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标题: 内存超频电压加高了反而有反作用？ [打印本页]

作者: Chris 时间: 2011-1-13 17:46
标题: 内存超频电压加高了反而有反作用？
看pceva论坛讲 DDR3 超频

有些颗粒的特性加到1.6以上反而有反作用

DDR2 有没有这种反作用电压？？

作者: Dr.sheng 时间: 2011-1-14 00:12
尔必达的好像就这样的

作者: Chris 时间: 2011-1-14 08:59
不过我没有DDR3

我想问的是 ddr2 有无这种特性

作者: shermie0099 时间: 2011-1-14 09:44
力晶颗粒的就这样

d2的超过2.2v

d3的超过1.65v

就有副作用了！

作者: Chris 时间: 2011-1-14 09:57
(2.2-1.8)/1.8=22%

(1.65-1.5)/1.5=10%

DDR2加压百分百那么大才会有反作用？

作者: shermie0099 时间: 2011-1-14 10:02
这个别问我

去问力晶

作者: shermie0099 时间: 2011-1-14 10:13
你也可以可以理解为制程越老越耐电压

作者: Chris 时间: 2011-1-14 10:41

shermie0099 发表于 2011-1-14 10:13
你也可以可以理解为制程越老越耐电压

也有40MN制程的 DDR2

那是不是也不耐压

作者: shermie0099 时间: 2011-1-14 12:23
是的，我原来那对去年6月买的金士顿2g 800宽条

电压超过1.91v 就不稳了

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