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标题: 全核心超频频率下降!22nm Ivy Bridge撞到南墙 [打印本页]

作者: 马由    时间: 2012-1-17 18:30
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作者: 娃娃脸雪糕    时间: 2012-1-17 18:31
默认用的飘过,无鸭梨
作者: bhcava    时间: 2012-1-17 18:51
嗯 也对  技术进步总有瓶颈的
作者: ericcantona    时间: 2012-1-17 18:59
目前对超频毫无兴趣的路过
作者: wyzdic1    时间: 2012-1-17 19:14
这样的话感觉提升就不是很大了啊……
内存频率提升对于很多应用来说作用都不明显,如果大多只能稳定在4.8G的话就没必要升级了
等明年的新架构吧
作者: notfishcc    时间: 2012-1-17 20:44
早些时候不是有报道说现在芯片的单位面积瞬间热功率已经超过太阳表面了么...再过几年CPU就变成核反应堆了
作者: 马由    时间: 2012-1-17 20:49
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作者: qqicu    时间: 2012-1-17 20:57
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作者: potomac    时间: 2012-1-17 21:21
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作者: tcgg1983    时间: 2012-1-17 21:29
更多的人是需要用计算机工作 而不是超频  要玩超频 买按摩店的好了
作者: 尼古拉斯凯奇    时间: 2012-1-17 21:30
potomac 发表于 2012-1-17 21:21
这个作者的观点很有意思啊,
芯片尺寸越大,有利于跑高频。
貌似黄老板听了很满意啊。

作者的观点我看到是核心不能无限制的小下去,和散热器接触面积太小导致热量无法迅速传递,高频下面满载温度直接破百

如果Ivy bridge真的是这个N样,我想现在用SNB K系列的就没几个会升级IVY Bridge了,因为可玩性不够,5G拷机都不行

另外翻墙看了T/W的测试,IVY Bridge相对SNB的同频提升10%只有一个CINEBENCH渲染测试是10%,其余测试只提升了0%-3%
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强大的PCI,发个回复都要审核,单词改了几次都不行
作者: dongxt    时间: 2012-1-17 22:39
不超频用 也很不错了 ~
作者: yoyofuture88    时间: 2012-1-17 23:32
这个想法有点搞笑啊。。。 你想想,到底是制程改进对温度下降改进大还是核心的面积大对温度下降改进大???那我们就来想想,如果真的是IVB已经达到最大负荷,那按这个逻辑,IVB跟奔腾的CPU比,IVB应该内积了更多热量,然后温度更高才对吧?但是事实上IVB就算是用个普通散热器都会比奔腾的CPU 用个好点的散热器低温。所以温度的高低主要还是主要取决于制程,制程的改进会让核心的温度直接降低不少,跟你的核心跟铜片接触的多少面积没很大关系吧?本来温度就很低了,你散热面积少点不行?不过intel以后估计会改进下封装方法,可以在核心上面弄点散热的材料先分散热量再贴铜盖
作者: cybrans    时间: 2012-1-17 23:38
本帖最后由 cybrans 于 2012-1-17 23:43 编辑

或许是不想而已.

有无可能把元件距离拉远?

若是如此同等尺寸同等晶体管数量,元件更小线路更宽发热还能更高不成

不过这样一来就失去了升级制造工艺带来的商业价值.

或许可以用这种方法出一些面对发烧友级的芯片,不过这样一来就成本高了,光刻底片肯定要重制.
不过最后归根到底,还是能耗降低方面的研究需要继续投入.

作者: gzpony    时间: 2012-1-17 23:46
这种方式下,重新祭出胶水cpu可能能缓解这个问题。

根据此文说法,现在4核,6核,8核都做在同一块硅片上,3D的22nm制程造成散热接触面过低,热量无法及时散出,性能受到了抑制。
当年貌似有胶水双核,胶水4核之类的,就是几块硅片做在同一cpu上。现在也用这种方式的话,有望提高散热接触面?待想到更好的散热方法再集成成一块。
作者: wxjiank    时间: 2012-1-18 00:45
有脑子吗?
上不到5g,是intel故意限制性能。完全是市场手段,不是技术障碍
作者: wxjiank    时间: 2012-1-18 00:46
八成是个a饭的酸文
作者: bugbear    时间: 2012-1-18 08:31
wxjiank 发表于 2012-1-18 00:45
有脑子吗?
上不到5g,是intel故意限制性能。完全是市场手段,不是技术障碍

这才是明白人。
ivy频率不高是因为amd太废。
先出低频的,以后慢慢玩而已。
作者: leishen512    时间: 2012-1-18 09:24
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作者: pikaqiuuuu    时间: 2012-1-18 10:26
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作者: 泥巴    时间: 2012-1-18 10:55
解决这内核散热问题可以使用更好的导热材料或把核心平铺在上、缓存及内存控制器放在下面或胶水核心等我们想不到的方法解决。
不使用更高的频率应该是INTEL刻意所为
作者: 66666    时间: 2012-1-18 11:19
希望不带K的起码能超外频
作者: boris_lee    时间: 2012-1-18 12:16
本帖最后由 boris_lee 于 2012-1-18 12:17 编辑

主贴核心就是一句话:随着工艺的进步,单位面积功耗越来越高,以至于超出散热能力的极限
各位自行判断真假。
作者: 路西法大大    时间: 2012-1-18 12:28
本帖最后由 路西法大大 于 2012-1-18 12:33 编辑

INTEL又不是傻子 真要解决这问题出把晶体管堆积的密集度降低就是了...只不过成本会高点而已不过生产成本从来也不占大头无所谓
把100MM^2的芯片分散在200MM^2上毫无压力 反过来才叫做挑战性

作者: NKT    时间: 2012-1-18 12:39
以前好像看过评测,说默点5G随随便便,怎么就遇上南墙了?还是枪?
作者: potomac    时间: 2012-1-18 12:50
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作者: vs2    时间: 2012-1-18 12:51
硅材料的导热能力不行,功率密度太高的情况下,没办法解决集中密度高的散热。
室温是一个恒定的环境设定。降低密度自然占用更大面积,不可能走的回头路。
看来得先从PN结材质上突破了才行,碳基pn结貌似还没突破
作者: 阿土来了    时间: 2012-1-18 13:13
我等知足流,上得了四G就行了。对五G主频,没兴趣。
作者: acqwer    时间: 2012-1-18 13:54
这个帖子居然不是GTX5转的,转贴机难道也放假了?
作者: dalao123    时间: 2012-1-18 14:38
AMD给力点更实在,呵呵
作者: 尼古拉斯凯奇    时间: 2012-1-19 08:29
potomac 发表于 2012-1-18 12:50
你可以去查阅一下每一代产品的尺寸。
实际上尺寸是在慢慢增加的,
制程的进步,主要解决的是每两年翻翻 ...

SNB到IVY尺寸缩小了,就这么简单,不能上5G的IVY还玩个JB
[attach]1749312[/attach]

作者: acqwer    时间: 2012-1-19 09:27
尼古拉斯凯奇 发表于 2012-1-19 08:29
SNB到IVY尺寸缩小了,就这么简单,不能上5G的IVY还玩个JB

面积300+的IVB-E欢迎你选购。
作者: 山中小子    时间: 2012-1-19 10:11
acqwer 发表于 2012-1-18 13:54
这个帖子居然不是GTX5转的,转贴机难道也放假了?

可能在回家的路上
作者: 22587758    时间: 2012-1-19 12:34
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作者: sleuth    时间: 2012-1-19 13:15
本帖最后由 sleuth 于 2012-1-19 13:16 编辑

不仅仅是22纳米工艺的事情吧,还有那个3D芯片设计的关系。

个人看法,这是Intel限制超频的新手段。
作者: pivk    时间: 2012-1-19 13:16
acqwer 发表于 2012-1-19 09:27
面积300+的IVB-E欢迎你选购。

如果ivy的某22nm芯片需要做到300+这种面积,假设晶体管密度不变,那么使用32nm或者45nm工艺则需要摊到450+或者600+的面积,可以想想看,在45nm工艺的时代,600+面积的芯片功耗全开的时候将是多么可怕。
文章的意思可能是制程的进步可以带来芯片面积更小的同性能等级芯片,省成本;另外可以让芯片在更低的电压下达到相同的频率,从而带来更低的功耗,但是问题点在于这个功耗的降低幅度能否赶上面积缩小的幅度,如果赶不上,可能将带来更高的单位面积功耗。

要改进这个问题,只能期待,一,散热器材料的大变革,同样的接粗面积可以带走更多的热量,二cpu架构的变革,同样的晶体管实现的性能能够超越上一代。除此之外,别无他法了。
作者: sleuth    时间: 2012-1-19 13:17
notfishcc 发表于 2012-1-17 20:44
早些时候不是有报道说现在芯片的单位面积瞬间热功率已经超过太阳表面了么...再过几年CPU就变成核反应堆了

好夸张的说法。

作者: 月夜狂雪    时间: 2012-1-20 09:27
LZ没什么脑子,不解释
作者: mastpoko    时间: 2012-1-20 11:14
可以在核心上植入密密麻麻的凸起和顶盖结合,还可以在顶盖里注入不导电的导热液体,还可以使用黄金顶盖,哈哈,抢啊
作者: ericcantona    时间: 2012-1-20 17:58
路西法大大 发表于 2012-1-18 12:28
INTEL又不是傻子 真要解决这问题出把晶体管堆积的密集度降低就是了...只不过成本会高点而已不过生产成本从来 ...

你不知道硅晶圆有多贵么。。。
升级制程就2目的,降低功耗和成本,两者都和芯片面积成正比,照你这么说还要升级干啥
作者: xxxyyy    时间: 2012-1-20 18:09
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作者: 路西法大大    时间: 2012-1-20 18:13
本帖最后由 路西法大大 于 2012-1-20 18:14 编辑
ericcantona 发表于 2012-1-20 17:58
你不知道硅晶圆有多贵么。。。
升级制程就2目的,降低功耗和成本,两者都和芯片面积成正比,照你这么说还 ...

贵毛...保持SNB甚至上代i5这样的芯片面积就行了 成本并不会说有太大区别的说更何况用得I家自己的晶圆厂
换句话说就是IVY面积是降下来了 但你看这价钱有降?可见研发成本经营成本利润等才是大头




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