POPPUR爱换

标题: 内存颗粒都25纳米了，DDR3电压还是1.5V，简直是变相加压超频啊。。。 [打印本页]

作者: D65 时间: 2011-8-2 23:45
标题: 内存颗粒都25纳米了，DDR3电压还是1.5V，简直是变相加压超频啊。。。
本帖最后由 D65 于 2011-8-2 23:46 编辑

想想DDR3刚出道的时候，制定了1.5V的标准电压，这个电压显然是和65纳米制程相适应啊。
你说到了50纳米这些还用这个电压就算了，现在都25纳米了居然仍然厚着脸皮用1.5V，简直就是变相的加压超频啊。

始终觉得DDR这个标准电压的制定，太搞笑了，一个最佳的电压和颗粒制程息息相关。凭啥你说一直就是1.5V最好。。。

作者: lanyan3232 时间: 2011-8-3 00:23
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作者: smoking_angel 时间: 2011-8-3 15:38
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作者: fiddle 时间: 2011-8-3 16:40
开启很难做下来?
不知道lz凭什么认为制程下来
电压就要降下来.

作者: 水幻神怡 时间: 2011-8-3 17:26

fiddle 发表于 2011-8-3 16:40
开启很难做下来?
不知道lz凭什么认为制程下来
电压就要降下来.

通常制成下来，电压确实下来，更先进的制成，更省电更环保

看看三星尚未上市的30nm级DDR3台式机内存，1.35V，确实比40nm级的1.5V要低

虽然我已经等不及入了40nm的

http://www.samsung.com/cn/consumer/computers-office/sd-card-memory-card/memory-card/MV-3V4G3/CN/index.idx?pagetype=prd_detail&tab=specification

作者: D65 时间: 2011-8-3 22:19

fiddle 发表于 2011-8-3 16:40
开启很难做下来?
不知道lz凭什么认为制程下来
电压就要降下来.

有点常识就足够了，220V电压不变，你敢把自家电源线，粗细弄成原来的一半？

作者: 魏武 时间: 2011-8-3 23:10
请参考CPU电压

作者: 中华千年老妖 时间: 2011-8-4 09:22
本帖最后由中华千年老妖于 2011-8-4 09:23 编辑

LZ只看到降压带来的好处，但是，内存电压标准的变更，有多少周边搭配的芯片也要跟着变化。倘若照LZ说的，制程变就要更改电压，那么大量现成的老制程的内存该如何自处，主板芯片组也要全部重新设计，没人会那么脑残的。至于节能版的1.35v，这个电压标准在DDR3标准推出之初就确定下来的。

作者: gdhany 时间: 2011-8-4 13:28
楼上说的在理。
改个制程就修改电压，兼容性没法标准，比较设计的时候主板内存槽的电压就基本定死了的。

作者: D65 时间: 2011-8-4 14:13
本帖最后由 D65 于 2011-8-4 14:13 编辑

中华千年老妖发表于 2011-8-4 09:22
LZ只看到降压带来的好处，但是，内存电压标准的变更，有多少周边搭配的芯片也要跟着变化。倘若照LZ说的，制 ...

你没有看到不降压的坏处，你把家里导线，粗细减半。诚然也能用，安不安全，自己知道。
我更闹不明白的是，技嘉的主板，内存要多少电压都可以设置。而之前的微星P35，死活CPU和内存电压，一点都不能减。

显然这和周边芯片没有任何关系。只是主板自己的设计思路问题。

作者: mastpoko 时间: 2011-8-4 15:18
这个不是内存决定的,是主板设计好了电压了,很难改,但可以向下小幅地.....,哈哈

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-4 18:35
这个应该是内存电压有一定的规范的，不能随便下调

我的技嘉p55-ud4最低电压也只在1.3v，实际windows下1.35，已经不能再低了~

作者: shar001 时间: 2011-8-4 19:07
电压高不等于电流也会高
人家设计的时候也许就按 1.5v 为准的思路执行

作者: dalao123 时间: 2011-8-4 22:45
电流小了一样省电吧

作者: D65 时间: 2011-8-4 23:15
本帖最后由 D65 于 2011-8-4 23:15 编辑

shar001 发表于 2011-8-4 19:07
电压高不等于电流也会高
人家设计的时候也许就按 1.5v 为准的思路执行

有这种“设计”，Intel，AMD会感动得哭死。
以后何必费劲搞制程，改一下“设计”，电流就降低了，功耗减小了，没事捂着被子，偷偷乐。

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-5 00:35

D65 发表于 2011-8-4 23:15
有这种“设计”，Intel，AMD会感动得哭死。
以后何必费劲搞制程，改一下“设计”，电流就降低了，功耗 ...

同是45nm的q9550和i5-750，电压相仿，但实际功耗和体质i5-750却更好

e8400同一45nm制程的c1跟e0步进功耗和体质也是一样差距不小

同一制程改善设计能降低功耗有什么好稀奇的？

每一代的内存电压应该也是有一套标准的，就像家里的所有电器都是220v电压标准的，你能说他们的功耗都一样吗？即使是同类产品

作者: D65 时间: 2011-8-5 01:37
本帖最后由 D65 于 2011-8-5 01:43 编辑

winson_surewin 发表于 2011-8-5 00:35
同是45nm的q9550和i5-750，电压相仿，但实际功耗和体质i5-750却更好

e8400同一45nm制程的c1跟e0步进功 ...

拜托，那是核心才有的步进除bug，也就几w的漏电电流堵住了好吧。q9550和i5-750官方标注的都是TDP 95W，你所谓的实际功耗要好，是要通过更深度的动态降压，还有关闭闲置核心晶体管来实现的。

内存颗粒，有个鬼扯的晶体管可以关闭，说来说去还是靠降压来实现。并且内存条可以设计，颗粒结构你怎么重新设计？你能重新设计它就不是DDR3了，笑话别弄大了。那是你家220V电炉电阻丝减了一半直径的问题。不是220V收音机和220V电视机这种毫无相关性的电器结构关系。

25纳米不是三星好心给你降1.35V，那是他不降，颗粒已经工作于超频状态。严重背离最佳平衡点。但到时候，内存条厂商却可以堂而皇之的标注自己是“标准”电压，每个条子都超了再卖。这就是DDR3“标准电压”的搞笑之处，懂的人自然会懂。不懂的永远是丈二和尚摸不着头脑。

作者: farter 时间: 2011-8-5 12:54
一个巴掌拍不响

低端板子不会加成本根据条子参数输出不同电压，因为主板厂家知道内存厂家制程再怎么变，也不敢出上1.5V就烧的条子

高端板子本来就可以自己调，也不用内存厂家去操心

所以这个事大家外甥打灯笼照旧吧

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-5 18:28
本帖最后由 winson_surewin 于 2011-8-5 23:28 编辑

D65 发表于 2011-8-5 01:37
拜托，那是核心才有的步进除bug，也就几w的漏电电流堵住了好吧。q9550和i5-750官方标注的都是TDP 95W， ...

其实说多了也无谓，觉得你是钻牛角尖了，其他就不扯了，扯远了也说不清

关于更新制程是否要降低电压，ls已经有人说了观点了，我也比较同意，因为要配合周边的配置，如果你内存单方面把电压标准降低，主板和其他设备不支持也是白搭

关于你说的同是220v电压，电线更细能否承受的问题是有点扯远了，厂家有自己的品质监控和品牌信誉要搭上，如果更新了制程不能承受原来的电压容易损毁，我想第一个担心的是厂商，不需要lz杞人忧天，我们用户只需要关心厂商是否保修和稳定使用就行了~

作者: lanyan3232 时间: 2011-8-6 14:03
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作者: ramiel 时间: 2011-8-6 15:03
一个外行对行业规范有什么好评论的，内存用几V难道还是你懂？

作者: D65 时间: 2011-8-6 21:34

ramiel 发表于 2011-8-6 15:03
一个外行对行业规范有什么好评论的，内存用几V难道还是你懂？

只要是个人都懂，每次制程降低后，电压是必须降的。
自打有晶体管工业以来，这事就没变过。

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-7 17:38
电压这东西我们这些外行最好还是别瞎装懂了，外国都是110v的电压，我国220v，但我不觉得我们国家的电线比外国的要粗和质量好，能否承受关键还是要看实际电流的~

作者: D65 时间: 2011-8-7 18:28

winson_surewin 发表于 2011-8-7 17:38
电压这东西我们这些外行最好还是别瞎装懂了，外国都是110v的电压，我国220v，但我不觉得我们国家的电线比外 ...

那是你是外行，我不是。UL对电源线选择有严格要求。该用多粗的电源线，考量的是电流。

你把额定110V的电器接到220V，铁定烧了。DDR3你敢接3V，也铁定烧了。为什么烧了，承受不了大电流。内存颗粒从65纳米缩至25纳米，晶体管直径缩至原有38％。假如电压不变，电流压力可想而知。

在当初制定DDR3电压的时候，肯定如同DDR2一样留了余量，毕竟制程要进步。因此当时的很多DDR3，明显比1.5V要高，才跑得比较顺。1.65，1.7V，甚至1.8V的DDR3多了去了。制程进步后，逐步回归到标准的1.5V。只是没想到DDR4来得这么晚。制程都25纳米了，居然还不见1.35V甚至1.2V的DDR4上市，DDR3电压已经到了危险的边缘了。

这就是悬的地方，假如再过段时间，走到20纳米，仍然强行用1.5V纳米，那恐怕就只剩下烧掉的份。再举个例子，回头看看，知道为什么DDR2时代，镁光大D9耐压了吧，没什么奥秘，110纳米制程。而DDR2显然是将1.8V的电压放入了余量，专门给90纳米和65纳米用的。因此大D9耐压尽人皆知，其基础是因为110纳米的制程和2.0V相适应。一到小D9后就歇菜了。因此DDR3 1.5V的电压，显然是照顾65纳米，为50纳米，40纳米而来的。没想到现在居然制程已经飞跃到了25纳米，如果仍然继续用1.5V，知道有多吃力了吧。

作者: 提心吊胆 时间: 2011-8-7 18:49

winson_surewin 发表于 2011-8-7 17:38
电压这东西我们这些外行最好还是别瞎装懂了，外国都是110v的电压，我国220v，但我不觉得我们国家的电线比外 ...

同功率。。。电压低1倍。。。电流大一倍。。。减除铜损后。。220v...比110v电线细是合理的。。。只要不高于3a每平方毫米。。。非常安全。。。

作者: D65 时间: 2011-8-7 19:06
这就是我说的DDR标准电压的搞笑之处。当初定出1.8V标准电压给DDR2，一下就弄得好像镁光大D9 2.0V是已经被超了频一般。但实际上人家是110纳米制程，2.0V还就刚刚好。

DDR3刚面世的时候，符合1.5V标准电压的其实很少，很多条子1.65V，1.7V甚至1.8V猛然间，也让人有颗粒被超频的错觉。事实上当时多数是65纳米的颗粒。没超过1.8V，一点也不过分。

因此，DDR系列的标准电压是极不靠谱的，玩家自行选择和制程，散热条件相关的电压还更加靠谱。

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-7 19:43
本帖最后由 winson_surewin 于 2011-8-7 19:47 编辑

提心吊胆发表于 2011-8-7 18:49
同功率。。。电压低1倍。。。电流大一倍。。。减除铜损后。。220v...比110v电线细是合理的。。。只要不高 ...

你这个理论跟lz的意见明显是反方向了

按你的说法，如果内存制程更精细了，那电压要更高反而才是更安全？

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-7 19:47

D65 发表于 2011-8-7 18:28
那是你是外行，我不是。UL对电源线选择有严格要求。该用多粗的电源线，考量的是电流。

你把额定110V的 ...

你又扯远了，也许我真是外行，但是我也知道厂商设计出来的东西他自己要付责任的，能不能承受不需要你我担心，厂商敢生产我就敢用

厂商既然敢设计投产销售，肯定是还没到负载不起的边缘~

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-7 20:07
我能切身体会就是制程的更新，的确在功耗和发热和体质上可以改善不少

我用的内存就就是三星的40nm 1333 4g，即使在超频到2000和满载的情况下，摸上去都只是微温的，比以前的内存的确凉快了不少

既然内存已经发热少了，证明它的功耗和通过的电流肯定是少了，lz你又何须担心它负载不了而会产生质量问题呢，即使电压不变~

作者: D65 时间: 2011-8-7 20:23
本帖最后由 D65 于 2011-8-7 20:26 编辑

winson_surewin 发表于 2011-8-7 19:43
你这个理论跟lz的意见明显是反方向了

按你的说法，如果内存制程更精细了，那电压要更高反而才是更安 ...

他说的一点没错，只是你理解错了。
从相对意义上来讲，降低电压就是为了承受更大的电流，你再好好的想想吧...

作者: zhdick 时间: 2011-8-7 20:29
25NM的内存还没大规模上市，而且25NM的内存上市的标准电压不会是1.5V。

电压数据应该会存在SPD里面，主板直接读取。

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-7 20:47

D65 发表于 2011-8-7 20:23
他说的一点没错，只是你理解错了。
从相对意义上来讲，降低电压就是为了承受更大的电流，你再好好的想 ...

专业的理论对于我这些业余的人其实没什么需要特别钻研的必要，我需要知道的就是能稳定使用就行了

理论归理论，实际使用才是重要的

真要到内存承受不了这电压的时候，厂商自然会改标准的~

作者: saga2009 时间: 2011-8-8 10:56

winson_surewin 发表于 2011-8-7 20:07
我能切身体会就是制程的更新，的确在功耗和发热和体质上可以改善不少

我用的内存就就是三星的40nm 1333 ...

你是三星的黑条还是金条？超频性能这么好？

作者: winson_surewin 时间: 2011-8-8 18:24

saga2009 发表于 2011-8-8 10:56
你是三星的黑条还是金条？超频性能这么好？

黑条40nm的，ms整体的体质都不错，觉得rp好的可以拼一下~

作者: fiddle 时间: 2011-8-9 00:04

D65 发表于 2011-8-4 14:13
你没有看到不降压的坏处，你把家里导线，粗细减半。诚然也能用，安不安全，自己知道。
我更闹不明白的 ...

你本末倒置了
正式因为电压不能无限减小,所以关键尺寸不能等比例缩小
而不是因为尺寸缩小,电压才下降

作者: fiddle 时间: 2011-8-9 00:40

D65 发表于 2011-8-7 18:28
那是你是外行，我不是。UL对电源线选择有严格要求。该用多粗的电源线，考量的是电流。

你把额定110V的 ...

首先,我支持低电压可以更高提高单位能耗的计算量。业界有一个理论就单电子计算,即电流处在最小可能值。
但是电压并不是想降就降的,低电压(低的阈值电压,主要针对逻辑电路而言),会导致亚阈导通,即mos管的开启和关断的界限变得模糊,从而产生大漏电流以及充放电频率下降的问题。那么尺寸既然要下来,又要保证介质间不被击穿,现在普遍在做的是寻找high-k metal gate.既然大家都在这么做我相信这个应该是比直接降电压更容易实现。另外需要纠正的是,制程主要是指在有源区和多晶栅的尺寸而不是铜线的尺寸.所以最容易击穿的是栅氧而不是铜互联。所以你拿经验上的电源线来类比不是很恰当。另外最近几年用铜代替铝做互联,已经可以在很大程度上降低铜线的电阻了。最后一点,降低电阻是为了提升频率而不主要是为了降低发热。

作者: 3332243 时间: 2011-8-9 00:40
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作者: fiddle 时间: 2011-8-9 00:50
想深入看一下的可以参考intel的这篇文章
http://newsroom.intel.com/servle ... ls_Presentation.pdf

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