NV和ATI的角色在当时调换过来了——NV成了追赶者，因此它不惜一切代价要超过对手，结果大家都看到了——NV30成了TSMC 130nm工艺试水的牺牲品。经过这次教训后，NV在工艺制程尤其是线宽的缩减方面一直很保守。

   关于TSMC的40nm制程遇到困难从去年10月份就有这样的说法，但是从RV740来看，量产进度并未受到严重影响，可以说相当顺利。符合TSMC公开说明的“许多问题已经解决和正在解决”的说法。RV740工艺上面的问题并未影响RV740的设计目标和推出时间，相比于NV推出55nm产品的迟缓和40nm量产的遥遥无期，对RV740的攻击显然缺乏令人信服的力量。
   另外，RV740的后续产品的工艺设计已经基本就绪，这也说明当初困扰40nm工艺的关键性问题如今已不再构成障碍，NV和AMD的下一代产品不在一条起跑线上。如果谈障碍的话，NV恐怕更头疼，GT300的设计相当复杂，工艺问题敏感度更高。按照40%比例的下一代主流设计遥遥无期。RV870可能会在他的“黄金岁月”中没有对手……

shu0202 发表于 2009-5-7 00:32

对于这段发言，我也不知道说什么好。“量产进度未收严重影响、可以说相当顺利” OMG你知道你在说的东西是什么意思么？ TSMC工艺层面上的问题没有明显影响到RV740的出货时间？您可以去找一份08Q4 ATi给AIB们的roadmap，这在现在来说也不算什么保密的东西，看看上面对RV740是如何乐观的描述的，预计4月份又将达到一个什么样的目标。

当然，即使良率低下，只要不达到0，TSMC拼命的补wafer，协议中给定的供货周期还是不会拖拉太久的——虽然从AMD之前的roadmap来看已经拖得够久了。而且AMD也不会担心有物理成本上的损失。不过显然从目前的状况来看，40nm工艺根本不足以担负起你所说的“工艺设计已经基本就绪”的RV740的后继产品。因为TSMC不解决问题，而AMD要强上的话，工艺的报价会变得非常可怕——TSMC显然不是傻子。

关于你对GT200next和RV870的言论，因为属于你个人的臆测，我就不多评价了，我只能告诉你，到时候你自然会知道它们是什么样子。而你用这种臆测来作为论据的一部分显然是站不住脚的。

另外，关于TSMC 40nm工艺制程面临的问题，这里再简单说明一下。

所有的半代工艺（130-->110、90-->80、65-->55、45-->40）都有一个通病：离子注入后晶圆清洗带来的材料和掺杂剂损失。

对于TSMC 40nm制程目前的状况来说，实际上光刻本身没有问题，掺杂也没有，沉积也没有，这些东西单拿出来都没有问题。但是因为半代工艺本身的通病，在经过一定次数的高剂量离子注入光阻层的清洗步骤后，采用SiGe的PMOS区域很难保持超浅结（USJ）的完整性，尤其是采用与45nm相同步骤的RTA以及其后的CMP之后这种效应更加明显。到目前为止，这种现象的成因不明，因此TSMC只能选择暂时放弃通过RTA来修复沟槽。

简单的说，就是良率会极低。

作者: Asuka 时间: 2009-5-7 03:43
最后，为了防止盗墓派的噴子，特此说明一下：本人的上述言论只针对TSMC在2009年Q1和Q2在工艺方面面临的意外困境，对于之后的发展，概不负责。

作者: nottold 时间: 2009-5-7 03:55
哪一代的工艺改进没有被攻击的?可是最后还不是一样大量产了............

作者: justwater 时间: 2009-5-7 07:20
这样来说，难道nv当年的nv30 又要重演了，ati难道又会重现r300时代的高潮么？

作者: tomsmith123 时间: 2009-5-7 07:56
1# shu0202
有一点需要补充，40nm 现在还是问题很多的，但是问题是什么程度的，能不能放下不解决，绕过去或者跳过去，这很重要。
其实制程来说，一直在进步，但是针对一个芯片，怎么做，必须比较早的凝固，比如RV740，现在市场上见到的，应该是2月之前凝固的做法，而逐渐会有改进工艺的产品上市。
工程上不会说把所有问题都解决才转入批量生产，那样是愚蠢的，甚至不客气地说，不可能有没有问题的工程，只是看如何折衷，如何取舍，等技术进步解决所有问题，是愚蠢而幼稚的。

作者: cinlo 时间: 2009-5-7 09:00

我们鼓励所有会员踊跃发言，但是楼主说的就没有一条是正确的，我只能说他发表自己观点的勇气可嘉
Asuka 发表于 2009-5-7 02:40

我知道楼主说的有一条至少是正确的:"目前网购RV740最低报价已经降至89$"

作者: hansomehy 时间: 2009-5-7 09:32
我倒是觉得，时间成本不适用于740，因为还有不少770呢。。。就算良率不高，可现在的主力还是770，不影响销售。反而卖贵点可以多赚点。
AMD又TMD亏了，就多赚点吧。。。

作者: lightingmouse 时间: 2009-5-7 09:37
良率什么的根本不需要消费者来关心。。。现在大家需要知道的是什么时候800SP4830清完、4770在中国正式上市，如果LZ或者A版能搞到确切时间才是真正对大家有利的

听说RV ？70挺保守的~ 不过难说里面藏了什么秘密东东哦呵呵呵呵~

作者: goyukai 时间: 2009-5-7 09:37
希望AMD争气啊，NV也不要一蹶不振，竞争才有益。

就这两年来大家不论A、N都从AMD的反击中获取好处了

作者: zanelu 时间: 2009-5-7 11:01

希望AMD争气啊，NV也不要一蹶不振，竞争才有益。

就这两年来大家不论A、N都从AMD的反击中获取好处了
goyukai 发表于 2009-5-7 09:37

同意这个观点

作者: asd1508 时间: 2009-5-7 11:13
NV的保守式因为他追求稳定，AMD-ATI比较激进，但问题出在这种赌博心理上，由于赌博造成根基不稳定，从而影响到可持续发展性。

作者: gz_easy 时间: 2009-5-7 11:21
LZ的最后一段令人遥想到与R300和NV30何其相似。

作者: loki 时间: 2009-5-7 11:24
AMD不赌博也得行啊,毕竟实力和金上落后太多,而且现在也不是划时代的变革,暂时不会有当年NV赌博赢3dfx的机会了

作者: 草食者 时间: 2009-5-7 11:26
期待RV740

作者: pharaohs1024 时间: 2009-5-7 11:28
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作者: temp444 时间: 2009-5-7 11:30
A饭和N饭之争，有点象选举，双方都在摇旗呐喊，比的是士气。人气、士气高了，或能影响人们的购买意向。

咱们不上当，谁的东西好，就买谁的，其它的不管！

作者: inmark 时间: 2009-5-7 11:48

你连AMD和TSMC之间的芯片供应协议基本内容都没搞清楚是啥，谈什么良率呢
Asuka 发表于 2009-5-7 02:39

请问A版这协议基本内容

作者: pharaohs1024 时间: 2009-5-7 11:57
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作者: pharaohs1024 时间: 2009-5-7 11:58
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作者: tomsmith123 时间: 2009-5-7 12:21
11# Asuka

对于新制程，20% 已经是可以接受的良率，这个良率意味着不存在重大的技术障碍。
就RTA 而言，影响局部的清洁度很严重，比如在Si 工艺中，金属杂质的含量影响可能超过一个到两个数量级，局部杂质超标会如何呢？漏电大，特别是高频率情况下，漏电会无法控制，当然，频率也上不去。
目前的情况是，RV740 可能良率不理想，但是频率已经飙上来了，功耗不如预期乐观，但是仍然也是一个不错的结果，RTA 这个问题，应该已经解决，而不是不做了。
从过程上看，RTA 问题，在RV740 第一批流片的时候应该是个问题，目前进入量产，如果仍然存在，只能说量产是失败的，而不是目前的情况。
另外，AMD 后端也参与了40nm 的工作，基本满意吧，TSMC 的40nm 其他客户比如Altera 相对比较满意。

作者: shu0202 时间: 2009-5-7 14:08
本帖最后由 shu0202 于 2009-5-8 21:37 编辑

11# Asuka
抽空回复你巧言令色的说辞：
一、AMD、NV和TSMC的合作方式不同，但是并不是说AMD就能够对TSMC的问题漠不关心。AMD必须考虑TSMC所能够提供的工艺水准的现实性而不是一味强求杀鸡取卵；TSMC也没有义务为了成就AMD而使自己蒙受重大损【请注意用词】知不能实现量产目标的话AMD必然要选择适当延期然后逐步解决问题的方式，TSMC也完全能够提出延期的要求而不是必须报废大量晶圆。而且延期的情况又不是没有出现过。目前HD4770能够正常买到，国外各家品牌的产品都已摆上货架，不存在有价无货的情况，并且价格战已经展开，显然在成本和生产数量上AMD和TSMC都能接受。你的说法根本就是耸人听闻。
二、HD4770的正常上市同时证明工艺上不存在难以逾越的障碍。照你夸大其词的说法HD4770只能是火星生产的，因为40nm工艺由于关键环节存在严重问题而不能使用。而实际情况是HD4770在频率和性能上都实现了AMD预期目标，功耗上面也没有成为什么问题，这说明TSMC的40nm工艺稳定性不错，不存在什么工艺质量无法控制的情况。
三、你的什么“内部人士”云云能比TSMC公开正式的声明更权威恐怕没什么说服力，你所说的TSMC领导层说谎也只是你个人立场，TSMC的所谓“匿名员工”出卖内部情报来让你诋毁TSMC的工艺你不觉得荒唐到了极点？他拿什么来证明他帮助你揭露TSMC领导层公开声明的骗局来坚持新闻的正义性？所以你耸人听闻的言论甚至还不如我基于RV740正常上市的事实的推论更可靠，虽然你试图用欺骗外行的“专业术语”来装点你的谰言。

作者: MAGICWIN 时间: 2009-5-7 16:13
其实4770的公版一开始设计的那么豪华就是针对初期制程上遇到的问题吧，经过延期后新一批4770芯片要求不那么高了但是公版PCB又定做了不少，就只好在上面省点料了

作者: mooncocoon 时间: 2009-5-7 17:46

11# Asuka

对于新制程，20% 已经是可以接受的良率，这个良率意味着不存在重大的技术障碍。
就RTA 而言，影响局部的清洁度很严重，比如在Si 工艺中，金属杂质的含量影响可能超过一个到两个数量级，局部杂质超标 ...
tomsmith123 发表于 2009-5-7 12:21

RTA跟所謂的局部清潔度沒有聯繫

如果一定要說什麽雜質的問題的話，極端快速熱退火會在基體內產生空位的表面反向擴散，顯著抑制渗透扩散作用，從而導致摻雜進行的不順利，但這通常不會導致wafer表面的所謂金屬雜質堆積，更何況TSMC並未掌握任何實質相關的金屬擴散工藝

RTA的作用在於通過退火過程調節介面和溝道應力，同時通過瞬間的動態再結晶來修復S/D延伸中形成的損傷曾，但這一切都是建立在清洗完全同時沒有有害擴散和表面缺陷的前提下的，如果清洗導致MOS位上出現缺陷，那麼RTA過程會將基體內的空位大量擴散到這部份缺陷周圍并形成塞集，然後結局就只有整個基體順著被塞集放大的缺陷出現崩毀或者破損了。基本上，這就是目前的狀態下必須放棄RTA的原因
至於CMP，問題會稍微複雜些，遠沒有RTA這麼單純，所以暫且先不詳述了

作者: zhangcloud 时间: 2009-5-7 17:47
期待RV740

作者: sleepyboy 时间: 2009-5-7 18:27
普通消费者谁在意良率不良率的。只要知道价格和性能就可以了（做工等另说）
现在740性能不错，超频挺好，功耗较低。样子难看。价格便宜。
知道这些就足够了。

作者: sleepyboy 时间: 2009-5-7 18:28
当然ATI为了清仓4830没让740在大陆出货让人气愤~

作者: tomsmith123 时间: 2009-5-7 18:35
39# mooncocoon
我理解的RTA 是，Rapid Thermal Annealing，不知道是不是有误会。
从我的印象里面RTA 对于Si 工艺的金属杂质，如铁的影响很大，有实验表明基本差距在1，2个数量级，联系到40nm的漏电传说，想到可能是RTA 相关的问题。

作者: fuxingchina 时间: 2009-5-7 18:43
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作者: w2inn 时间: 2009-5-7 19:09
只要AMD敢卖低价，偶就敢买

作者: jack099 时间: 2009-5-7 19:58
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作者: fevaoctwh 时间: 2009-5-7 20:43
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作者: mooncocoon 时间: 2009-5-7 21:49

39# mooncocoon
我理解的RTA 是，Rapid Thermal Annealing，不知道是不是有误会。
从我的印象里面RTA 对于Si 工艺的金属杂质，如铁的影响很大，有实验表明基本差距在1，2个数量级，联系到40nm的漏电传说，想到可 ...
tomsmith123 发表于 2009-5-7 18:35

極端快速熱退火確實是Rapid Thermal Annealing，你沒有記錯
但是在作用方面，你記錯的不是一星半點。而且漏電本身與所謂的金屬雜質也沒有一點聯繫。不管是亞閥隧穿還是感生，這些漏電統統與所謂的金屬雜質沒有一點聯繫。
另外，相對於柵氧層減薄50%之後導致的12至13個數量級的漏電量增加，你記憶中的1.2個數量級根本就不能算是影響，更無從談起會快速放大下游效應了

作者: 奶牛老仙 时间: 2009-5-7 22:31
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作者: westlee 时间: 2009-5-8 11:46
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作者: RV890 时间: 2009-5-8 19:08
投票机最近涨价了，怎么办啊，我还想给RV740多投几个反对票呢。

作者: sonic2008 时间: 2009-5-8 21:01
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作者: mooncocoon 时间: 2009-5-8 21:29

良率不高是和RTA条件不当和次生关联效应有关的，在现代工艺中完全不用RTA是不可能的，这是常识，正如你上面所引述的，RTA除了能激活注入掺杂，还能实现低阻Si金属化，调节S/D-ext浅结界面, 修复缺陷损伤，以及改变沟 ...
AN_Fusion 发表于 2009-5-8 13:13

既然你也知道RTA具有很多作用，那也应该知道RTA对于浅节外延的缺陷度有极端严格的要求才对～至于晶化，那可不是RTA而是PRPTA的工作。
没错，RTA的作用是很多，但并不能胡用瞎用，三温期的时间和温度的细微都会导致不同的输出结果。另外，RTA可不是激活扩散掺杂，因为RTA导致的空位向基体表面的反向快速扩散，基体内浅层的缺陷密度会大幅降低，扩散过程会在开始阶段因为扩散动力的急剧下降而停滞，也正是因为RTA对扩散的抑制作用，如果没有掌握好闪光退火以及双退火联合的次数，顺序，时间及温度等环节，仓促并且盲目的直接使用RTA纯属自杀的行为，这才是常识。

作者: shu0202 时间: 2009-5-8 21:41
56# mooncocoon
我对工艺这方面的问题不懂，我只想问：RTA并不是在40nm工艺中能用不能用的问题，而是怎样合理使用的问题，是不是这样？

作者: mooncocoon 时间: 2009-5-8 21:51
57# shu0202
首先，并不是任何40nm工艺都不能用RTA，但也不是所有40nm工艺都能没有限制的直接使用RTA的。
另外，相对于RTA来说，CMP的问题要致命的多

作者: ak75 时间: 2009-5-8 22:09

撇开a版提及的那么多深奥专业词不谈，楼主的分析是很有逻辑而且通俗易懂的。

当然NV在制程上的保守可能可以解释现在的情况，但不代表以后他的优势可以继续保持，就现有的架构来看。

740试水的成分更大，目标应该是为870做准备，问题是有，但40 nm估计正在逐渐改善。

策略很简单，就是为870铺路，在下一代成熟运用40nm.这样的话制程差距就拉大了，这个对NV很不利。关键是，就算AMD 40nm不行，NV这边有什么可以拿出来完成下一代任务的方案？继续55nM?NV的设计应该能保证55nm下，下代卡的成功，关键就看功耗了

作者: chinahacker 时间: 2009-5-9 09:11
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作者: DrewGooden 时间: 2009-5-9 09:23
卖Chip还是卖Die是商业上的秘密，不知道版主是如何得知的。。。

作者: aylwyn 时间: 2009-5-9 10:22
永远BS NV这么多的马甲！

作者: mooncocoon 时间: 2009-5-9 14:14
60# AN_Fusion
你。。。真的知道你以及我在说什么么，我什么时候跟你说的是一回事了。。。
至于所谓的堆砌名词，恕我无能以及教育的失败，我7年的材料学及冶金物理化学学习过程没接触到用大白话解释反应过程与问题的部分，在您面前我承认才疏学浅，我错了，接下来9月份开始的6年的学习过程中我会加倍努力的～
好吧，其实这个故事告诉我们，我跑来回帖纯粹是吃咸了。。。

作者: 老是忘密码 时间: 2009-5-9 14:21
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作者: fjy248 时间: 2009-5-9 15:48
做版主做到某A那样确实难得，在此佩服一下。

作者: lswq1978 时间: 2009-5-9 16:03
管他良品多少，只要市场有卖，我能买的起就行！

作者: westlee 时间: 2009-5-9 16:22
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作者: tomsmith123 时间: 2009-5-9 17:05
60# AN_Fusion
我和IC 最接近的是做过半年的前端，总体上，我还是做系统结构的，所以后端和工艺一般是接受教育的。
其实很多时候，只能从侧面了解一点leaked 信息，然后猜想，本身我们接触的就不一定是事实，再加以猜想就更难说了。

作者: tomsmith123 时间: 2009-5-9 19:35
71# AN_Fusion
算不上小伙了，人到中年了，在这里不很某种水产。

作者: mooncocoon 时间: 2009-5-9 20:53
我一直不知道如何跟不知道自己在说什么的人沟通。。。
好吧～小伙我只好像往常一样躲到一边去了～您继续吧～

其实我也有错，我为啥总能遇到无知的气球呢。。。

作者: panjanstoneborg 时间: 2009-5-9 23:53
其实对我这样想学习的小白来说,mooncocoon等牛人,你们还是多说说话吧
其实叫cho把这类帖子移到上面那个区，喷子可能会收敛一些吧，不懂可不可以

作者: 长风 时间: 2009-5-22 11:30
这种帖子应该继续，还没结论呢，感觉继续的话会有很多料哦。

顶！

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