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标题: h55的南桥热么？ [打印本页]

作者: leishen512 时间: 2009-12-21 20:45
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作者: leishen512 时间: 2009-12-22 06:43
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作者: winner0002 时间: 2009-12-22 08:29
热不热看散热片就知道了

作者: athlon135 时间: 2009-12-22 08:33
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作者: liu0 时间: 2009-12-22 10:19
4.7w，凉快的很。

作者: Buffer 时间: 2009-12-22 10:59
南桥有什么热的?

作者: killua1109 时间: 2009-12-22 19:58
一块45nm的ICH10R 非常凉快～～

作者: bww 时间: 2009-12-22 21:30
应该不会太热。只是一个南桥的功能+显示输出的功能，估计比P55功耗稍大一点点吧。

作者: tmz 时间: 2009-12-22 21:45
技嘉p55 随便搞块散热片就能压住，技嘉那块太浪费了

作者: zwy518 时间: 2009-12-23 17:27
本帖最后由 zwy518 于 2009-12-23 17:32 编辑

P55，H55芯片组已经不是传统的双芯片芯片组（北桥芯片+南桥芯片），而是单芯片方案，没有南北桥之分了。主要是为了32纳米的处理器平台（Intel core i3，2010年一季度上市，不但包含CPU内核，还把图形芯片集成在处理器的封装中，采用的是双芯片方案，传统的双芯片芯片组的平台也就不适用了）

作者: zwy518 时间: 2009-12-23 17:30
H55芯片组和H57芯片组也将在2010年一季度配合core i3 处理器发布。

作者: athlon135 时间: 2009-12-23 18:58
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