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标题: 【咨询】供电设计多相少mos与少相多mos优劣 [打印本页]

作者: 苯苯小哥 时间: 2009-8-5 20:43
标题: 【咨询】供电设计多相少mos与少相多mos优劣
现在显卡供电设计出现两个趋势：
一种是较少（和公版相同）相数更多的mos管
一种是更多相数（大于等于6相）减少mos管
以GTX260+、GTX275为例
公版：4相核心，每相三个D-PAK mos  （常见三脚）
      4相核心，每相三个LFPAK mos
      6相核心，每相三个D-PAK mos
非公：4相核心，每相四个LFPAK mos
      6相核心，每相三个LFPAK mos
      6相核心，每相两个LFPAK mos
      8相核心，每相两个LFPAK mos
   12相核心，每相两个LFPAK mos
这里面“6相核心，每相三个D-PAK mos”与“4相核心，每相四个LFPAK mos”哪个电气化性能更好？一般来说相数多的好于相数少的，同样相数mos多似乎更好，LFPAK mos好于D-PAK mos，公版一般都是3个mos。哪位内行排排这些方案高低如何？

作者: 苯苯小哥 时间: 2009-8-5 20:47
6相核心，每相三个D-PAK mos与6相核心，每相两个LFPAK mos优劣？

作者: roger243 时间: 2009-8-5 21:10
即使是相同相数，但电感不同，比如R22、R68、R12这些，会有性能上的什么不同吗？

作者: philonb 时间: 2009-8-5 21:18
这个要专业人士来解释了
我只大致知道电感的标识：X R YZ（XYZ代表数字），R代表小数点，单位是感抗的单位
比如：r22是0.22，1r2是1.2
单位具体忘了

作者: 苯苯小哥 时间: 2009-8-5 21:27
对 R相当于小数点单位是微亨，R80 是0.8 1R1是1.1 ，有些贴片电感公版那种BL 121 121指0.12？

作者: winfast007 时间: 2009-8-5 21:32
肯定是mosfet越多越好的，但是多相需要考虑同步和损耗的问题，如果RD功力比较好的话，会尽量降低这两方面的问题，多相是比较好的选择，电流更低，相应每相的负担就更低了

作者: 苯苯小哥 时间: 2009-8-5 21:37
本帖最后由苯苯小哥于 2009-8-5 21:41 编辑

肯定是mosfet越多越好的，但是多相需要考虑同步和损耗的问题，如果RD功力比较好的话，会尽量降低这两方面的问题，多相是比较好的选择，电流更低，相应每相的负担就更低了
winfast007 发表于 2009-8-5 21:32

公版那种BL电感要是0.12 是不是小点，就算P897 还是0.22，mos管好像最多也就看见是4个，公版中规中矩用3个，电感多 mos也要多还是成倍，PCB面积有限，这东西确实不好权衡，也许6相每相3个LFPAK mos比较合适，或者干脆用数字供电五相核心数字供电排感也不占地方

作者: needfire 时间: 2009-8-5 21:45
6相一上一下比四相一上两下好。
一上一下大概20-25；一上两下大概30-35
120-150；120-140
而且6相每相分摊的低，发热也就低。
最简单的方法看价格，哪个贵哪个好。

作者: 瞎猫 时间: 2009-8-5 21:55
本帖最后由瞎猫于 2009-8-5 22:01 编辑

电感参数和开关频率匹配，具体选型有公式计算。
比如P654的开关频率是500kHz，电感就使用了0.125μH的；
而P897的开关频率较低只有350kHz，电感就使用了0.22μH的。
某些主板的开关频率更低只有250kHz甚至200kHz，使用对应0.50μH或者0.6μH的电感也就不奇怪了。

开关频率越高，电感参数越小，数字供电的P651我不知道设了多少，反正同样是数字供电的P211（NV40Ultra）开关频率接近900kHz，就用了0.1μH的电感。

作者: 苯苯小哥 时间: 2009-8-5 21:58

哦有这样匹配关系，“6相核心，每相三个D-PAK mos”与“4相核心，每相四个LFPAK mos”哪个电气化性能更好？

作者: 瞎猫 时间: 2009-8-5 22:12
D-PAK的MOS寄生损耗稍微大，除了在早几年还没有新封装的元件必用不可，现在很少中高频开关频率的DC-DC供电用D-PAK，通常300kHz以下的设计使用D-PAK元件。2颗下桥只是为了分担电流，个人认为像12Vdc->1.xVdc这样的低占空比电路中使用单上桥已经足够，因为上桥的电流持续时间非常短，在save area内完全可行。

多相供电的主要目的一是扩大供电能力，受到MOSFET热降额的限制，即便高性能的元件也不宜超过30A，通常主板和显卡上不会用那么高级的元件，因此单相限制在35A左右，要突破这个限制就用多相。
多相供电的另一个目的就是平滑波纹，减少电容的数量和体积，让出PCB。这点应该不必再解释了。至于平滑波纹，可以使用多相的方法，也可以使用提高开关频率的方法，例如显卡的显存部分供电通常都设置了500kHz甚至更高一些的开关频率。

作者: 瞎猫 时间: 2009-8-5 22:17
回头再说几相的问题，P897可以适用于GTX260+和GTX275的GT200核心显卡产品设计，GTX260+因为基于55nm功耗略微下降，因此可以使用4相，每相基于双安森美4858下桥设计。GTX275频率更高，功耗较大，因此就使用了6相。

至于其它厂家要超过公版方案自行设计6相、8相的GTX260那是他们自己的事。

作者: 苯苯小哥 时间: 2009-8-6 10:55

回头再说几相的问题，P897可以适用于GTX260+和GTX275的GT200核心显卡产品设计，GTX260+因为基于55nm功耗略微下降，因此可以使用4相，每相基于双安森美4858下桥设计。GTX275频率更高，功耗较大，因此就使用了6相。

...
瞎猫发表于 2009-8-5 22:17

华硕那样四个mos 感觉比公版三个好些吧，每一相上下桥和下桥均有2个mos管负载，多个mos管并联来降低内阻，减少发热量，理论上好像更好一些，而像索泰微星是多电感上下各一个mos管，这样电感倒是分担压力轻了，mos少内阻发热又怎么办

作者: 奔奔~新马甲 时间: 2009-8-6 12:38
我觉得够用就好........多了只能YY

作者: 瞎猫 时间: 2009-8-6 12:41
没觉得双上桥有哪里是特别好的，我11楼已经说过为什么DC-DC供电完全可以用单上桥，既然可以用单上桥，为什么要用双上桥，除了赚眼球还有什么目的？
另外数MOS早就是没什么用的方法，元件的性能各不相同，欧美系的一些顶级MOS一颗承载电流的能力比台系某些MOS两颗还猛，价格贵的飞天，如果厂家用了这样的元件又怎么说好坏？

作者: 苯苯小哥 时间: 2009-8-6 12:53
本帖最后由苯苯小哥于 2009-8-6 12:55 编辑

没觉得双上桥有哪里是特别好的，我11楼已经说过为什么DC-DC供电完全可以用单上桥，既然可以用单上桥，为什么要用双上桥，除了赚眼球还有什么目的？
另外数MOS早就是没什么用的方法，元件的性能各不相同，欧美系的一 ...
瞎猫发表于 2009-8-6 12:41

这个倒是，双下桥感觉比单一个好些当然这是本身元件性能差别不大前提

作者: zxl7288436 时间: 2009-8-6 15:34
也就是说堆料豪华的公版不需要那么高的相数去稳定电流？

作者: 苯苯小哥 时间: 2009-8-6 15:36

也就是说堆料豪华的公版不需要那么高的相数去稳定电流？
zxl7288436 发表于 2009-8-6 15:34

公版已经打着富余超公只能是富余更多……

作者: xiulup 时间: 2009-8-6 17:46
双下桥能降低发热。再多是浪费。

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