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标题: 台积电谈40nm、28nm工艺展望22nm [打印本页]

作者: earcandy 时间: 2010-2-25 13:42
标题: 台积电谈40nm、28nm工艺展望22nm
在日本横滨举行的台积电日本高管论坛上，台积电研发部门高级副总裁蒋尚义谈及了多个热门话题，包括40nm和28nm工艺、产能和良品率问题、高K 材料技术、未来的22nm工艺等等。

1、40nm工艺产能

蒋尚义表示，40nm工艺上马初期客户需求量就非常高，远远超过了此前世代工艺，因此在产能上很难及时满足。

目前台积电Fab 12工厂每月能够生产大约8万块40nm工艺300毫米晶圆，Fab 14工厂也会很快加入其中，预计到今年底的时候两座工厂的总产能会达到16万块。

2、40nm工艺良品率

蒋尚义称，40nm工艺遭遇的良品率已经在去年下半年彻底解决，正在迅速扩充产能以满足客户需求。

他指出，转向45/40nm碰到的挑战是前所未有的，比如这是台积电第一次使用193nm沉浸式光刻技术，出现缺陷的几率更高。开始的时候台积电使用的是第二代低K材料，K值为2.5，这时候材料非常脆弱，不过台积电也已经开始了第三代的研发。

3、28nm工艺

台积电28nm工艺的第一个版本是低功耗的28nm LP，引入了多晶硅栅和二氧化硅硝酸盐，将于今年六月底投产。

4、高K金属栅极

高性能版本的28nm HP工艺才会第一次引入高K金属栅极(HKMG)技术，预计今年九月份投产，之后十二月增加28nm HPL，同样有HKMG。

5、22nm工艺

28nm之后台积电计划进军到22nm工艺，时间间隔大概是两年，所以，首次投产应该会在2012年第三季度前后，但初期只有高性能版本，2013年第一季度末增加低功耗版本。

对于22nm和再往后的20nm，台积电将引入新的生产模型，首现就是第二代HKMG技术。

6、光刻技术

台积电会继续使用193毫米沉浸式光刻，如果超远紫外线(EUV)或者多重电子束直接写入技术能够更成熟、成本更低，台积电会考虑引入。

蒋尚义透露，新技术成本相当高，比如单单一套EUV设备就需要8000万美元左右。

作者: bestleone 时间: 2010-2-25 13:46
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作者: slr 时间: 2010-2-25 14:07
40纳米良率完全解决？

作者: slr 时间: 2010-2-25 14:09

并不是所有工艺和产能都用于GPU
over
jeandja 发表于 2010-2-25 14:07

关键词：彻底

作者: slr 时间: 2010-2-25 14:34

那篇文章不是空穴来风，可能只有Femi一款芯片良率不高，其他870, Qualcomm 40nm都达到了预期
AN_Fusion 发表于 2010-2-25 14:14

有根有据的才叫“空穴来风”

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