





zaknafein 发表于 2010-11-16 18:36
双核ontario CPU性能比atom d510多线程稍好, 单线程好不少
1.6G ontario双核被1.2G的赛扬SU2300日到死去 ...
zaknafein 发表于 2010-11-16 18:36
双核ontario CPU性能比atom d510多线程稍好, 单线程好不少
1.6G ontario双核被1.2G的赛扬SU2300日到死去 ...















我可懒得回复一个电容量都算不清楚的人。
其他规格相同,EOT越薄性能当然越好。EOT/Tox: Tox是栅氧厚度。这个数值很多读者并不了解,但实际上它是工艺最关键的参数之一。越小的栅氧厚度,在相同工作电压下对沟道的电场强度越大,一般沟道的性能(即后面要说到的I dsat)也越好。但是同时栅电容也越大,动态功耗也会略高。
在IEDM上David Wang的第一篇文章所述,考虑用Cgate*Vdd/Idsat作为制程性能的直接度量基准。不过现代制程中Cgate(栅电容)不能确定。IEDM和VLSI论文中提供了电源电压(Vdd)和驱动电流(100nA/um关闭电流Ioff下的开启电流Ion)。这些数据可以用来估算晶体管性能。
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