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标题: Intel即将搞定浮体缓存，密度大大增加 [打印本页]

作者: itany 时间: 2010-6-19 20:20
标题: Intel即将搞定浮体缓存，密度大大增加

Intel继续提高缓存密度 FBC有望取代SRAM

驱动之家[原创] 作者：上方文Q 编辑：上方文Q　2010-06-18 15:37:56 6506 人阅读 [投递]

由于架构方面的需要，Intel处理器通常都配备有大容量缓存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二级缓存、双核心Itanium曾有24MB三级缓存。现在，Intel又准备继续提高缓存密度了，而且有意使用新的缓存类型。

2010年度超大规模集成电路技术研讨会即将于下月5-7日举行，Intel将会通过两个主题演讲，介绍他们在处理器缓存技术上的最新研究成果，特别是有望取代现有SRAM的“浮体单元”(Floating Body Cell/FBC)。

SRAM和eSRAM是目前最常用的两种嵌入式内存，其中前者有六个晶体管，体积较大，但速度非常快，制造难度也很低，而后者每个单元只有一个晶体管和电容器，体积小了，速度却也慢了，制造也很困难。FBC就是集这两种技术之长于一身，每单元仅有一个晶体管，比SRAM轻巧很多，同时速度又比eSRAM更快，制造也相对简单。

据了解，Intel已经成功制造了22nm新工艺FBC存储器，而且使用的是非常适合大批量生产的Bulk晶圆，相比此前试验使用的SOI晶圆在成本上低廉很多。

另一份论文中，Intel还描述了如何在一个FBC存储器的后栅(back gate)中选择性地掺入杂质而不影响设备的其他部分，从元件尺寸看难度相当大。
除了Intel，伯克利和东芝也都在致力于FBC技术的研究，但实现方法和Intel有些不同。

作者: slug 时间: 2010-6-19 22:10
厉害，继续一骑绝尘

作者: OPPY 时间: 2010-6-19 22:48
............就是说没有SRAM快是吗？

作者: slr 时间: 2010-6-19 22:55
回复 3# OPPY 容量提升有可能超过速度下降的影响

作者: spinup 时间: 2010-6-19 22:57

回复 OPPY 容量提升有可能超过速度下降的影响
slr 发表于 2010-6-19 22:55

作为L3这个速度够了。

作者: OPPY 时间: 2010-6-19 23:02
回复 4# slr
看来要进入几十兆缓存的时代了

作者: slr 时间: 2010-6-19 23:03

回复 slr
看来要进入几十兆缓存的时代了
OPPY 发表于 2010-6-19 23:02

L3而已。。。

作者: tcgg1983 时间: 2010-6-19 23:55
要是L1 或者L2这么大一定很HAPPY 其实最期待啥时候电脑只有路由器那么大就好了

作者: itany 时间: 2010-6-20 02:06

要是L1 或者L2这么大一定很HAPPY 其实最期待啥时候电脑只有路由器那么大就好了
tcgg1983 发表于 2010-6-19 23:55

缓存大了延迟就大，没有免费的

作者: efficient3d 时间: 2010-6-20 09:48
缓存大命中率要高才行，否则也是白搭

作者: 800jian 时间: 2010-6-20 10:29
缓存可以像内存那样自由加减该多好呀

作者: yu050116 时间: 2010-6-22 18:00
顶顶更健康

作者: ml0597927 时间: 2010-6-22 19:55
oh my lady gaga

作者: ericecx 时间: 2010-6-23 10:10
技术真是日新月异啊。

作者: empressgirl2010 时间: 2010-10-13 17:41
大家們，我們都需要尋找平衡點的，包括IT！！！

作者: 直流电 时间: 2010-10-13 18:23
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