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标题: nand有写入寿命，那么dram为什么没有寿命问题了呢？ [打印本页]

作者: kinno 时间: 2011-5-5 19:30
标题: nand有写入寿命，那么dram为什么没有寿命问题了呢？
如题，dram从结构上说可以做到单管存储，只要一个电容，没有写入寿命问题，
谁能指教下nand的结构，以及为什么有写入寿命。
另外求教dram的写入寿命（可能根本就没有这个指标吧）

作者: sailofcloud 时间: 2011-5-5 21:14
nand是通过绝缘层存储数据的,而绝缘层经过多次擦写,会坏掉(漏电).

dram是通过电容存储,不会坏(很耐用的电容),
但dram存储时间很短,需要供电刷新数据

作者: ScorpioCat 时间: 2011-5-5 22:39
本帖最后由 ScorpioCat 于 2011-5-5 22:40 编辑

记得Google曾经提供过内存错误率.

"a mean of 3,751 correctable errors per DIMM per year."
ECC内存每天产生10个可修复的错误,普通内存错了也不知道.我只是摘取前面的数字,没细看内容,可能有误.传送门

作者: fiddle 时间: 2011-5-5 22:48
一个需要刷新,一个不需要.

作者: kinno 时间: 2011-5-5 23:16
多谢楼上各位回复，我知道dram存储原理是根据电容内是否存有电荷来表示0和1，dram需要不停刷新来保存数据，sram就不需要刷新，他们都非常耐用，真想知道把dram写废是什么情况，哈哈，难道是电容被击穿，哦耶

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