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标题: TSMC 40nm制程状况逐渐改善 [打印本页]

作者: Asuka 时间: 2009-6-27 00:41
标题: TSMC 40nm制程状况逐渐改善
两个月前，有消息报道，由于离子注入后晶圆清洗带来的材料和掺杂剂损失，TSMC在其40nm工艺上暂时放弃了用RTA修复沟槽的手段。由此导致的良率不济，影响到了RV740等新一代芯片的交货

http://we.pcinlife.com/thread-1158203-1-1.html

针对这一段市场空缺，AMD官方给予的回应是推出采用RV770CE核心，128bit GDDR5总线的4730作为应急所需：

不过，在过去了二个月之后，综合最新的一些消息，TSMC改善其40nm工艺良率的努力有了进展：目前TSMC已经开始使用LSA（激光脉冲退火）来改善超浅结（USJ）周围的杂质现象，从而改善良率。预计进入7月份之后，RV740的产能将会变得充足起来。

作者: axler 时间: 2009-6-27 01:31
4770有望啦，呵呵，貌似沙发

作者: 奶牛老仙 时间: 2009-6-27 01:48
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作者: pharaohs1024 时间: 2009-6-27 02:04
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作者: 羊库库 时间: 2009-6-27 06:54
出了也别买
等成熟了在说

作者: koppie 时间: 2009-6-27 12:02
newegg.com 已经有了powercolor和biostar的4770.就是价格实在太坚挺。。。。

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