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标题: GTX480年内难产，NVIDIA费米面临推倒重来 [打印本页]

作者: max2cd 时间: 2010-2-24 16:34
标题: GTX480年内难产，NVIDIA费米面临推倒重来
转自PCONLINE。http://itbbs.pconline.com.cn/diy/11045561.html
有消息说，NVIDIA即将在3月27日再一次发布他们由来已久的费米GF100（GTX480）显卡。这个让我们等待了有半年之久的显卡究竟是什么原因不断跳票呢？现在就让我们一起来了解一下GF100的近况——虽然最新流片的GF100从台积电回来已经几个星期了，但是前景仍不容乐观。
　　首先，我们在今年1月底得到消息，NVIDIA开始生产A3版GF100。尽管NVIDIA开始从台积电批量接收A3芯片，但是他们没有为此高兴，原因很简单，A3版GF100芯片尽管工作频率只有600MHz，但是发热量已经达到极限的一半，并且其中为顶级产品准备的A3版GF100 SP数量只有448个。最重要的是，台积电的GF100芯片产率百分比还维持在个位数。
　　更为微妙的是，尽管GF100芯片已经降频并削减了流处理器数量，但是芯片良率还是无法提升。更糟糕的是，如此之低的良率有可能让GF100最终推倒重来，完全重新设计。
　　NVIDIA目前的首要任务就是提升GF100芯片的良率。如果你还记得，我们之前曾经说过，第一次流片的GF100发热量巨大，良率极低，一片晶圆上的416个芯片当中只能挑选出7颗正常工作的芯片，也就是说GF100的良率低于2%。
　　GF100出现如此巨大的问题，可以追溯到之前他们在解决问题上的所作所为。GF100目前3个步进都被称为金属层流片，比完整的基础层改进流片成本更低，速度更快，大约两个月到看到结果。一个完整的基础层重新流片时间超过一个季度，有可能超过6个月完成，费用超过100万美元。金属层流片通常以更大的数字代表流片版本，比如A1到A2，而基础层重新流片通常以字母变化代表不同版本，比如A3到B1，NVIDIA通常以A1代表芯片首次流片，因此目前A3版本是代表GF100第3次金属层流片。
　　金属层流片往往解决逻辑问题，比如1 + 1 = 3这类的错误，而不是解决芯片功耗或产率问题。大多产率问题往往涉及芯片采用的制造工艺，以及芯片工作频率的既定指标和设计规则等等。因此，金属层流片可以看作是芯片流片的简化版本，不牵扯到功耗或良率问题。
　　NVIDIA在去年9月初得到第一批流片的GF100芯片，第一批流片的GF100时钟速度为500MHz，芯片生产良率百分比徘徊在惊人的个位数，并且发热量极大。
　　第二次流片的A2版GF100，工作频率有所提升，但是芯片良率仍然低得吓人，并且A2版GF100流片交付日期逾期一个月左右，所以你可以确信GF100芯片生产仍旧相当困难。这让包括NVIDIA在内的任何芯片公司都无法容忍。
　　SemiAccurate网站在去年圣诞节已经听说NVIDIA收到A3版流片样品，A3版没有改善芯片时钟速度。这并不奇怪，因为 NVIDIA使用了错误的工具，即修改金属层来修复时钟速度和功耗问题。A3版芯片工作热量也非常大。因此，在去年3月了解到GF100设计架构之后，我们一直坚持GF100“无法生产”这种观点，如果NVIDIA要让GF100可以生产，那么必须推倒现在的GF100架构，重新设计GF100。
　　为什么GF100境遇如此悲惨？答案很简单，NVIDIA没有为GF100生产做好准备。NVIDIA公司根本没有做生产前的充足试验和有条不紊的深谋远虑。和ATI进行对比，我们可以看ATI采用HD4770（RV740芯片）来试验台积电40纳米工艺，并且从中总结经验教训，这种学习和汲取最终反馈到Radeon HD 5000系列GPU当中，因此5000系列GPU现在的良率完全在AMD可以接受的范围之内。
　　NVIDIA公司在2009年第一季度计划了四款40纳米GPU产品－G212，G214，G216和G218，它们分别是55纳米 G200b，G92b，G94和G96的40纳米马甲版。 G212向40纳米迈进的情况非常糟糕，已经胎死腹中。G214的情况也好不到哪里去，为了配合40纳米大规模的生产，流处理器数量不得不从128个削减到96个，并且改名为G215，并终于在2009年11月批量投产，最终上市名称改为GT240，G216最终名称改为GT220， G218上市最终名称改为G210。这些产品从规划到上市过程当中，都有无数次改名运动，其中部分产品现在居然改名为300系列，NVIDIA从没有给出过这样命名的原因。
　　NVIDIA G215，G216和G218图形芯片各自的芯片面积大约是139平方毫米，100平方毫米和57平方毫米。这些芯片面积都非常小，而高端55纳米的G200b芯片面积超过480 平方毫米，更早的65纳米G200芯片面积超过575平方毫米。
　　ATI早在2009年4月就开始大批量出货面积为137平方毫米的GPU芯片。NVIDIA公司在40nm工艺上遇到严重问题，因此去年8月才开始向OEM厂商出货40纳米G216和G218芯片，之后NVIDIA花费几个月时间，才开始向零售渠道出货40纳米G215图形芯片。
类似图形芯片之间有粗略的产率对比计算方法，即芯片面积之比的平方，比如200平方毫米芯片的产率是100平方毫米芯片产率的1/4，50平方毫米芯片产率是100平方毫米芯片产率的4倍。图形芯片设计公司会为每一款芯片设计冗余结构，以修复制造过程当中的某些类型的错误，但这种冗余结构设计也有限制。
　　每个冗余设计都增加了芯片的设计面积，因此提升芯片成本。半导体制造是一个复杂的权衡过程，需要考虑到冗余面积成本与产率问题。如果你计划得当，你可以用非常小的冗余面积得到非常高的芯片产率。
　　去年春天和夏天，ATI已经向外界通报，他们在Radeon HD 5000系列芯片制造上吸取了RV740芯片制造的经验教训，这是一次非常富有成效的学习经验。其中深藏不露的秘密就是吸取了40纳米工艺在RV740芯片互连金属层之间的问题。另外，他们也了解到台积电40纳米工艺，在芯片晶体管构建上差异度非常大，特别是晶体管通道长度上。
　　既然Anandtech网站在Radeon HD 5000系列历史文章当中谈到这两个秘密，现在继续保密也毫无意义。这两个秘密也改变了晶体管的设计和布局，以减轻台积电40纳米工艺的差异度。并且它们消耗的冗余面积也比较大，对芯片功耗也有负面影响，但是这都是向40纳米进化必须付出的代价。
　　另一方面，NVIDIA公司在40纳米工艺上没有做足功课。SemiAccurate网站数次获悉，NVIDIA解决这些的问题的方法是向台积电相关人士“尖叫”宣泄情绪，而不是积极改变芯片设计。
　　当NVIDIA公司发现问题并希望在GF100上进行修补的时候，为时已晚。除非台积电制造工艺出现奇迹，否则基本上来看，GF100设计是注定要失败。
　　可能有人要问为什么？ GF100芯片面大约550平方毫米，比我们之前报道的略大。 NVIDIA公司在100平方毫米芯片上遇到问题，在139平方毫米芯片遇到三个月的严重延误，的产量问题，并取消任何较大面积的芯片设计。NVIDIA 没有像ATI一样做足40纳米功课，现在却试图以40纳米生产550平方毫米的GF100芯片。
　　基本的数学计算表明，GF100面积4倍于G215，它们之间在芯片结构上有某些类似，所以你可以预料GF100产率约为G215的1/16， G215本身产率就不高，但即使G215的产率为99%，你也可以预期GF100产率百分比只有个位数。
　　修复这些问题需要NVIDIA公司做ATI之前做过的功课，即改变芯片设计以适应台积电40纳米工艺。这个过程需要很长的工程设计时间和基础层重新流片，并可能需要针对旗舰产品进行一次金属层重新流片。如果一切顺利，NVIDIA还需要6个月才能带来GF100的完美版。
　　虽然这对NVIDIA来说是一件坏事，而且有可能让让GF100胎死腹中。但以目前情况来看，GF100实际上变得更糟，该芯片现在尺寸巨大，并且发热量也很大。业内人士告诉SemiAccurate，在2010 CES上展示的GF100显卡功耗280瓦。 NVIDIA公司在GF100第一次流片之前，就知道芯片将消耗巨大的电力这一情况，但它强调作为通用计算用途，GF100显卡功耗并未超出225瓦大关。
　　为了解决这一问题，NVIDIA的工程师告诉 SemiAccurate，NVIDIA决定让GF100芯片运行在一个非常低的电压，即1.05v，相比之下，ATI Cypress(HD 5800系列)工作电压在1.15V，TDP功耗在188W瓦，费米GF100的既定TDP功耗为225瓦，GF100每0.01v电压提升会导致工作电流50%的提升，简而言之，NVIDIA日后如果要选择提升GF100工作电压，将带来更大的功耗和发热量。
　　我们之前已经谈到台积电40纳米工艺有很大可变性和差异度。即有电流“泄漏”问题存在，这意味着和Cypress(HD 5800系列)以及工作频率更低的样品芯片相比，GF100零售版将消耗更多电力。这种问题的传统缓解办法是提升电压，让发生问题的晶体管正常工作，但这也使得晶体管泄漏更多电流，泄漏越多，芯片的发热量也越大。
　　温度更高的晶体管泄漏也比温度较低的晶体管更多，所以芯片就进入1个由泄漏导致的高温循环，让泄漏问题越来越恶化。这种恶性循环的解决办法之一，就是在显卡上采用更加强悍的散热器和散热风扇，但这样将提升显卡成本，并且增加噪音。NVIDIA史上的GeForce 5800就是这种恶性循环的典型案例。
　　台积电40纳米这种问题，意味着有大量分散的薄弱的晶体管分布于芯片当中，并导致想当程度的漏电问题。如果NVIDIA提升电压，那么他们也同时大规模提升芯片的功耗。如果不提升电压，那么大量脆弱的晶体管基本上不工作，意味着芯片实际上是“破损”或“缺陷” 的，这两个目标相互对立，而NVIDIA现在低电压，高电流的政策只会让问题加速恶化。
　　如果这还不够糟糕，消息来源告诉 SemiAccurate说，台积电40nm工艺非常热敏感。晶体管漏电问题随温度提升成正比增加，激烈程度远远超过以前的工艺。如果你超过某一临界温度，漏电的快速上升令人震惊。
　　NVIDIA可采用的另一种方法是屏蔽那些过于脆弱的晶体管，保持电压不变。不幸的是，GF100在架构上的设计，让这个变通方法非常棘手。费米GF100架构上由16个组的32个着色单元组成，构成全部512个着色器。从各方面来看，如果你要屏蔽脆弱的晶体管，你被迫去屏蔽整个1组32个着色单元，由于脆弱晶体管分散在整个图形芯片当中，因此，屏蔽2组晶体管，把意味着你失去64个着色器，这种级别的着色器丢失，是NVIDIA无法承受的。
　　就当前的A3版本来说，消息来源告诉我们，NVIDIA不得不在两个方面进行“修复”，即至少关闭2组着色器，丢失64个着色器，并加大电压。这使得GPU在消耗更多电力的同时，丢失至少12.5%的预期性能。如果你在一台个人电脑当中使用这种芯片那无所谓，但是如果在超级计算机当中，成百上千大量使用这种芯片，这意味着计算性能的大量丢失。
　　因为GF100功耗巨大且和晶体管薄弱，费米GF100根本不会运行在高工作频率。去年3月，消息人士告诉SemiAccurate，预期的时钟频率为主频750MHz，sp频率1500MHz。既然你只能提升电压凸现奇迹，因此我们听到了 A3版GF100只有600MHz，sp频率只有1200MHz，而且是关闭2组着色器（64个着色器）之后的结果。

作者: max2cd 时间: 2010-2-24 16:35
　　NVIDIA公司去年秋天声称GF100性能超过Cypress(HD 5800系列)百分之六十以上。现在声称的领先幅度迅速下降到百分之四十，在CES上，NVIDIA 公司只能挑选最适合GF100架构的游戏和基准测试来炫耀它的架构优势。这些淋漓尽致的百分之六十领先幅度，是他们认为最好的情况。
　　如果百分之六十的领先幅度来自512个着色器完全工作，750/1500MHz工作频率，280瓦功耗的费米GF100，那么448 个自着色器，600/1200MHz工作频率的GPU只有87.5%的着色器数量和80%的工作频率，那么领先程度就是160*0.875*0.8 = 112，即领先Cypress(HD 5800系列)大约12%，不要忘记，ATI已经有两颗Cypress(HD 5800系列)芯片的5970上市，费米 GF100性能不能指望接近5970。
　　费米GF100芯片面积比Cypress(HD 5800系列)大至少60%，这意味着它的成本也高出Cypress(HD 5800系列)百分之六十以上，实际情况有可能接近3倍之多。 NVIDIA公司需要GF100有显著超越Cypress(HD 5800系列)的性能标杆，以订出它可以获利的价格点，即使不考虑产率问题。相比之下，ATI已设定HD 5970上限价格。
　　现在谣言四起，传闻NVIDIA将只有5000到8000片GF100芯片，以GTX480型号投放市场。SemiAccurate有直接听一个不太明确的数字，即“低于1万片”。在今年3月底发布GF100之前，GF100显卡已经生产大约2个月时间。NVIDIA在去年年底从台积电购买了大约9000片“风险”晶圆，如果每片晶圆可以拿出104颗芯片候选，那么9000片晶圆意味着936K颗芯片。
　　即使NVIDIA将初始生产目标提升10倍，其产率仍然在一位数的范围内。每片晶圆成本在5,000美元，每片晶圆拿出10颗正常工作的芯片，这是一个相对非常良好的状态，这使得每颗GF100成本大约在500美元，即10倍于ATI的成本，再加上GTX480显卡其它材料成本，让其售价超越 ATI HD 5970，让他GF100显卡性价比远低于HD 5970，并且其零售价格有可能接近于其它专业工作站和计算显示卡价格。
　　GF100真正的修复，需要重新设计电路，尽量减少台积电工艺在晶体管差异上的影响。这都需要花费时间和芯片面积，从重新投片算起时间至少需要 6个月才能上市。如果你还记得，费米在去年7月下旬投片成功，在11月下旬接受少量预定。如果今天改进版的GF100开始投片，那么要到2010年第三季度才能让B1版GF100流片成功，那时竞争对手都接近于拿出下一代28纳米图形芯片，因此GF100就算改版，也不会有很长的使用寿命，它将很快被 28nm下一代芯片所取代。
　　NVIDIA公司如果进行必要的更改，这也会带来另外两个问题。 NVIDIA公司现在遇到两个工程问题，即芯片尺寸瓶颈和功耗瓶颈。功耗瓶颈很简单，一个PCI-E卡的300W的硬性限制，超过这个限制，你不会得到的 PCI-E认证，没有认证意味着法律责任问题，OEM厂商不会让他们的PC采用这种显卡。这意味着显卡已经在市场上死亡。到目前为止，GF100功耗已经达到 280W，NVIDIA公司已经在无法通过PCI-E认证的边缘。
　　芯片尺寸瓶颈情况类似，你只能适应台积电40纳米蚀刻工艺掩模的限制，G200已经几乎接近于这种限制，费米GF100的任何变化设计，很可能会推动芯片的尺寸，让其根本不适合台积电40纳米工艺。在这一点上，唯一的办法，是采用更加先进的28nm工艺，但第一个28nm工艺晶圆可以切割出正常工作芯片的时间，要到2010年最后几天才行。
　　费米GF100芯片已经比最初计划晚了6个月，即便可以批量生产，也已经无法获得利润。GF100初期产品，将有部分提供给公关用途，即提供给媒体和相关公关单位进行评测。NVIDIA每卖出一张GF100显卡都受到了巨大的损失，也就是说，最初的9000片风险晶圆切割完毕之后，NVIDIA 不会再向台积电订购这些晶圆，因此即便大部分GF100显卡用作公关之用，NVIDIA也没有什么损失。
　　GF100芯片无法工作，无法生产，无法修复。如果NVIDIA公司在工程管理上还有作用，那么它现在应该宣布费米1代终结，集中资源进行费米 2代研发，并且有可能在2010年内还有胜算。如果打算对费米1代修修补补，基本上是不可行的，除非芯片直接采用28nm生产。
　　此情况让NVIDIA一直到2011年，除了在公关方面继续作文章之外，没有任何希望。费米的衍生产品只存在于纸上，他们还没有投片。如果 NVIDIA投片这些衍生产品，它们将在芯片尺寸、功耗和产率上遇到和费米GF100相同的问题。ATI将继续对Cypress(HD 5800系列)衍生产品降价，因此，NVIDIA公司在衍生产品上无法赚钱，也无法及时解决问题。 NVIDIA在2010年内没有任何可以获利的DX 11产品，这种情况将一直持续到2010年的最后几天。
　　正如我们自去年5月以来一直说，费米GF100是错误的芯片，以错误的方式制造，为了错误的原因。NVIDIA不顾一切批评竞争对手和产品，比如Intel的Larabee，却最终导致费米GF100 沉没。英特尔常识性地重新调整Larabee芯片和相关公关战略，而不是继续向注定沉没的货船继续砸入数千万美元。NVIDIA的管理技能看上去不如 Intel，NVIDIA公司不仅设计了一个“Laughabee（可笑的bee）”，也违背所有意识和常识，继续建造它.

作者: Azl2 时间: 2010-2-24 16:41
根据这个星期NV的重要发布

下个月见分晓

作者: openlock 时间: 2010-2-24 16:43
长篇大论，到时候GF100发布就真相大白了

作者: solen 时间: 2010-2-24 16:44
。。预计此贴将会被大量挖坟

作者: banner 时间: 2010-2-24 16:53
好多字啊…

作者: the_god_of_pig 时间: 2010-2-24 17:01
悲剧阿

作者: ximen 时间: 2010-2-24 17:08
好长的文章,其实就是5个字 :费米完蛋了

作者: ririlove 时间: 2010-2-24 17:11
不要完蛋啊，我等着5850降呢。。。。。。。。。

作者: 牛奶不老 时间: 2010-2-24 17:13
马上会有人出来辟谣了！！

作者: ximen 时间: 2010-2-24 17:17
那岂不是去年600多买个4850能保值2年?

作者: Azl2 时间: 2010-2-24 17:18
出门回来无聊把这文章读完了对于我这种纯消费非职业玩家来说我有点相信着文章了

作者: hnso 时间: 2010-2-24 17:19
3月底就有揭晓了，
要是老黄3月底还出不来
那费米就注定悲剧了......
等年尾直接跳费米2

作者: sowo 时间: 2010-2-24 17:24
还有1个月就知道了，预言大仙们怎么连这个1个月也耐不住了

作者: clockup 时间: 2010-2-24 17:28
难道等1个月再忽悠一个月，一直这样下去？

作者: 牛奶不老 时间: 2010-2-24 17:32

还有1个月就知道了，预言大仙们怎么连这个1个月也耐不住了
sowo 发表于 2010-2-24 17:24

还有一个月也不过是纸面发布。。。。让你兜里揣着钱，就是买不到

作者: hetachi 时间: 2010-2-24 17:36
每天看费米小道消息也成一种乐趣了。呵呵。看来NV快完蛋了。

作者: 什么？ 时间: 2010-2-24 17:40
Cho说了GTX480 有15TPC，480SP。所以这篇文章很可能FAKE

作者: Al@n 时间: 2010-2-24 17:43
如果是真的，那就真是杯具了~~~！AMD又来一次K8的辉煌了~~！

作者: ifu 时间: 2010-2-24 17:44

3月底就有揭晓了，
要是老黄3月底还出不来
那费米就注定悲剧了......
等年尾直接跳费米2
hnso 发表于 2010-2-24 17:19

3月死活都会憋一块出来展示的

作者: Asuka 时间: 2010-2-24 18:02
这篇文章是扯谈

原文作者在半导体制造领域属于文盲级别，连TSMC的工艺问题出在哪个环节都没弄清

作者: westlee 时间: 2010-2-24 18:09
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作者: Asuka 时间: 2010-2-24 18:12

大家其实不需要知道原因，只需要知道fermi现在难产。
westlee 发表于 2010-2-24 18:09

GTX480年内难产，NVIDIA费米面临推倒重来

原文作者仅仅是想说Fermi难产？

作者: westlee 时间: 2010-2-24 18:15
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作者: westlee 时间: 2010-2-24 18:35
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作者: 卡西 时间: 2010-2-24 18:39
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作者: f68472 时间: 2010-2-24 18:43
只能说微软的Dx更新太快了，Nv跟不上节奏不是一次两次了。

作者: skywalker_hao 时间: 2010-2-24 19:12

常识问题，大的做不出来可以先做小的，全部产品线被压着打而只盯着旗舰属于搞笑行为
文章和上次那个计算成本的是同一个家伙写的吧

作者: Asuka 时间: 2010-2-24 19:29

Fermi难产的真正原因我们无法知道，但原文作者的工艺焦点分析推理得很靠谱，虽然使用了很多不够专业的名词；至于以前盛传的TSMC腔体设备问题早已是5个月前的旧事
AN_Fusion 发表于 2010-2-24 18:32

你对TSMC工艺出问题的环节所知的程度也和原作者差不多，数据级别的论据为0，属于臆断

所以，你认为“分析推理得很靠谱”这个结论也是基本不靠谱的

作者: Asuka 时间: 2010-2-24 19:31

回复牛奶不老
某版果然顺应民意跳出来了
AggressiveZone 发表于 2010-2-24 18:26

文不对题，存证删贴

作者: freshwt 时间: 2010-2-24 19:34
如果有一篇文章能花更多的篇幅反驳这篇，我就相信这篇是假的。

作者: defv4 时间: 2010-2-24 19:42

文不对题，存证删贴
Asuka 发表于 2010-2-24 19:31

赶紧删！真不希望这消息真的！我想买腰斩5系！

作者: 鱼儿水中游 时间: 2010-2-24 19:48
挖槽，像nv这种公司，设计个东西能是那种只顾性能不顾生产能力的吗？他们设计费米的时候，公司里肯定得有好几个台积电的工程师在全程陪同。
再说fx系列失败，有几个不靠百度能准确

作者: 鱼儿水中游 时间: 2010-2-24 19:50
有几个不靠百度能准

作者: slice 时间: 2010-2-24 19:53
AMD最近倒是顺风顺水，发布了基本上很快也能买到了。

NV的3.26发布代表什么？别是火星卡的发布吧，不是我对NV没信心，只是在显卡界，那种发了又发拖了又拖的都是悲剧的，NV能摆脱这一宿命么？

作者: philonb 时间: 2010-2-24 19:54
哎，到处是流言，每当新的芯片发布都是这样
5870要发布的时候也是

作者: westlee 时间: 2010-2-24 19:56
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作者: AnakinYang 时间: 2010-2-24 20:00
哪怕作为一个A饭来看，这篇文章扯得也过头了点
别的不说，就看那个所谓的漏电流引起功耗变大就是纯粹的胡说，如果漏电流真的如其所说，那出现的情况不会是功耗变大而已，而是直接出现hot dot引起晶体管热击穿。这个现象是不可能加个好的散热风扇就解决掉的。

作者: 白云傲霜 时间: 2010-2-24 20:01
有竞争才会有降价

作者: yangyi_allen 时间: 2010-2-24 20:15
每天看费米小道消息也成一种乐趣了，me2

作者: tony0706 时间: 2010-2-24 20:17
好长，好累。。。

作者: reallray 时间: 2010-2-24 20:18
好长啊，终于看完了，一头雾水

作者: hnso 时间: 2010-2-24 20:22
本帖最后由 hnso 于 2010-2-24 20:24 编辑

看这篇文章后,再想一想
NVIDIA 40纳米 GT200系列的频率为什么这么低?
按道理应该不会这样啊~
甚至在液氮的帮助下也难以破G?

作者: 牛奶不老 时间: 2010-2-24 20:34

挖槽，像nv这种公司，设计个东西能是那种只顾性能不顾生产能力的吗？他们设计费米的时候，公司里肯定得有好 ...
鱼儿水中游发表于 2010-2-24 19:48

台积电的员工吃饱撑着去大洋彼岸陪同？AMD都要靠RV740去踩雷，NV什么都没有直接上大芯片，风险自己看得到，又不是傻瓜

作者: 八角差开 时间: 2010-2-24 20:42
这其实是Charlie的英文译文，
[转贴]SemiAccurate：Nvidia的GTX480性能仅与HD5870不相上下
http://we.pcinlife.com/thread-1359431-1-1.html

作者: westlee 时间: 2010-2-24 20:47
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作者: 天天乐开怀 时间: 2010-2-24 21:00

哪怕作为一个A饭来看，这篇文章扯得也过头了点
别的不说，就看那个所谓的漏电流引起功耗变大就是纯粹的胡说 ...
AnakinYang 发表于 2010-2-24 20:00

好吧，作为一个伪专业人士，其实我看不懂楼主的帖子。
不幸的是，唯一我可以确认没说错的，就是你引用的这段....
所谓的漏电流引起功耗变大是真的...

作者: gzpony 时间: 2010-2-24 21:00
留名，纪念。

本文手笔真大，押的赌注真大。作者押了这么大的一篇文章，撞大运蒙对了就声名大噪，和事实不符就身败名裂。
A饭都纷纷下注了，此文意味着高潮来了。

纪念一下，到时产品出来后欣赏欣赏此文。

作者: elisha 时间: 2010-2-24 21:04

留名，纪念。

本文手笔真大，押的赌注真大。作者押了这么大的一篇文章，撞大运蒙对了就声名大噪，和事实 ...
gzpony 发表于 2010-2-24 21:00

Charlie又不是无名之辈

作者: cool_exorcist 时间: 2010-2-24 21:06

Charlie又不是无名之辈
elisha 发表于 2010-2-24 21:04

早在G80时代这个A 木仓就臭名昭著了

作者: 八角差开 时间: 2010-2-24 21:11

光分析有啥用。如果他的论据错误，分析得再好也是错误的。
westlee 发表于 2010-2-24 18:35

Fermi难产是注定了，都拖了大半年了，还有甚么值得怀疑的。性能也就那样了。G80再世，再等3年吧

作者: 傲剑 时间: 2010-2-24 21:32
留名。。。。。。。。。。。。。不知道费米到底什么时候能出来

作者: 什么？ 时间: 2010-2-24 21:40
只怪G21x几个芯片踩得雷不够多，没为Fermi铺好足够宽得路

作者: bennylim 时间: 2010-2-24 21:44
还是别对费米报太大希望啦，又不是只有它值得买，AMD5000系列都不错！

作者: max2cd 时间: 2010-2-24 22:11
我也是N饭，很不愿意看见NV这样，有情绪可以理解，转给大家看看，相信每个人都有自己的判断力～
版主的话让我很想问下：把“真正专业”的文章或观点写出来吧，光批判他人的不专业好像难以服众。

作者: westlee 时间: 2010-2-24 22:24
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: sonicgoboy 时间: 2010-2-24 22:25
“NVIDIA公司在2009年第一季度计划了四款40纳米GPU产品－G212，G214，G216和G218，它们分别是55纳米 G200b，G92b，G94和G96的40纳米马甲版。”
这句话有什么证据

作者: zidane1980 时间: 2010-2-24 22:40
这帖子出来好久了。

作者: zsy19860820 时间: 2010-2-24 23:27
本帖最后由 zsy19860820 于 2010-2-24 23:32 编辑

逛了这么久显卡版，发现GZ的版主多数都是N饭，至少A版和冠希版已经两个了

作者: D65 时间: 2010-2-24 23:38
其实这篇文章的主要作用是让那些在费米和5870间摇摆不定的人，尽快下手买降价前夕的5870。
可是，这会有效果吗？嘿嘿，效果就和放P差不多，写文章的人自己心里清楚。

作者: AnakinYang 时间: 2010-2-24 23:45
本帖最后由 AnakinYang 于 2010-2-24 23:57 编辑

回复 63# WangX

Intel的高K材料防止的漏电流是因为栅氧过薄造成的隧穿效应而生成的从栅极到衬底的漏电流，这种漏电流只是诸多漏电流中的一种。高k的Hf基介质引进栅极的目的就是增加等效SiO2层的厚度。AMD的SOI不用高k是因为体硅和栅极之间没形成通路。
文章中所引用的漏电流不属于这一类漏电流，提高电压不可能解决这类穿通电流。

作者: AnakinYang 时间: 2010-2-24 23:48
本帖最后由 AnakinYang 于 2010-2-25 00:10 编辑

好吧，作为一个伪专业人士，其实我看不懂楼主的帖子。
不幸的是，唯一我可以确认没说错的，就 ...
天天乐开怀发表于 2010-2-24 21:00

那么伪专业人士，什么叫二次击穿效应？

作者: zsy19860820 时间: 2010-2-25 00:19
nv30是杯具了，希望Fermi不要那么杯具

作者: 天天乐开怀 时间: 2010-2-25 00:21

那么伪专业人士，什么叫二次击穿效应？
AnakinYang 发表于 2010-2-24 23:48

我真的有点吃惊你的自信从哪里来的...
如果你认识AMD或者NV的人...或者你认识任何一家AIB或者AIC的人。
请直接去问他们是否leakage越大需要越强的thermal solution...他们做thermal design的时候是否用leakage最大的ASIC去考量的。

好吧，如果上面这段话你不听也不去找人求证，也随便你吧。你有保留你的看法的权利。

作者: carterczr 时间: 2010-2-25 00:35
这种东西根本不值得看,纯粹搞笑

作者: hd4770 时间: 2010-2-25 00:40
查理是洋人中的罕见的歪枣。早年极偏NV，有次参加产品发布会，差旅费未给报销，从此成了N黑。

作者: CoreSolo 时间: 2010-2-25 01:00
谣言，鉴定完毕，300mm晶圆一片硅片能有416个GF100晶圆么？满打满算也就150个。

作者: AnakinYang 时间: 2010-2-25 01:04

我真的有点吃惊你的自信从哪里来的...
如果你认识AMD或者NV的人...或者你认识任何一家AIB或者AIC的人。 ...
天天乐开怀发表于 2010-2-25 00:21

你去看我的原文，我有不承认功耗会升高吗？我是说如果按文章的描述完全就是一个无法制造出成品的工艺，造出来的东西直接就会烧掉，而不是一个仅仅是漏电流有些高功耗有些大需要个大风扇的工艺。

作者: hjhham 时间: 2010-2-25 01:24
太长了，没看~~~

作者: maxim 时间: 2010-2-25 03:59
3月26日真相大白，在这之前不看不理会一切相关言论，这几天被费米搞得都要暴走了！！！

作者: liop 时间: 2010-2-25 04:01
真长，看半天才有个头绪。

作者: bigbadegg 时间: 2010-2-25 06:47
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作者: teddytao 时间: 2010-2-25 06:51
不要听信谗言

作者: 百戒 时间: 2010-2-25 07:40
看不懂,看不懂

作者: maomaobear 时间: 2010-2-25 08:15
嗯，可信程度很高。

作者: 66666 时间: 2010-2-25 08:21
挖坟留名，等看此贴SB级笑话

作者: yjing18 时间: 2010-2-25 08:22
a版让我想起最近看的一部小说叫杜拉拉升职记里面的一个角色
罗杰。
整天满口的不专业不专业
确很少看见他自己

作者: fozzie 时间: 2010-2-25 08:37
看各种FAN厮杀也成了种乐趣。。对高端显卡无需求的人飘过。。。不过话说回来 NV如果真倒了也不是什么惊讶的事。。3DFX就是前车之鉴。。此话同样适用于AMD。

作者: 380 时间: 2010-2-25 08:56
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作者: westlee 时间: 2010-2-25 09:04
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作者: leorex 时间: 2010-2-25 09:06
如果有一篇文章能花更多的篇幅，有点专业的反驳这篇，我就相信这篇是假的。

作者: pantherjj 时间: 2010-2-25 09:11
对新产品望眼欲穿的用户！！！！！！！！

作者: Asuka 时间: 2010-2-25 09:46
本帖最后由 Asuka 于 2010-2-25 09:52 编辑

你就别倔了外行冒充内行，原文作者的推理过程是正确的，你不够懂只是有些内幕消息而已，在拌老虎装大牙，

上面有个楼层说得好：不知道推理的论据是否确实？如果fermi不是这个原因，一切无从谈起
AN_Fusion 发表于 2010-2-25 07:49

没错，原文推力过程是正确的，可惜这个推理的所有论据确是建立在原作者的[意][淫]之上

先不说有没有所谓脆弱的晶体管，理想环境下沉积不当导致的所谓脆弱的晶体管，脆弱在栅极或者管壁上，主要导致功耗上升的栅氧层隧穿不发生在这里。所以即便所谓脆弱的晶体管真的存在，导致的也不是漏电问题，这俩事情之间不存在逻辑上的联系，他连和功耗相关的栅氧层隧穿发生在什么地方都没搞清楚。

其次，提升电压，为的是让槽电流清澈，并不是让所谓的不工作的晶体管工作掉，这跟晶体管脆不脆弱又是不存在任何联系

还是最理想形态下的脆弱晶体管，因为沉积不当导致的管壁厚度不达标的，加压会在第一时间导致沟槽隧穿击穿晶体管，照原作者的意思看来着凉感冒了的人要丢尽冰窟窿里并且再吹点冷风才能康复啊。

我很奇怪原文作者究竟要文盲到什么程度才会写出这种东西？写这种又臭又长的东西好歹也要google大学速成班毕业才来喷啊。

关于TSMC的工艺问题，我一个外行也不好意思细说，您要是有兴趣，我给您稍微提点醒，你觉得下面这个过程，用什么Ea比较合适？？

[attach]1224140[/attach]

作者: skywalker_hao 时间: 2010-2-25 09:51
本帖最后由 skywalker_hao 于 2010-2-25 09:53 编辑

按照物理定律，芯片到了这个级别的制造工艺上，是会出现严重的漏电的，intel采用了
HIGH-K金属栅 ...
WangX 发表于 2010-2-24 22:15

AMD 65NM SOI发来贺电
另外，32~22，才是amd/ibm开始玩hkmg

作者: skywalker_hao 时间: 2010-2-25 10:00

G71>G80正好是Fermi的反例...
当年NV为了减少新工艺的风险，G80依然用了90nm工艺...
N ...
haifengx88 发表于 2010-2-25 00:06

喂，醒醒
G71和GT200能同日而语么
用55nm做FERMI的结果需要去猜么？
硬着头皮也要上40的

作者: Asuka 时间: 2010-2-25 10:10
本帖最后由 Asuka 于 2010-2-25 10:12 编辑

什么也不懂就不要装那个什么字母
rx78meng 发表于 2010-2-25 10:08

拜托，要反驳也拿点干货出来啊

如果你很喜欢这样的胡搅蛮缠，我只能用如下官方辞令回复你了：

以你的_____，我很难和你解释

选择填空

作者: stcshy_3 时间: 2010-2-25 10:26
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: c932 时间: 2010-2-25 10:30
mark 等到fermi出来了或者出不来再见证或者挖坟

作者: ddbaba 时间: 2010-2-25 10:47
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: anolen01 时间: 2010-2-25 10:49

没错，原文推力过程是正确的，可惜这个推理的所有论据确是建立在原作者的[意][淫]之上

先不说有没 ...
Asuka 发表于 2010-2-25 09:46

随便问一下，费米的问题究竟是因为查理说的薄弱晶体管还是因为你所谓的“理想状况”脆弱晶体管么？

作者: xiaochannp 时间: 2010-2-25 10:50
不但费米还费时

作者: cyberchb 时间: 2010-2-25 10:56
我看还是让英特尔来造吧，说不定有奇迹哦。

作者: Asuka 时间: 2010-2-25 10:57

随便问一下，费米的问题究竟是因为查理说的薄弱晶体管还是因为你所谓的“理想状况”脆弱晶体管么？
anolen01 发表于 2010-2-25 10:49

虽然我不知道费米遇到了具体什么样的问题，但肯定与楼主引用文章中这个外国枪手google出来的内容没有关系————因为这个文盲说的东西本身就是错误的，是伪命题

原文作者服务的这个网站的水平和INQ之流也高下立判————自己2，就不要说太多细节，言多必失。你看INQ只告诉你N卡有问题，而不说为什么，多聪明啊

作者: toshibacom 时间: 2010-2-25 10:59

我看还是让英特尔来造吧，说不定有奇迹哦。
cyberchb 发表于 2010-2-25 10:56

那得NV卖身给intel，intel才会造费米。

作者: BLZ.WOW 时间: 2010-2-25 11:16
什么跟什么

作者: 37nan 时间: 2010-2-25 11:33
杯具的不仅仅是费米，消费者才是真正的杯具

作者: slr 时间: 2010-2-25 12:31

喂，醒醒
G71和GT200能同日而语么
用55nm做FERMI的结果需要去猜么？
硬着头皮也要上40的
skywalker_hao 发表于 2010-2-25 10:00

这个设计思想似乎很危险

作者: defv4 时间: 2010-2-25 12:33

这个设计思想似乎很危险
slr 发表于 2010-2-25 12:31

你意思是说NV现在很危险？

作者: slr 时间: 2010-2-25 12:33
看不懂，我只能说，再一个月还是纸面发布的话，不等了

作者: slr 时间: 2010-2-25 12:36

你意思是说NV现在很危险？
defv4 发表于 2010-2-25 12:33

AMD的RV770是落后G80太多才去赌工艺，GT200领先的情况下还要豪赌就想不通了

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