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标题: 新版INTEL SSD全部采用ISSI缓存 [打印本页]

作者: 盗版 时间: 2010-3-21 21:16
标题: 新版INTEL SSD全部采用ISSI缓存
驱家的截图，估计是02HD版本
代替原来镁光的缓存
[attach]1241528[/attach]

ISSI官方主页
http://phx.corporate-ir.net/phoenix.zhtml?c=68026&p=irol-newsArticle&ID=1399825&highlight=

作者: yc1937 时间: 2010-3-21 21:32
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作者: slr 时间: 2010-3-21 22:27
光换缓存顶多是降低成本，等主控更新

作者: itany 时间: 2010-3-22 03:31
楼主啊，我说过多少次了，那不是缓存，是嵌入式系统的内存
如果是缓存，x25-m的写入就不会这么惨了
事实上，你看那些4K读取比写入差得多的SSD，主要都是缓存起作用的

作者: silly 时间: 2010-3-22 03:58
...issi 143mhz.也就是没啥区别。。。呵呵。。继续等g3

作者: logMsg 时间: 2010-3-22 09:26
本帖最后由 logMsg 于 2010-3-22 09:27 编辑

这是一个SDRAM，一般当嵌入式系统的内存用

还记得不，DDR前一代的电脑内存就是SDRAM

作者: adbel 时间: 2010-3-22 09:30
换这个能提升多少性能，或节省多少成本？

作者: ccser 时间: 2010-3-22 09:39
32M内存？设计真烂

作者: yoyofuture88 时间: 2010-3-22 10:30
intel G3也不知道什么时候出来。现在的80G 还是不太够而且有点贵。

作者: gz0921 时间: 2010-3-22 10:39
不要YY了,intel出品的SSD,dram里面是不缓存用户数据的,也就是说,你的数据统统是直接写到flash里面去的,然后再进行数据组织,dram里面缓存的都是控制器程序本身的数据~~

作者: silly 时间: 2010-3-22 11:49
o ..不知道为啥。。我现在手上这块issi内存的。。写可以跑到110m...-_-是cdm测试出来的结果。。

作者: slr 时间: 2010-3-22 13:12

o ..不知道为啥。。我现在手上这块issi内存的。。写可以跑到110m...-_-是cdm测试出来的结果。。
silly 发表于 2010-3-22 11:49

160G G2就这个速度

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