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标题: 【转贴】AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大？ [打印本页]

作者: 碎梦刀 时间: 2010-8-17 09:07
标题: 【转贴】AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大？
AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大？
ZDNet服务器频道时间：2010-08-16作者： | ZDNet编译
本文关键词：22nm GLOBALFOUNDRIES Intel AMD

当AMD在去年出售位于纽约北部的制造工厂GLOBALFOUNDRIES时，AMD宣称此举是为了“缩小与Intel的差距”。AMD制造系统技术副总裁Tom Sonderman表示：“我们在45nm技术上与Intel相差一年，这一差距将在32nm技术上大幅缩小。到22nm的时候，我们将与Intel并驾齐驱。”

但是一年之后，似乎这个差距变得越来越大了。Intel在今年一月推出了首款32nm“Westmere”至强处理器，而GLOBALFOUNDRIES则表示他们计划在明年年中交付32nm芯片。“32nm SOI制程符合AMD的要求，而且目前AMD是我们采用该制程工艺的唯一客户。我们已经开始了初期生产，并公开承诺他们已经给付了样品，计划（在2011年上半年）交付产品。”

目前该公司还在开发28nm制程工艺——比32nm前进了“半个节点”——并且计划在明年交付芯片。该公司新闻发言人表示：“在28nm制程——主要针对高性能和低功耗设备——方面，我们将今年年底制造出产品，并从2011年开始量产。产品上市的时间要取决于客户，不过你可能会在2011年上半年会看到。”

据UBM Techinsights高级分析师Carl Wintgens，AMD与Intel的差距不断扩大部分原因是由于两家厂商的竞争不仅在于缩小的制程工艺上，而且还在于高K-金属栅极的进程上（高K-金属栅极技术取代了沿用了40年之久的二氧化硅材料）。

Wintgens表示：“到目前为止还没有其他制造商公布他们的32nm技术，只有Intel。因为，大多数制造商将在32nm方面首次引入高K-金属栅极技术。这是非常复杂的，可能会成为推迟的原因。”

Intel早在32nm之前的45nm工艺上就首次采用了高K-金属栅极技术。

而且，Intel的竞争对手在高K-金属栅极技术上采取了不同的策略。Intel使用的是Gate-last工艺，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极。而GLOBALFOUNDRIES与其他“IBM晶圆俱乐部”的成员采用的是传统Gate-first工艺。Wintgens表示，随着高K-金属栅极技术的采用，Gate-first工艺可能会出现一些问题。

“当你对硅片进行漏/源区离子注入操作的时候，你必须使用高温流程，如果栅极是金属的，那么栅极的电性会受到该流程的影响。这就是为什么最好是在漏/源区之后做金属栈极。这会在流程中引入一些复杂性，但是最终会形成一个更可靠的流程。”

根据报告显示，三星正在探索一种Gate-last工艺以迁移到22nm，考虑到Gate-first工艺只适合于一个制造“节点”——例如32nm。

GLOBALFOUNDRIES将可能成为第一个完成32nm first工艺工艺的制造商，但实际芯片的问世可能要推迟到明年年中——尽管台积电可能会赶在前面。台积电采用的是Intel Gate-last工艺。

Wintgens表示，GLOBALFOUNDRIES的28nm制程仅仅是为了证明双方差距并没有扩大的一个假象。他说：“他们想说‘我们不希望在与Intel对比的时候显得太糟糕，因此我们将推出28nm。’28nm并不是一个真正的工艺点，而是一个中节点或者办节点。”

他甚至质疑AMD的32nm工艺是否会推向市场。GLOBALFOUNDRIES并没有谈论关于从20nm到22nm的详细计划，但是该厂商表示将于今年9月在硅谷展开的一次会事上透露相关信息。

作者: PRAM 时间: 2010-8-17 09:52
不是AMD与Intel的制程工艺差距正在扩大，而是其他厂商与Intel的制程工艺差距正在扩大

作者: hygcn 时间: 2010-8-17 10:20
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: PRAM 时间: 2010-8-17 10:21
Looking further into the future, Glasgow, along with Intel and IMEC, is involved the Terascale Reliable Adaptive Memory Systems (TRAMS) project, to determine what might happen beyond the 15nm node. "There is no doubt that Intel will go to 15nm, but it recognises that, while variability problems are large at 22nm, beyond that they become severe," said Prof Asenov.

作者: openlock 时间: 2010-8-17 10:22
到22nm的时候，我们将与Intel并驾齐驱
当时我就不相信

作者: PRAM 时间: 2010-8-17 10:25

到22nm的时候，我们将与Intel并驾齐驱
当时我就不相信
openlock 发表于 2010-8-17 10:22

除去SOI的HP工艺，IBM的BULK HP不如TSMC的HP

作者: zcwinner 时间: 2010-8-17 10:26
的确如此~！

作者: PRAM 时间: 2010-8-17 10:28
IBM**烘烘烘,希望0.13um跌一跤拖惨U的故事不要重演,不然不知道拖多少人下水,边走边看吧.

作者: PRAM 时间: 2010-8-17 10:28
Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极；与此相对的是Gate-first工艺，这种工艺的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之前便生成金属栅极。
由于退火工步需要进行数千度的高温处理，而Gate-last工艺则可令金属栅极避开高温退火工步，因此相比Gate-first工艺而言，前者对用于制作金属栅极的金属材料要求更低，不过相应的工艺技术也更复杂，Intel便是Gate-last工艺的坚定支持者，而IBM/AMD则将采用Gate-first工艺制作32nm制程金属栅极。intel 的gate last 的工艺，虽然复杂了点，但是我想当初开发的时候，不可能没有想到，从三明治的角度来比喻，intel的gate因为侧面也保护起来，似乎更加能够防止漏电。
而且从图片来看，intel到从45nm开始，gate 做的越来越工整。就我个人的认知，Gate last整合比较方便，而且Vt失谐也有保证,Metal Gate避开了高温process,量产整体稳定性也是有保证的,唯一的问题还是在于成本.
  就Metal gate fill in而言,Intel用的是Al,大可以换成W, gap fill能力基本没大问题而且WCVD/WCMP是很成熟的process了,大不了阻值比Intel Al高一些,但是比IBM的metal/poly/NiSi低是肯定的
   所以目前而言,Foundry端,T跟U选的都是Gate last,最主要的考量还是稳定性,C跟S没什么好说的,给IBM上贡自然是Gate first.
   其实最重要的一点,Gate last Intel已经当过小白鼠了,至少证明是可以大规模量产的, T跟U选择gate last,不无这方面的考虑.

作者: Rastax 时间: 2010-8-17 11:08
应该说是英特尔正在拉大和其他厂商的差距.

作者: xidor 时间: 2010-8-17 18:38
intel只设计芯片吧?工艺上又不是intel的机器.貌似是富士的.AMD和intel就是一家.美国讲究的就是团体.

我们从另一种角度思考下,如果AMD和intel不相上下,对谁最有好处?目前的状况消费者就是最吃亏的!

作者: foxroz2003 时间: 2010-8-17 19:46

intel只设计芯片吧?工艺上又不是intel的机器.貌似是富士的.AMD和intel就是一家.美国讲究的就是团体.

我们 ...
xidor 发表于 2010-8-17 18:38

对你表示无语。。。。。。

作者: asdfjkl 时间: 2010-8-17 19:48

intel只设计芯片吧?工艺上又不是intel的机器.貌似是富士的.AMD和intel就是一家.美国讲究的就是团体.

我们 ...
xidor 发表于 2010-8-17 18:38

不是你吃亏了，所以其他厂商和Intel就没有差距了。
技术问题，特别是硬件；远比软件难超越。

作者: asdfjkl 时间: 2010-8-17 20:04

对你表示无语。。。。。。
foxroz2003 发表于 2010-8-17 19:46

没一句对的，光刻机是尼康，ASML提供的。

作者: PRAM 时间: 2010-8-17 20:22
光刻机 intel 45 NIKON ?% ASML?% 32 NIKON 100% 22 NIKON 50% ASML 50% AMD(GF) 45/32 ASML TSMC 45/32 ASML

作者: xidor 时间: 2010-8-18 10:28

光刻机 intel 45 NIKON ?% ASML?% 32 NIKON 100% 22 NIKON 50% ASML 50% AMD(GF ...
PRAM 发表于 2010-8-17 20:22

intel基本都是用日本的光刻,以前还有个文章调侃说,尼康不是哥做不出U,是哥不想做.光刻精度我认为美国还没日本**!

作者: PRAM 时间: 2010-8-18 11:19

intel基本都是用日本的光刻,以前还有个文章调侃说,尼康不是哥做不出U,是哥不想做.光刻精度我认为 ...
xidor 发表于 2010-8-18 10:28

我们使用的液晶面板也是在wafer 上用光刻机曝出来的像素点。只是因为点比较大所以工艺比较简单。
在这个领域 canon 占主导 asml一直没有介入。

其实我们已清楚地看到了，canon已经推出半导体 litho 的领域了

nikon, 说实话从技术和投入上都远不及 asml特别是到EUV的时代恐怕大家都没有别的选择了。

作者: PRAM 时间: 2010-8-18 11:20
Canon退出了， Nikon不行了， asml独大了
现在asml的 nxt 已经慢慢的开始在全球出货了。
几个大的memory厂都开始购买了(包括国内的海力士也有计划。
也已经慢慢的要开始退出了。

TWINSCAN NXT:1950i

   Lens                               Field Size                      Overlay                                                 Throughput
K1 R, HNA Resolution                            X Y                16-point Alignment                300 mm Wafers 30 mJ/cm2 (125 shots)

I0.85-1.35 < 38 nm                   26 X 33 mm             < 2.5 nm*                                                    > 175 wph

作者: PRAM 时间: 2010-8-18 11:20

intel基本都是用日本的光刻,以前还有个文章调侃说,尼康不是哥做不出U,是哥不想做.光刻精度我认为 ...
xidor 发表于 2010-8-18 10:28

Nikon 就靠intel帮它撑着了
呵呵你知道为什么intel 撑着他？
因为intel不想asml 一家独大。
不过听说asml 拿到 intel 的大单了。看来intel 也没有办法。不选asml 不行。

作者: PRAM 时间: 2010-8-18 11:22
据Jagadish Iyer透露，Intel的22nm制程芯片在光刻过程==有45个光刻层需要处理，其中有55%的光刻层都需要用到沉浸式光刻技术。另外其中40%是属于前段工步（FEOL：主要在硅片上制作MOSFET等电路元件的工步），而60%则属于后段工步（BEOL：主要在芯片上制作配线，封装的工步）。
他还表示ASML公司的NXT:1950i光刻机据称会被用在这些光刻处理过程中的前端工步，而尼康的S620D机型则将用于后端工步的光刻。“尽管在未来2-3个月内，情况有可能会发生一些变化，但那时我们仍然认为Intel会在Overlay参数要求较高（<3nm）的前段工步使用ASML公司的光刻机产品。”
据报道，ASML公司会向Intel公司供货18台NXT光刻机；而尼康公司则将向Intel公司供货25台S620D光刻机。nikon声称S620D,是该公司10年以来,最有竞争力的产品.
按照nikon的说法,未来几个月相当关键,如果拿不到足够的订单,那么未来ArF immersion领域就会基本被ASML垄断了.
他们还说,那样的话,asml还会继续提高价格.

作者: PRAM 时间: 2010-8-18 11:24
nikon自从被asml超越以后,虽然努力追赶,但是差距,在过去几年还在拉大.据说2008年还是2009年的数据:
占据销售额的50%,
nikon占据机台数量的56%,
himmmersion方面,
出货54台,nikon出货15台,canon为零,现在asml的优势很大,nikon似乎在准备做最后一搏了,不成功便成仁了如果nikon最后一搏不成功的话，日本应该会合并NIKON和CANON的光刻部门

作者: PRAM 时间: 2010-8-18 11:26
现在,情况确实对nikon很不利.老客户intel都不再坚持了,而且是在最关键的layer采用asml台湾公司那么小气,在ASML产能严重不足,交货漫长的情况下,依然不向nikon订货.
未来的话,EUV也是asml占优势.不过,垄断确实不是好事
asml就和那帮台巴子勾结,拿回扣,漫天要价.12寸的asml已经占到60%以上的市场了。
很多不是光因为成本的原因，而是只有asml的机器作为选择。

NXT出来了，那么贵，但是各个大厂都开始买了。谁先拥有，谁先掌握，谁才有优势。
你看看全球的fab, flash大厂，哪个不买NXT????
无锡也要买了。

作者: geofy 时间: 2010-8-18 17:38
本来就不是一个水平的。。

作者: monster_3j 时间: 2010-8-18 19:29
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: 碎梦刀 时间: 2010-8-19 08:45
光刻只是芯片制造的一部分，每个芯片工制造商都有自己的技术和专利，当然amd还有别的一些厂商严重依赖传说中技术强悍的IBM。这10年来感觉IBM宣布出来的技术都很强大，但一旦用于大规模商用好像就遇到难题了，所以导致了其制程工艺落后于intel。而intel则踏踏实实的按照自己的节奏行事，这才是非常高效的商业机器。

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 09:45
回复 25# 碎梦刀 外行才会认为IBM半导体很强，实际上，非SOI的HP工艺，IBM还不如TSMC，因为这样,IBM才需要昂贵的SOI，缩小和INTEL的差距

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 09:54

光刻只是芯片制造的一部分，每个芯片工制造商都有自己的技术和专利，当然amd还有别的一些厂商严重依赖传说中 ...
碎梦刀发表于 2010-8-19 08:45

It's IEDM time, and tis the season for Intel and IBM to throw snowballs at the competition. Intel senior fellow Mark Bohr got in the spirit the other day while briefing reporters about Intel’s 32 nm technology.

Bohr claimed that Intel was “more than a generation ahead of the competition.”

Asked what he meant, Bohr said his assessment was not simply the two-year period that Intel defines as a technology generation. “I include how tight the gate pitches are, how high the drive currents are, how soon we expect to ramp the production technology. What we are saying is that our drive currents, pitch, and earlier timing add up to a generation ahead of the competition.”

Bohr didn’t stop there. Egg(nogg)ed on by more questions, Bohr said that IBM’s bulk (i.e. non-SOI), low-power, high-k/metal gate 32 nm process has “drive currents close to Intel’s 65 nm low-power transistor.”

Bohr said that based on what IBM published at last June’s Symposium on VLSI Technology for its first high-k/metal gate implementation, the drive currents “were quite poor at the same leakage levels, 100 nA at 1 V. Their 32 nm transistor is about comparable to our 65 nm.”

作者: spinup 时间: 2010-8-19 09:54

soi贵在啥地方清不清楚？

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 10:46

soi贵在啥地方清不清楚？
spinup 发表于 2010-8-19 09:54

目前福布斯对Intel的低功耗策略做了个报告，同时他们提到一个SOI技术问题，我们知道SOI（silicon-on-insulator）是一种首先被用在卫星和军方的技术，而且非常昂贵。

　　实际应用也只在高端芯片中采用，SOI硅片的单片身价就在 $ 1000，比一般的硅片 $ 300高出许多，而且目前只有3%的硅片是采用SOI技术。　　此前AMD在IBM的帮助下，最终在SOI技术上取得成功，但Intel对该技术报以冷静的态度，他们认为他们不需要这种异常复杂而高昂的SOI，Intel正在采用strained silicon等技术，

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 10:48
SOI全名为Silicon On Insulator，一开始是由美商IBM公司的芯片部门投入开发，最早用于MAC电脑的PowerPC G4处理器，除了IBM外，还有Motorola、德州仪器、NEC等公司投入SOI技术的开发工作。但是Intel公司拒绝在其处理器产品中使用SOI技术，因为其认为SOI技术容易影响晶圆品质与减低晶体管交换速度，并且SOI上接合点也会减少，也就是一般制程中“漏电”的缺点所烦恼。

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 10:55
本帖最后由 PRAM 于 2010-8-19 11:16 编辑

soi贵在啥地方清不清楚？
spinup 发表于 2010-8-19 09:54

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草履虫

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发表于 2010-3-6 20:35 | 只看该作者
ibm似乎不愿意给intel授予HKMG技术所以intel决定自己搞的
superrugal 发表于 2010-3-6 18:33

intel的hkmg技术基本上都是自己搞的。虽然各家都考虑过相似的材料....倒过来ibm倒可能受intel一些启发。-----------实际90年代末，包括INTEL,IBM,TI,TSMC都各自独立开发HK，TI最后放弃LOGIC工艺，可能与HK不顺有关
我翻译过讲intel HKMG工艺的文章。intel的工艺其实已经相当明了了。

IBM系（ibm与很多厂商都有合作关系，特别是amd）的HKMG与intel的HKMG有两个重大区别：
intel的介电材料是氧化铪，而ibm的是硅酸铪。
intel采用gate last工艺而ibm将采用gate first工艺。

这两者的区别绝不小于SOI与bulk工艺的区别。我原来的预测是ibm的工艺更方便而性能略差--但是ibm提供的使用HKMG的45nmSOI数据显示其性能极高----个人估计是什么地方弄错了，不过即使做一点修正，超过intel的同级工艺不成问题。 ----------------这种说法在2IC只能是笑话，GATE-FIRST已经快玩完了，HKMG的45nmSOI只是研究用，而且EOT太厚

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 10:56
ee.letters
入伍新兵

名誉值1  工作领域工作年资个人空间发短消息加为好友当前在线  1# 大中小
发表于 2009-3-19 16:43  只看该作者
求助: High-k gate-first 与High-k first, metal gate last比较?
目前只了解:
IBM alliance:  High-k gate-first, 工艺简单,与原有工艺类同,
Intel: High-k first, metal gate last, 性能好 x
不知道对不对.,
到底区别有哪些? 好处在哪?

IBM联盟有用metal gate呀. 为什么提的很少呢?

谢谢!

搜索更多相关主题的帖子: gate metal first last 求助

UID252313 帖子121 精华0 积分8 金币17  名誉值1  在线时间116 小时注册时间2006-7-27 最后登录2010-8-19 查看详细资料
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tellmewhy
论坛版主

名誉值50  工作领域PIE 工作年资4年个人空间发短消息加为好友当前离线  2# 大中小发表于 2009-3-20 09:50  只看该作者
IBM联盟metal gate只在32nm以下用，并且至今也不成熟，所以提得很少，前2个问题暂时不能回答你，因为涉及到某些机密以前有一个半导体工程师，非常认真负责，任何data都仔细check，老板压的AR都最快最完美的解决，无论多难的case，都能顺利的close，每天不做完事情坚决不肯走，终于有一天他。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。挂了

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:01
IBM 45nm high-k /metal栅极SOI工艺给人的印象相当深刻，基本上体现了32nm工艺的性能。不过从描述来看应该是以研究为主，并不会获得实际生产。

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:02
本帖最后由 PRAM 于 2010-8-19 11:03 编辑

http://www.inpai.com.cn/doc/pic.aspx?pic=http://img.inpai.com.cn/article/2009/8/11/1b6de245-7274-4c3c-b10c-e346a9b55279.png&id=103754

AMD实际使用的是2007发表这个

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:04
有人声称EOT越厚越好，更是让人无话可说

作者: spinup 时间: 2010-8-19 11:12
.....既然看得到我的帖子，就应该看得到我的博客，可以看到更详细的内容.........

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:18
台积电一改以往用Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ工艺的做法，计划于２８ｎｍ　ＨＫＭＧ栅极结构
制程技术中采用Ｇａｔｅ－ｌａｓｔ工艺。业界内，Ｉｎｔｅｌ是Ｇａｔｅ－ｌａｓｔ的先锋，
从４５ｎｍ　ＨＫＭＧ制程起便一直在采用；而ＩＢＭ、ＡＭＤ、
Ｇｌｏｕｂａｌｆｏｕｄｒｉｅｓ则沿用Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ工艺。台积电解释，如今的
Ｇａｔｅ－ｆｉｒｓｔ＋ＨＫＭＧ工艺很难控制管子Ｖｔ电压，而在管子的上覆层
（ｃａｐｐｉｎｇ　ｌａｙｅｒ）上想办法进行补偿的难度相当高。
　　工艺转换不仅需要芯片代工厂商调整工序和制造工艺，还需要电路设计方调整电路
Ｌａｙｏｕｔ设计，这样才能在转换工艺后保持产品的管芯密度不变。台积电为克服这些问题，
正与客户的电路设计Ｌａｙｏｕｔ团队一起合作解决。台积电表示，今年将启用三种不同的
２８ｎｍ制程实施计划。

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:19
本帖最后由 PRAM 于 2010-8-19 11:23 编辑

.....既然看得到我的帖子，就应该看得到我的博客，可以看到更详细的内容.........
spinup 发表于 2010-8-19 11:12

你的BLIG我看过了，相当不专业，你看看我的吧----
http://rram.spaces.eepw.com.cn/

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:20
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作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:22
09-6-4 14:39

RRAM你好，很高兴看到你关于DRAM进展的帖子。
我现在一直做DRAM的工艺支持。
如果愿意的话，也希望结识你这样的朋友。

另外如果可以的话，可以将那个报告给我发一份么。
总结性的报告很久没看了。

谢谢拉。转发
  09-6-11 11:28

那个报告我也没有
09-6-11 17:38

hehe  你不是贴上去了吗。
以后大家有机会一起讨论讨论。
其他地方的，不过我有ISSCC2009 DRAM的论文
  09-6-11 18:06

DRAMX的报告是要钱的
09-6-11 22:02

ISSCC 2009 DRAM的报告可以发一份给我么？
你是学校的么？
如何方便的联系你。

我加你好友，验证一下啊
09-6-13 14:38

好的。转发
  09-6-13 14:53

发了SAMSUNG 56NM 6F2的论文给你，你有哪些论文，有没有IEDM和VLSI的，有的话发点给我
09-6-13 15:07

我是做工艺蚀刻部分的。和你的方向略微有点不一样。
我现在有2009 semicon china 论文合集。
2009 ISTC

非常感谢你的文章。
我看了一下，这个都是在参数级别。产品性能上的介绍和特性研究。侧重于VLSI。
和我研究的方向有些不同了。我在半导体晶圆制造上。工艺集成。设备开发。转发
  09-6-13 15:45

那你有哪些工艺集成的论文
09-6-13 15:55

2005 Dry process 国际会议论文集
2008 日本半导体学会论文海报集
摩尔定律scailing
etch module 公司内部前沿资料，涉秘
samsung flash procces flow
toshibPro-Acess flow
infenion process flow
hynix process flow.

高校，研发太理论的东西，对我不是很合适。
我现在多为工程实现做一些工作。

最近在看IMEC的工艺seminar，虽然是3年前的东西，但是总体不错。转发
  09-6-13 16:02

发一下摩尔定律scailing 的给我啊，谢了啊，要不要ISSCC2009 HYNIX 54NM 8F2的，我这还有ISSCC的SRAM和NAND的
09-6-13 16:17

好的啊，
我现在做的就是54nm DRAM。发给我看看吧。
虽然这样的论文看起来很累。

那天的DRAMxchange的报告可否发一个清晰的版本给我？

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:29
IBM的中看不中用, 你看他的Spice model出来的数据就知道了,尽管单个device看起来差不多的

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:43
IBM的32NM是DESIGN RULE标准的32NM，而INTEL的32NMDESIGN RULE更加严格，“ contacted gate pitch”最小的，知道32NM和28NM的区别吗？就是contacted gate pitch

作者: PRAM 时间: 2010-8-19 11:51
bakerlee
入伍新兵

名誉值0 工作领域School 工作年资还是学生个人空间发短消息加为好友当前离线 6# 大中小发表于 2009-8-25 18:44 只看该作者
最近看过的最有意思的新闻。TSMC最终还是投向了栅后制工艺，看来走了不少弯路。栅优先的主要问题是PMOS，公开的报道中其实没有解决方案。IBM阵营不知道看后什么滋味。

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