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标题: 45纳米工艺，AMD的电压竟然保持高压1.3x v，无异于拿用户开玩笑 [打印本页]

作者: D65 时间: 2009-10-18 00:16
标题: 45纳米工艺，AMD的电压竟然保持高压1.3x v，无异于拿用户开玩笑
本帖最后由 D65 于 2009-10-18 16:19 编辑

90纳米的时代，X2 6000+默认电压已经是1.35V，制程提升，电压必须降低，否则功耗和温度，处理器吃不消。都到了45纳米时代了，CPU电压仍然高达1.3x V，这个制造工艺，真是烂无敌。

和把X2 6000+的默认电压，标成1.6V一样，表明上能用，但用着用着，只能自己玩缩肛。

为了让CPU在高压下，面子上仍然能挂得住，虚标功耗，虚标温度之da法，再次被AMD祭出。肥龙X4的温度，我就不想说了嘿嘿，故意标低个10度，20度，AMD已经不是第一次了。

1.3xV用到45纳米上，正常功耗和温度应该在那里，自己琢磨去吧。
AMD自己的制程比，有些人都不乐意，那就更没必要拿Intel来说事了。再来看看真正的友商TSMC吧，电压稳守在1.3X显然是情非得已和勉强支撑，再百般狡辩，也改不了CPU，GPU过去和未来发展，核心电压逐步下降的客观规律和事实。

TSMC
4870 55纳米，1.2V
5870 40纳米，1.15V

作者: kakavs 时间: 2009-10-18 00:30

开了一个5000+ 60度手摸比我E72 90度温度要高得多。

5000+默认1.3x e72 默认 0.9v

作者: spinup 时间: 2009-10-18 00:48
..........lz不知道90nm以后工艺出现了什么变化..........
电压已不随着线宽缩小而缩小了。

特别是某些情况下，接受更低工作电压的一些电路却可能有更大功耗..........详细解释很复杂。

作者: digitalera 时间: 2009-10-18 00:49

开了一个5000+ 60度手摸比我E72 90度温度要高得多。

5000+默认1.3x e72 默认 0.9v
kakavs 发表于 2009-10-18 00:30

你是想说intel的不准虚标太高，还是amd的不准虚标太低呢？ 1.3x v 要是比90度要高很多，那代表amd那些U 在100多度的情况下都能长期使用了？？？

作者: Rednaxela 时间: 2009-10-18 00:52
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作者: spinup 时间: 2009-10-18 00:56

开了一个5000+ 60度手摸比我E72 90度温度要高得多。

5000+默认1.3x e72 默认 0.9v
kakavs 发表于 2009-10-18 00:30

90度一般会促发一些降频之类的保护动作了......很可能是因为E72散热器没装好？

作者: spinup 时间: 2009-10-18 01:01

那工艺的升级意义何在？
又：为什么intel的U可以随着工艺升级电压越来越低？
Rednaxela 发表于 2009-10-18 00:52

intel也不是随线宽缩小而线性降低电压----降幅总是越来越小的。而且稳定工作电压小于1V的话与以前不同的一些因素影响会很大----功耗可能不降反升。

作者: kakavs 时间: 2009-10-18 01:16
我想说I U温度不准。。如果OR一体制温度马上90回到60 主板650I的也可能主板问题。

反正，我已经无视温度了。。。。浮云。

作者: wf1980 时间: 2009-10-18 08:56
只要能正常运行，温度就不要介意了...

作者: 我要飞2008 时间: 2009-10-18 08:57
AMD和intel的工艺是不同，AMD电压高不容易缩肛

作者: 皮球 时间: 2009-10-18 09:13
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作者: hyj201 时间: 2009-10-18 09:33
电压高就是拿用户开玩笑？拿功率计对比一下两个平台再说

实际功率差距不是很大的。。

我原来E52 Oc 3.33 和  现在加压超5000 开核到3.52  cpu满载两个平台的功耗差距是50Watt
当四核5000 频率在2.2 1.1v的时候  AMD这个满载低于 E52oc 3.33 10 watt

考虑到一个是双核一个是四核u 差距不是很大的  光看电压不能说明什么问题应该去看实际运行时候的功耗

因为功耗不单是电压决定的，功耗和电压和电流都有关系，电压高，电流低也可能功耗不高

作者: bearqeq 时间: 2009-10-18 09:40
小白，看下功耗！初中毕业没？电压电流功率会算吗？

作者: suncraft 时间: 2009-10-18 09:43
楼主，枪一下一个月拿多少提成啊？？？我也想去做份兼职。。。。

作者: digitalera 时间: 2009-10-18 09:45

显然说amd是虚报温度
AMD``FANS 发表于 2009-10-18 00:54

那就是说 amd的cpu能在100多度下长期工作了

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 09:46
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作者: sewsew 时间: 2009-10-18 10:00
LZ这次5毛应该拿到手了.不知道现在是否还在擦红花油呢?

作者: hyj201 时间: 2009-10-18 10:02
楼主的思路是电流额定 A和I的U只有电压不同。。。哈哈哈

作者: zidane1980 时间: 2009-10-18 10:06
怀疑楼主的智力是不是有问题。

如果这也能拿来比，那电脑市场里面能信得过的东西就太少了，
自己回家玩算盘吧，记得要会计专用的。

作者: gentsung 时间: 2009-10-18 10:13
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作者: D65 时间: 2009-10-18 10:26
GPU 120度依然能工作。显然在这之前，所有CPU为了安全起见，在100度之前，都会将处理器停掉。
而AMD在明知自己CPU上不了高频的情况下，强行保留高电压，并虚标温度。使得，CPU在120度的情况下，仍然需要工作。

大半年后，缩肛的AMD废龙，将大面积出现。当然本来CPU用个10年8年的，很正常，现在AMD，缩到3年，也没什么大不了的。

一堆人在瞎JB扯蛋，就AMD的烂工艺，还制程提高了，不用降压，看来真把它当神了。信春哥者，原地自满。

作者: D65 时间: 2009-10-18 10:29

楼主闲的蛋疼
不同的电路设计能用同样的电压来衡量功耗吗
gentsung 发表于 2009-10-18 10:13

和AMD的前面几代的CPU相比，它就是基本相同的电路。
你意思是AMD很神，改改电路，以后的32纳米，20纳米，照样不用降电压罗，看来真强大啊，果然领先6年。

就一个强行用高电压，来扶住烂体质的事情，也能美化得这么传神。

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 10:42
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作者: D65 时间: 2009-10-18 10:45

电压高就是拿用户开玩笑？拿功率计对比一下两个平台再说

实际功率差距不是很大的。。

我原来E52 Oc 3.33 和现在加压超5000 开核到3.52 cpu满载两个平台的功耗差距是50Watt
当四核5000 频率在2.2 1 ...
hyj201 发表于 2009-10-18 09:33

相同电压，晶体管变细，电流必然升高。而3楼所争辩的，幅度和线性变化问题，尚可讨论一下。
你楼下的那位，自己是个文盲还认为别人是文盲，网上总是有这么一帮人...

作者: laimi80 时间: 2009-10-18 11:02
还缩肛都说出来了,还确定到大半年后大面积出现,出现了再来骂,别在这扯犊子...........

作者: spinup 时间: 2009-10-18 11:02

相同电压，晶体管变细，电流必然升高。而3楼所争辩的，幅度和线性变化问题，尚可讨论一下。
你楼下的那位，自己是个文盲还认为别人是文盲，网上总是有这么一帮人...
D65 发表于 2009-10-18 10:45

知道cmos电路的工作原理吗？知道阀值电压对晶体管电流/漏电流的影响吗？

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 11:03
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作者: txdyr 时间: 2009-10-18 11:03
出来到现在早过了大半年，别人都用得好好的。楼主还是不要来丢人了。为了***真不容易呀。

作者: p3 时间: 2009-10-18 11:09
有点无聊。默电用。10年都不缩

人家又没让你超

作者: sonicxz 时间: 2009-10-18 11:18
AMD没有VID的吧，默认电压都是主板BIOS设定的吧？

搞不懂

反正当年939 4200+X2官方看电压1.3-1.35V

主板设定默认是1.35V左右，最低只能-0.1V，我就设定的1.25V，默认2.2G，还能超2.5G以上

90NM

作者: sonicxz 时间: 2009-10-18 11:22

我想说I U温度不准。。如果OR一体制温度马上90回到60 主板650I的也可能主板问题。

反正，我已经无视温度了。。。。浮云。
kakavs 发表于 2009-10-18 01:16

是这样的，G45,P45上T7,Q9全部是这样，E52+P43也一样

作者: 白沙 时间: 2009-10-18 11:44
对这种纯电压论不感冒，当初制程为M0和G0的E2160就是最好的例子。
测试过，1.1Xv的G0和1.4v的M0同频率下，功率基本上一样。

你说这电压还能证明什么？

作者: 云峰看海 时间: 2009-10-18 11:46
我的默认电压1.39，空闲40度，满载50度，裸奔，散热是3热管侧吹大铜底9CM的冰锋工包。

作者: henghahengha 时间: 2009-10-18 11:49
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作者: hyj201 时间: 2009-10-18 11:57

对这种纯电压论不感冒，当初制程为M0和G0的E2160就是最好的例子。
测试过，1.1Xv的G0和1.4v的M0同频率下，功率基本上一样。

你说这电压还能证明什么？
白沙发表于 2009-10-18 11:44

有力的论据....

作者: D65 时间: 2009-10-18 12:04

知道cmos电路的工作原理吗？知道阀值电压对晶体管电流/漏电流的影响吗？
spinup 发表于 2009-10-18 11:02

你指望这点电压马上就能达到击穿？但显然，电压越低，离开击穿越远。
并非AMD不想降电压，而是它的烂制程，没办法实现。

高频上不去，就电压撑。

作者: D65 时间: 2009-10-18 12:07
本帖最后由 D65 于 2009-10-18 12:23 编辑

对这种纯电压论不感冒，当初制程为M0和G0的E2160就是最好的例子。
测试过，1.1Xv的G0和1.4v的M0同频率下，功率基本上一样。

你说这电压还能证明什么？
白沙发表于 2009-10-18 11:44

在楼上已经说明得很清楚，越远离击穿电压，对谁都有好处。
在CPU足够稳定运行的情况下，电压尽量低这是处理器从来没有改变过的趋势。

至于你说的功耗基本一样，拜托，不要拿一个功耗没有真正满载的不严谨测试来作什么讨论。另外漏电电流得到改善，功耗降低是必然的。但强到AMD这样装B的，3代CPU，电压都不用变，还真是罕见，果然领先6年。

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 12:14
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作者: spinup 时间: 2009-10-18 12:19

在楼上已经说明得很清楚，越远离击穿电压，对谁都有好处。
在CPU足够稳定运行的情况下，电压尽量低这是处理器从来没有改变过的趋势。
D65 发表于 2009-10-18 12:07

击穿电压.....啥时候的老黄历了...........
要说栅介电层磨损的话...低电压的工艺比高电压的小一个数量级都很普通.....这里面的道理嘛，比较复杂，知道的人未必肯说

包括我

。最多点到为止，看人出丑更好玩。

作者: D65 时间: 2009-10-18 12:26

击穿电压.....啥时候的老黄历了...........
要说栅介电层磨损的话...低电压的工艺比高电压的小一个数量级都很普通.....这里面的道理嘛，比较复杂，知道的人未必肯说包括我。最多点到为止，看人出 ...
spinup 发表于 2009-10-18 12:19

反而是我不愿意看你露底。
AMD再过三代，电压还是不变，因为已经老黄历了。AMD的CPU绝对不会存在击穿的问题。领先6年嘛，怎么会击穿呢。

作者: spinup 时间: 2009-10-18 12:30

反而是我不愿意看你露底。
AMD再过三代，电压还是不变，因为已经老黄历了。AMD的CPU绝对不会存在击穿的问题。领先6年嘛，怎么会击穿呢。
D65 发表于 2009-10-18 12:26

要是我说intel是不得不降低电压，不得不在45nm上high-k，你会怎么想？

2厘米厚的石板和1厘米厚的石板，哪个更容易被水滴穿？

作者: D65 时间: 2009-10-18 12:34

要是我说intel是不得不降低电压，不得不在45nm上high-k，你会怎么想？

2厘米厚的石板和1厘米厚的石板，哪个更容易被水滴穿？
spinup 发表于 2009-10-18 12:30

看来AMD用的是钢板，所以不怕击穿。你认为AMD不用high-k?

我只知道，AMD还强大到，玩一玩漏电电流，以后就不需要降压了，目前的阶段，显然不是他不想降，而是他降不下来。硬撑。

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 12:49
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作者: L2S 时间: 2009-10-18 12:49

击穿电压.....啥时候的老黄历了...........
要说栅介电层磨损的话...低电压的工艺比高电压的小一个数量级都很普通.....这里面的道理嘛，比较复杂，知道的人未必肯说包括我。最多点到为止，看人出 ...
spinup 发表于 2009-10-18 12:19

嘉蓝在这个帖子里谈技术是浪费精力除非蛋疼

作者: slr 时间: 2009-10-18 12:56

GPU 120度依然能工作。显然在这之前，所有CPU为了安全起见，在100度之前，都会将处理器停掉。
而AMD在明知自己CPU上不了高频的情况下，强行保留高电压，并虚标温度。使得，CPU在120度的情况下，仍然需要工作。

大 ...
D65 发表于 2009-10-18 10:26

虽然我用INTEL，虽然我追求的是低压U，自己在用0.832V默认频率能过OR的E52

但是不得不说，不同的U，不同的内阻如何能要求相同电压？380V的电机就一定比220V的耗电大？所以380V的以后必将淘汰掉？
中国是220V标准电压，那么110V标准电压的就比220的要好得多？有点常识好么！

作者: slr 时间: 2009-10-18 13:05

GPU 120度依然能工作。显然在这之前，所有CPU为了安全起见，在100度之前，都会将处理器停掉。
而AMD在明知自己CPU上不了高频的情况下，强行保留高电压，并虚标温度。使得，CPU在120度的情况下，仍然需要工作。

大 ...
D65 发表于 2009-10-18 10:26

我们来场赌局吧，版主开贴，转入阿祥的账号，半年为限，输者就当给论坛做贡献，如何？

作者: slr 时间: 2009-10-18 13:10
玩低压INTEL也玩了好多年了，我上一台笔记本是第一代迅驰
东芝dynabook ss2110，U是Pentium-M ULV 1.1G，多少年自己算吧，默认电压和最新的SU也差不了多少，90NM升级45Nm也没啥用嘛，是不是INTEL也技穷了？

拿几毛钱拿的真不容易！还要被人问候母亲，劝您还是转行吧

作者: spinup 时间: 2009-10-18 13:14
本帖最后由 spinup 于 2009-10-18 13:27 编辑

目前的事实就似乎amd的45nm u都用得好好的，真劳某位劳费心了，要是过了一年半载的还是用的好好的，我真替某id担心。。。
嘉蓝大就不必对只会臆断的人说技术了，他就没想弄明白。。。
hammerking 发表于 2009-10-18 12:49

今天也就卖弄一下。

现代的工艺有两个参数很讲究。第一个是栅介质厚度。对于硅氧材料的栅介质来说，厚度2nm以上栅泄漏基本可以忽略，不过2nm以下栅泄漏指数上升。同面积同电压下1nm栅氧层泄漏将是2nm的1百万倍量级。

栅泄漏大功耗当然也大，而写泄漏大了对栅氧层磨损也大，所以到1nm就不得不改用high-k介电质以提高物理厚度。high-K当然是好东西，但是其代价也非常高，所以有其他选择的话厂商就尽力不上high-k---tsmc roadmap上32nm都有high-k和无high-k的选择。

和双极型晶体管相似的击穿啥的都要2-3V电压才能讨论，所以现在CMOS工艺基本没这方面的问题。栅磨损是工艺上最直接与电压相关的失效原因。假如把电压看作滴水的房檐的高度，面对1厘米厚石板与2厘米厚石板的区别，12米与14米的高度差影响会很大吗？

第二个是阀值电压。这里也有个关键参数:0.3V。阀值电压高于0.3V，亚阀泄漏基本可以忽略，而低于0.3V,泄漏也是指数上升。高速CMOS电路工作电压一般是阀值电压的4倍以上。所以1.2V电压也是个微妙的数字。

工作电压越高，工作时的动态功耗越大，但是如果为了降低工作电压而降低阀值电压，泄漏功耗却会急剧增加。低电压高功耗现在并不是怪事，而几乎是必然。

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 13:15
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作者: slr 时间: 2009-10-18 13:20

这个强~ 不过话说回来，认真你就输了，何必呢~
hammerking 发表于 2009-10-18 13:15

嘴皮子谁不会。我就看不惯几毛党抹黑AMD。虽然我用的是INTEL，但没AMD我绝对用不到400块的E5，估计高频低能的奔四还是天价呢。竞争要良性，无理由的抹黑行为就该BS。

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 13:24
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作者: L2S 时间: 2009-10-18 13:26
仔细想一下某些个知名号子存活在那里未必是坏事。

动物园都有个猴山呢。

作者: spinup 时间: 2009-10-18 13:38

学习了~amd/ibm的45nm没有用hk，是不是说明栅厚度没intel那么薄？
hammerking 发表于 2009-10-18 13:24

可以在网上搜索。

比较厚有厚的好处与不利之处。双方的选择都有他们自己的原因。

作者: lflysx 时间: 2009-10-18 13:39
没事有***党来娱乐一下也不错。很纳闷LZ是不是连初中都没毕业，功耗怎么计算的概念都搞不清楚

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 13:41
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作者: spinup 时间: 2009-10-18 13:46

恩，IBM声明过hk对于45nm并不是必要的，用不用应该是有所取舍的。。
hammerking 发表于 2009-10-18 13:41

根据一些资料，其实ibm搞定32nm用的high-k的时候45nm还没搞定。

这么微小的尺度下很多匪夷所思的事情都可能发生。

作者: 冰灵鬼 时间: 2009-10-18 13:59

相同电压，晶体管变细，电流必然升高。而3楼所争辩的，幅度和线性变化问题，尚可讨论一下。
你楼下的那位，自己是个文盲还认为别人是文盲，网上总是有这么一帮人...
D65 发表于 2009-10-18 10:45

相同电压，晶体管变细，电流必然升高
什么神论，唉，你绝对不是文盲，你识字，所以你是科盲

作者: 红发IXFXI 时间: 2009-10-18 14:01
amd的cpu我一直用还没有挂掉的。。。。lz杞人忧天

作者: exiaoran 时间: 2009-10-18 14:06
本帖最后由 exiaoran 于 2009-10-18 14:11 编辑

根据一些资料，其实ibm搞定32nm用的high-k的时候45nm还没搞定。

这么微小的尺度下很多匪夷所思的事情都可能发生。
spinup 发表于 2009-10-18 13:46

那嘉蓝，ibm或者说AMD，SOI会进化到什么程度？

32nm soi+hkmg gate fire和intel的gate last相比哪个好？

7.58亿晶体管的phenomii 9xx面积是258mm^2

4.1x2亿晶体管的Q9xxx面积只有214mm^2

晶体管密度是130：100的样子，为什么差距这么大？

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 14:08
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作者: D65 时间: 2009-10-18 14:21

今天也就卖弄一下。

现代的工艺有两个参数很讲究。第一个是栅介质厚度。对于硅氧材料的栅介质来说，厚度2nm以上栅泄漏基本可以忽略，不过2nm以下栅泄漏指数上升。同面积同电压下1nm栅氧层泄漏将是2n ...
spinup 发表于 2009-10-18 13:14

洋洋洒洒，写这么多，写多无益，CPU发展的历史，就是制程提高，电压不断下降的历史。
在现阶段，AMD面临的是无法降低电压的窘境，你上面列的这些，只不过是AMD替自己打圆场的一些迂回套路而已。

你看他下个工艺，还敢不敢用这么高的电压，他还会不会重点highlight，所谓的某些情况下。

不过也总算比一堆后面跟屁，又没有实际东西的喷粉好。至少还能绕一绕。

作者: spinup 时间: 2009-10-18 14:21

那嘉蓝，ibm或者说AMD，SOI会进化到什么程度？

32nm及之后还会用到CPU上吗？不用SOI应该是转向High-k吧？IBM/AMD的High-K就性能来说，和intel的那个gate first相比哪个好？

7.58亿晶体管的phenomii 9xx面积是 ...
exiaoran 发表于 2009-10-18 14:06

至今用的还是PD-SOI也就是部分耗尽型SOI。按本来的计划要逐渐向FD-SOI过渡。不过FD-SOI要仅几十纳米厚的硅膜，至今似乎还没有量产的可能.....一个可能的思路是多栅极晶体管或者Fin-FET。IBM已经在用Fin-FET做22nm的实验型电路了。

high-k与SOI没有矛盾，一起使用与high-k用在体硅上并没有大的区别。

HKMG的实现，intel是gate last, IBM公开的说法是gate first。我了解的都是gate last，这个工艺比较复杂。IBM的gate first我并不了解，理论上应该比gate last简单得多。不过我觉得很有可能需要付出灵活性较低和性能略低的代价。

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 14:23
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作者: spinup 时间: 2009-10-18 14:28

洋洋洒洒，写这么多，写多无益，CPU发展的历史，就是制程提高，电压不断下降的历史。
在现阶段，AMD面临的是无法降低电压的窘境，你上面列的这些，只不过是AMD替自己打圆场的一些迂回套路而已。

你看他下个工 ...
D65 发表于 2009-10-18 14:21

不是教你啥东西。

看不懂的继续吹好了。看得懂的自然知道。

作者: china17 时间: 2009-10-18 14:31
......................

作者: do179x 时间: 2009-10-18 14:32
本帖最后由 do179x 于 2009-10-18 14:34 编辑

lz 难道就是“高达”传说中的D65?.......

作者: D65 时间: 2009-10-18 14:36

虽然我用INTEL，虽然我追求的是低压U，自己在用0.832V默认频率能过OR的E52

但是不得不说，不同的U，不同的内阻如何能要求相同电压？380V的电机就一定比220V的耗电大？所以380V的以后必将淘汰掉？
中国是220V标 ...
slr 发表于 2009-10-18 12:56

这么多喷子，你的下限最低了。你先考量下自己的比喻是否恰当。
AMD自己的制程和自己比，有何不可？内阻，我快喷了，你大概认为CPU是个纯电阻是吧，连220V都抬出来了。

另外i7移动版已经是0.65v起跳了，先搞清楚再来吧。不要再秀下限了，你所谓的PM，1.1V左右起跳～1.35V为工作电压范围。作为你这种文科生，不要参合是最好的。

作者: zhishixc 时间: 2009-10-18 14:39
P2出来半年多了也没看谁说他的U废了

作者: gentsung 时间: 2009-10-18 14:44
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作者: D65 时间: 2009-10-18 14:46

不是教你啥东西。

看不懂的继续吹好了。看得懂的自然知道。
spinup 发表于 2009-10-18 14:28

再来看看TSMC
4870 55纳米，1.2V
5870 40纳米，1.15V

制程提升，电压降低，不降低的是因为在死撑，而不是你绕出来的那一套。

作者: duan325058 时间: 2009-10-18 14:46
呵呵，很有意思啊，看你们GO ON，我来学习的

作者: D65 时间: 2009-10-18 14:51

P2出来半年多了也没看谁说他的U废了
zhishixc 发表于 2009-10-18 14:39

前提已经讲得很清楚，本来可以用10年的CPU，缩到3年，对不少人来说的确无所谓。
可有些人，在本来电压已经很高的基础上，还加压，开核，自得其乐。

过个一年半载，缩肛之后，打断牙齿往自己肚子里咽。真正可悲的是被他拉下水的人。

作者: duan325058 时间: 2009-10-18 14:52
看来A和IFANS太多了

作者: slr 时间: 2009-10-18 14:57
本帖最后由 slr 于 2009-10-18 16:59 编辑

这么多喷子，你的下限最低了。你先考量下自己的比喻是否恰当。
AMD自己的制程和自己比，有何不可？内阻，我快喷了，你大概认为CPU是个纯电阻是吧，连220V都抬出来了。

另外i7移动版已经是0.65v起跳了，先搞清 ...
D65 发表于 2009-10-18 14:36

移动I7电压0.65V起跳，OK,那它的TDP多少？
45W起跳吧，我很奇怪为什么你举了一个低压反而更高功耗的例子

拿个0.65V 45W的U出来，是不是能说低压不等于低功耗？
能不能反证高压不等于高功耗？

作者: lanyan3232 时间: 2009-10-18 14:59
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作者: slr 时间: 2009-10-18 15:01
请回答我关于移动版I7功耗的问题~~~

个人认为是，INTEL是不得不降，45W的I7移动版，要是还不降到一个最低值，恐怕要变成65W。这默认要是0.65V的话，你能手动再降么?

桌面的U要求远没这么高，1.185V VID的E52可以降到0.832V用，1.35V的BE-2300（我的上一台机器）可以降到1.05V使用。I7再降个0.3V行么？

作者: slr 时间: 2009-10-18 15:05
CPU必然不是纯电阻，但是不同的U的工作电压和功耗没有必然关系。INTEL的U有个特点就是高压缩肛，不得不降低电压

作者: slr 时间: 2009-10-18 15:10
本帖最后由 slr 于 2009-10-18 15:13 编辑

这么多喷子，你的下限最低了。你先考量下自己的比喻是否恰当。
AMD自己的制程和自己比，有何不可？内阻，我快喷了，你大概认为CPU是个纯电阻是吧，连220V都抬出来了。

另外i7移动版已经是0.65v起跳了，先搞清 ...
D65 发表于 2009-10-18 14:36

P-M ULV，默认频率稳定过OR的电压是0.892V，600Mhz待机状态是0.784V，请问酷睿2 的ULV最低能跑多少？很大进步？

CPU当然不是纯电阻，但是你敢说同一批的每块CPU同电压的工作电流都相同？那VID是写着玩的？

作者: exiaoran 时间: 2009-10-18 15:51

请回答我关于移动版I7功耗的问题~~~

个人认为是，INTEL是不得不降，45W的I7移动版，要是还不降到一个最低值，恐怕要变成65W。这默认要是0.65V的话，你能手动再降么?

桌面的U要求远没这么高，1.185V VID的E52可 ...
slr 发表于 2009-10-18 15:01

i7降0.3V跑默认还是很可以的，除非超级大雷

我这个跑2.66G开tb开HT只要0.912V就可以了，温度就很低了，VID是1.225v

作者: hammerking 时间: 2009-10-18 15:57
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作者: singleman 时间: 2009-10-18 16:02
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作者: lob951zhang 时间: 2009-10-18 16:09
功耗变成了电压论的感觉，我赖的和你说什么理论，这种凌架齐同“砖家叫兽”的姿态很让人BS，LZ如此“强悍”，想必不用这在叫了，写个论文出来，估计U界必竟天地倒置，真是。。。。。。以无知为有限，拜托，不要摆一副如此肯定的姿态，做人首先要肯定自己的斤两，如果你能像某强人自己花个三年功夫做一个CPU，咱自当另眼相看。。。。。。。中科院还在至力中国“芯”，很缺这方面的人材，去证明自己，别在这磨嘴皮子。。。。。

作者: slr 时间: 2009-10-18 16:45
本帖最后由 slr 于 2009-10-18 16:52 编辑

i7降0.3V跑默认还是很可以的，除非超级大雷

我这个跑2.66G开tb开HT只要0.912V就可以了，温度就很低了，VID是1.225v
exiaoran 发表于 2009-10-18 15:51

既然INTEL很有进步，那你的I7的VID怎么比M0的E52还要高？
最常见的E52来说，R0是M0的功耗改进版本，但是R0的VID却更高，您是否奇怪？
说实话，都是降0.3而已，I7的VID更高，是不是说I7也没进步？

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