POPPUR爱换

标题: Bobcat dieshot 与性能预览！ [打印本页]

作者: hammerking 时间: 2010-9-4 20:15
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作者: skywalker_hao 时间: 2010-9-4 22:14
那个GPU和5450还真吻合啊，5450是59mm^2

作者: PRAM 时间: 2010-9-4 22:44
回复 1# hammerking

我记得K10比C2D强40%

作者: xf-108 时间: 2010-9-4 22:45
bobcat是40nm工艺？

作者: xf-108 时间: 2010-9-4 22:46

回复 hammerking

我记得K10比C2D强40%
PRAM 发表于 2010-9-4 22:44

嘴pao团不一直这样么？

作者: PRAM 时间: 2010-9-4 22:51
本帖最后由 PRAM 于 2010-9-4 22:54 编辑

core2的pentium双核有1.6G的，而且早没有了，这种对比就和某芯现在和P4 1.4相比一样

作者: hammerking 时间: 2010-9-5 18:55
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作者: inonefly 时间: 2010-9-5 19:05
学习以下。。。。。。。。。。。。。。

作者: itany 时间: 2010-9-5 19:36
这是什么性能预览……
City of Heros最低画质能说明什么问题呢？要比就和双核的Sandy Bridge比好了
反正双核Sandy也有25W的

作者: acqwer 时间: 2010-9-5 20:09
召唤K10的3万分

作者: 4479237 时间: 2010-9-5 20:28
80SP...那性能够烂的

作者: xf-108 时间: 2010-9-5 21:57
主流级别的APU有新传言是240SP

作者: PRAM 时间: 2010-9-5 22:15

这是别人的测试结论~可能的确很出乎你当初的意料吧~
hammerking 发表于 2010-9-5 18:55

不好意思，我没有时间意料这种没有技术含量的东西
24.6 A 159mm2
32nm 32Gb MLC NAND-Flash Memory
with 200MB/s Asynchronous DDR Interface
Hyunggon Kim, Jung-hoon Park, Ki-Tae Park, Pansuk Kwak, Ohsuk
Kwon, Chulbum Kim, Younyeol Lee, Sangsoo Park, Kyungmin Kim,
Doohyun Cho, Juseok Lee, Jungho Song, Soowoong Lee, Hyukjun Yoo,
Sanglok Kim, Seungwoo Yu, Sungjun Kim, Sungsoo Lee, Kyehyun
Kyung, Yong-Ho Lim, Chilhee Chung
Samsung Electronics, Hwasung, Korea
References:
[1] D. Nobunaga, et al., “A 50nm 8Gb NAND Flash Memory with 100MB/s
Program Throughput and 200MB/s DDR Interface”,  ISSCC Dig. Tech. Papers,
pp. 426-427, Feb., 2008.
[2] K.-T. Park et al., ”A 64-cell NAND Flash Memory with Asymmetric S/D
Structure for Sub-40nm Technology and Beyond”, Dig. Symp. VLSI Technology,
pp. 19-20, Jun. 2006.
[3] K.-T. Park et al., ”Scalable Wordline Shielding Scheme using Dummy Cell
beyond 40nm NAND Flash Memory for Eliminating Abnormal Disturb of Edge
Memory Cell”, Ext. Abst. Of SSDM, pp. 298-299, Sep. 2006.
[4] T. Cho et al., “A dual-mode NAND flash memory: 1-Gb multilevel and high-
performance 512Mb single-level modes”,  IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36,
no. 11, pp. 1700-1706, Nov. 2001.
[5] K.-T. Park et al., ”A Zeroing Cell-to-Cell Interference Page Architecture With
Temporary LSB Storing and Parallel MSB Program Scheme for MLC NAND Flash
Memories”, IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 43, no. 4, pp. 919-928, Nov. 2008.
[6] K.-D. Suh et al., “A 3.3V 32Mb NAND flash memory with incremental step
pulse programming scheme”,  IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 30, no. 11, pp.
1149-1156, Nov. 1995.
[7] R. Cernea, et al., “A 34MB/s-Program-Throughput 16Gb MLC NAND with All-
Bitline Architrecture in 56nm”,  ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 420-421, Feb.,
2008.
[8] K. Takeuchi et al., “A multipage cell architecture for high-speed programming
multilevel NAND flash memories”, IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 33, no. 8, pp.
1228-1238, Aug. 1998.

作者: PRAM 时间: 2010-9-5 22:19
15.6 A Power-Efficient 32b ARM ISPro-Acessor Using
Timing-Error Detection and Correction for Transient-
Error Tolerance and Adaptation to PVT Variation
David Bull
1
, Shidhartha Das1
, Karthik Shivshankar
1
, Ganesh Dasika2
,
Krisztian Flautner
1
, David Blaauw2
1
ARM, Cambridge, United Kingdom
2
University of Michigan, Ann Arbor, MIReferences:
[1] S. Das, D. Roberts, S. Lee, S. Pant, et al., “A Self-Tuning DVS Processor
Using Delay-Error Detection and Correction”,  IEEE J. Solid-State Circuits, vol.
41, pp.792-804, Apr. 2006.
[2] D. Blaauw, S. Kalaiselvan, K. Lai, et al., “RazorII: In situ Error Detection and
Correction for PVT and SER Tolerance”, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 292-293,
Feb. 2008.
[3] K. Bowman, J. Tschanz, N. S. Kim, et al., “Energy-Efficient and Metastability-
Immune Timing-Error Detection and Instruction Replay-Based Recovery Circuits
for Dynamic Variation Tolerance”,  ISSCC Dig. Tech. Papers, pp.402-403, Feb.
2008.
[4] A. Drake, R. Senger, H. Deogun, et al., “A Distributed Critical-Path Timing
Monitor for a 65nm High-Performance Microprocessor”,  ISSCC Dig. Tech.
Papers, Feb. 2007.
[5] J. Tschanz, N. S. Kim, S. Dighe, et al., “Adaptive Frequency and Biasing
Techniques for Tolerance to Dynamic Temperature-Voltage Variations and
Aging”, ISSCC Dig. Tech. Papers, pp. 292-293, Feb. 2007.
[6] UMC, United Microelectronics Corporation, http://www.umc.com/24.8 A 32Gb MLC NAND-Flash Memory with Vth-Endurance-
Enhancing Schemes in 32nm CMOS
Changhyuk Lee, Sok-Kyu Lee, Sunghoon Ahn, Jinhaeng Lee, Wonsun
Park, Yongdeok Cho, Chaekyu Jang, Chulwoo Yang, Sanghwa Chung, In-
Suk Yun, Byoungin Joo, Byoungkwan Jeong, Jeeyul Kim, Jaekwan
Kwon, Hyunjong Jin, Yujong Noh, Jooyun Ha, Moonsoo Sung, Daeil
Choi, Sanghwan Kim, Jeawon Choi, Taeho Jeon, Joong-Seob Yang, Yo-
Hwan Koh
Hynix Semiconductor, Icheon, KoreaAcknowledgements:
The authors would like to thank Layout Team, DV Team, Device Team, Product
Team, and Process Team for great support and development
References:
[1] C. Trinh et al., “A 5.6MB/s 64Gb 4b/Cell NAND Flash Memory in 43nm CMOS”,
in ISSCC Dig. Tech. papers, pp. 246-247, Feb. 2009.
[2] Seung-Ho Chang et al., “A 48nm 32Gb 8-Level NAND Flash Memory with
5.5MB/s Program Throughput”,  in ISSCC Dig. Tech. papers, pp. 240-241, Feb.
2009.
[3] Ki-Tae Park et al., “A Zeroing Cell-to-Cell Interference Page Architecture With
Temporary LSB Storing and Parallel MSB Program Scheme for MLC NAND Flash
Memories”, in Symp. VLSI Circuits, pp. 188-189, Jun. 2007.
[4] Raymond Zeng et al., “A 172mm2 32Gb MLC NAND Flash Memory in 34nm
CMOS”, in ISSCC Dig. Tech. papers. pp. 236-237, Feb. 2009.

作者: hammerking 时间: 2010-9-5 22:38
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作者: CC9K 时间: 2010-9-5 22:41

这是什么性能预览……
City of Heros最低画质能说明什么问题呢？要比就和双核的Sandy Bridge比好了
反正 ...
itany 发表于 2010-9-5 19:36

40nm 18W对32nm 25W

40nm用的还是台积电的雷工艺

作者: spinup 时间: 2010-9-5 22:47

这是别人的测试结论~可能的确很出乎你当初的意料吧~
hammerking 发表于 2010-9-5 18:55

hardware-infos的话打个对折，ontario将是atom的有力竞争对手。
打个8折，mid到低端本ontario已经没有对手了。
如果完全没吹牛，amd其他部门都别玩了，好好研究发展ontario就行了

作者: zaknafein 时间: 2010-9-5 22:55
本帖最后由 zaknafein 于 2010-9-5 22:59 编辑

求link, 没在hardware-infos上找到这篇文章

edit: 找到了...几乎没说什么东西啊...

Bei dem Testsystem handelt es sich um die Zacate-APU. Diese beinhaltet zwei Bobcat-CPU-Kerne, eine Grafikeinheit sowie traditionell einen Speichercontroller und weitere I/O-Module zur Kommunikation mit dem restlichen System. Die TDP der Zacate-APU beziffert AMD auf 18 Watt, der verwendete Aluminium-Kühler (etwa 4x4x2 cm zzgl. Lüfter) wurde allerdings auch nach mehreren Minuten Belastung durch 3D-Anwendungen und FullHD-Wiedergabe nicht einmal handwarm. Wir schätzen die Temperatur auf 25-30 °C.
Unter anderem konnten wir die GPU-Beschleunigung des Internet Explorer 9 bewundern, welcher in den Standardsettings der Flying Images-Tests mit etwa 60 FPS lief. Auch einen FullHD-Film konnte die APU problemlos dekodieren und ruckelfrei wiedergeben. Das Spiel "City of Heroes" lief zwar ebenfalls flüssig, allerdings in stark verringerten Einstellungen, welche wohl recht nahe am Minimum lagen. Allerdings muss bedacht werden, dass es sich bei Zacate lediglich um eine kleine APU handelt, welche etwa mit einem Intel Atom konkurrieren soll und dies dürfte AMD gelingen. Denn gefühlt lief das System bei allen Aufgaben wesentlich flüssiger als jedes uns bekannte Netbook auf Intel Atom-Basis. Zudem verriet uns eine firmennahe Quelle, dass zum Beispiel StarCraft II auch auf mittleren Settings spielbar sein soll. Auch will AMD bereits mit wichtigen Soft- und Hardware-Firmen kooperieren. Um welche es sich dabei im Speziellen handelt, wollte man aber nicht verraten.

Im Gespräch mit John Taylor erfuhren wir weitere Details und konnten auch eine Zacate-APU samt Package in BGA-Bauweise in den Händen halten. Das Package misst etwa 1,5 x 1,5 cm Kantenlänge, die Die der APU selbst ist etwas kleiner als die eines RV810-GPU (63 mm²), siehe Bild oben. Zacate weist, wie bereits erwähnt, eine TDP von 18 Watt auf, der "kleine" Bruder Ontario mit 9 Watt genau die Hälfte. Beide Modelle werden sich weder in der Kernanzahl (Dual-Core) noch im Funktionsumfang unterscheiden, lediglich die Taktraten werden bei Ontario geringer ausfallen. Zudem soll es sich um selektierte Dies mit geringerer Spannung handeln. Der neue "High-Speed-Bus" zwischen CPU- und GPU-Kern soll außerdem stark auf GPU-Computing-Anwendungen optimiert worden sein und erst die wahren Stärken der APU ausspielen können.
Auch zu einer neuen Aussage zur Performance konnten wir AMD hinreißen. So soll die Zacate-APU merkbar schneller als ein Intel Pentium Dual-Core (Core-Basis) sein, mit Intels kommendem Sandy Bridge-Line-Up wolle man sich aber nicht messen, für dieses ist unter anderem Llano, die zweite AMD-APU, zuständig. Und auch einen, genauer gesagt vier, Llano-Dies konnten wir in Augenschein nehmen, allerdings waren auch hier keine Fotos erlaubt. Dementsprechend werden Sie unserem Augenmaß Glauben schenken müssen, dass Llano etwa die Größe eines Propus-Kerns (169 mm²) hat, allerdings in einer etwas länglicheren Gestalt daherkommt.

作者: hammerking 时间: 2010-9-5 22:58
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作者: xf-108 时间: 2010-9-5 22:59

40nm 18W对32nm 25W

40nm用的还是台积电的雷工艺CC9K 发表于 2010-9-5 22:41

作者: hammerking 时间: 2010-9-5 23:04
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作者: zaknafein 时间: 2010-9-5 23:11
看德文比较直接

文章里面可没说他们拿到手测试了, 多数是IFA上amd的话, 他们只看到了ie9的gpu加速和基本开到最低的city of heroes. 还不许拍照.
ps: 是高频版的Zacate, Ontario频率应该会低不少, TDP如果分别是18W和9W的话

不过core的确小得让人惊奇

作者: xeon-pan 时间: 2010-9-6 08:17

40nm 18W对32nm 25W

40nm用的还是台积电的雷工艺
CC9K 发表于 2010-9-5 22:41

i found a bug

作者: PRAM 时间: 2010-9-6 09:24
回复 15# hammerking

少在那YY了，下面的话已经住够打你的嘴了

作者: PRAM 时间: 2010-9-6 09:28

太有技术含量了，我是看不懂，您自己继续乐啊~你不能反驳我的论据，却贴这些出来，真是搞 ...
hammerking 发表于 2010-9-5 22:38

AMD就靠你这种FANS壮胆？

作者: PRAM 时间: 2010-9-6 09:31
5.4 An Integrated Quad-Core Opteron™ Processor
J. Dorsey1
, S. Searles1
, M. Ciraula1
, S. Johnson1
, N. Bujanos1
, D. Wu1
,
M. Braganza1
, S. Meyers1
, E. Fang2
, R. Kumar
2
1
AMD, Austin, TX
2
AMD, Sunnyvale, CAAcknowledgements:
The authors gratefully acknowledge the global AMD team that made this
design a reality.
References:
[1] J. Warnock, D. Wendel, T. Aipperspach, et al., “Circuit Design
Techniques for a First-Generation Cell Broadband Engine Processor,”
IEEE J. Solid State Circuits, vol. 41, pp. 1692-1706, Aug., 2006.
[2] HyperTransport I/O Link Specification Revision 3.00, HyperTransport
Consortium, http://www.hypertransport.org/tech/tech_specs.cfm.

作者: qmyqmyqq 时间: 2010-9-6 09:58
牛的，不错

作者: ifu 时间: 2010-9-6 10:32

15.6 A Power-Efficient 32b ARM ISPro-Acessor Using
Timing-Error Detection and Correction for Trans ...
PRAM 发表于 2010-9-5 22:19

贴一堆英文引文很装比么？

作者: PRAM 时间: 2010-9-6 10:38
AMD 饭都这样吗？

作者: hammerking 时间: 2010-9-6 21:08
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作者: hammerking 时间: 2010-9-6 21:09
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作者: spinup 时间: 2010-9-6 21:24

5.4 An Integrated Quad-Core Opteron™ Processor
J. Dorsey1
, S. Searles1
, M. Ciraula1
, ...
PRAM 发表于 2010-9-6 09:31

2007年的文件？ms年纪大了点

作者: lsttsl 时间: 2010-9-7 00:09
;;;;;;;;;;;;kabudong

作者: PRAM 时间: 2010-9-7 08:29

你怎知别人是afan，就因为看不惯你莫名其妙的庄b？
hammerking 发表于 2010-9-6 21:09

什么逻辑，我说INTEL怎么好了吗？

作者: PRAM 时间: 2010-9-7 08:29

intel雇你这种人才来唬人？
hammerking 发表于 2010-9-6 21:08

麻烦你帮我联系INTEL啊

作者: PRAM 时间: 2010-9-7 08:31
本帖最后由 PRAM 于 2010-9-7 08:32 编辑

系统消息 10-9-6 16:56

这是由论坛系统自动发送的通知短消息。

以下您所发表的帖子被 kitgain 评分。
现在想来，上NOR的可能性更大一些，镁光买下了恒易，接着又出售了和HYNIX JV FAB的股份，而武汉FAB好像可以支持到45NM NOR，对于上NOR正合适
发表时间: 2010-9-4 23:14
所在论坛: News and Outlook[发展动态]
所在主题: 武汉新芯半导体将出售美光科技接手

评分分数: 智慧分 +5 / 金币 +10 / 名誉值 +1
操作理由: 你是专家，我也认为上NAND方向不太对。

作者: 星月同在 时间: 2010-9-7 18:42
AMD这几年的研发人员是不是潜水去了。

作者: itany 时间: 2010-9-7 18:45

系统消息 10-9-6 16:56

这是由论坛系统自动发送的通知短消息。

以下您所发表的帖子被 kitgain 评分 ...
PRAM 发表于 2010-9-7 08:31

NOR型闪存还有什么前途么？
现在NAND几乎一统天下了吧

作者: CC9K 时间: 2010-9-7 19:03

NOR型闪存还有什么前途么？
现在NAND几乎一统天下了吧
itany 发表于 2010-9-7 18:45

[attach]1375668[/attach]

作者: hammerking 时间: 2010-9-7 21:22
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作者: the_god_of_pig 时间: 2010-9-7 21:49
拿来和atom比本身就是杯具

作者: hammerking 时间: 2010-9-7 21:53
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作者: acqwer 时间: 2010-9-7 22:13
如果bobcat只用K10 1/3的面积做到K10 90%的性能，AMD要蠢到什么程度才会做出开发推土机这个架构的决策？直接用bobcat堆核心，至少在70%以上的服务器应用中轻松**SB。

作者: hammerking 时间: 2010-9-7 22:17
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作者: ifu 时间: 2010-9-7 22:36

bobcat难道不是跟atom相同定位吗？再说跟conroe比也相当可观了，conroe是4ml2的，这个bobcat可能是1.6g左右 ...
hammerking 发表于 2010-9-7 21:53

要1.6就太牛b了，估计不大可能

作者: itany 时间: 2010-9-7 23:34

CC9K 发表于 2010-9-7 19:03

不好意思，我搞错了

作者: acqwer 时间: 2010-9-7 23:37
回复 44# hammerking

510比510高20%的理论测试能决定性能吗？

另外，Bonic可是支持GPU加速的。

作者: dartabe 时间: 2010-9-8 01:08

NOR型闪存还有什么前途么？
现在NAND几乎一统天下了吧
itany 发表于 2010-9-7 18:45

你这就失误了不是 NOR闪存车载和液晶电视用的都不少个人电脑方面应用还比较少但是没前途这个说法太。。。

作者: frankincense 时间: 2010-9-8 08:53
与Atom比性能
与Core比TDP
与Core 2比内存
与Core i7比价格
超频比不过就比开核
反正总能找到一样赢的

作者: frankincense 时间: 2010-9-8 08:56

bobcat难道不是跟atom相同定位吗？再说跟conroe比也相当可观了，conroe是4ml2的，这个bobcat可能是1.6g左右 ...
hammerking 发表于 2010-9-7 21:53

bobcat的功耗定位显然是culv

作者: PRAM 时间: 2010-9-8 09:13

与Atom比性能
与Core比TDP
与Core 2比内存
与Core i7比价格
超频比不过就比开核
反正总能找到一样赢的
frankincense 发表于 2010-9-8 08:53

某芯则是这样
与ARM比性能
与X86比TDP
与P4比内存
与POWER比价格
反正总能找到一样赢的

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