POPPUR爱换

标题: IBM/三星/GF将在14nm节点启用3D晶体管工艺 [打印本页]

作者: eDRAM 时间: 2012-3-16 13:22
标题: IBM/三星/GF将在14nm节点启用3D晶体管工艺
Intel的3D晶体管工艺即将开始量产，那么其他厂商何时才能跟进呢？在日前举行的2012年通用平台技术论坛会议上，包括IBM、三星以及GF在内的通用平台联盟成员宣布将在14nm工艺节点开始启用FinFET（薄膜晶体管）工艺，也就是3D晶体管，大约在2014年到2015年之间。

　　三星晶圆事业部副总Anna Hunte在演讲中感谢目前的二维晶体管工艺陪伴他们渡过了大部分专业生活，同时她宣布联盟成员将转换到FinFET晶体管工艺，也就是Intel马上量产的3D晶体管工艺。

　　他们将在14nm工艺阶段为客户提供FinFET产品，同时还会有全耗尽（Fully Depleted）型SOI工艺，FD-SOI工艺的特点是晶体管密度大增，而功耗更低。
　　目前应用的部分耗尽型（partially-depleted）SOI工艺的问题是，随着晶体管的减小，进一步为SOI绝缘层施加压力会降低收益，因为目前的PD-SOI已经对晶体管有一定的压力了，再度施加压力会破坏晶体管。这就是AMD之前声称将在28nm以及半代20nm工艺节点放弃SOI工艺改用bulk体积硅工艺的原因。
　　在未来，FinFET工艺阶段还会有芯片堆叠（chip stacking）技术辅助，如果后者进展顺利，很可能会重塑整个芯片制造体系。

作者: eDRAM 时间: 2012-3-16 13:28
貌似14nm 3D晶体管没有台积电的事，台积电悲剧了

作者: eDRAM 时间: 2012-3-16 13:29
NVIDIA在14纳米也没有3D晶体管可用了，悲剧了

作者: GTX999 时间: 2012-3-16 13:39
台鸡店没人带他玩

作者: G81 时间: 2012-3-16 14:04

GTX999 发表于 2012-3-16 13:39
台鸡店没人带他玩

是不是TSMC太强了，所以没人带他玩？

作者: 32nm 时间: 2012-3-16 14:16
台积电可以等到10纳米在启用3D晶体管更成熟更保险些

作者: Racca 时间: 2012-3-16 14:19
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: GTX999 时间: 2012-3-16 14:27
标题: RE: IBM/三星/GF将在14nm节点启用3D晶体管工艺

G81 发表于 2012-3-16 14:04
是不是TSMC太强了，所以没人带他玩？[titter>

是他关系没搞好吧。哈哈

作者: aixiangsui2012 时间: 2012-3-16 14:43
它要是强，也不至于年年玩跳票啊

作者: lanyan3232 时间: 2012-3-16 15:16
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: CC9K 时间: 2012-3-16 15:19

G81 发表于 2012-3-16 14:04
是不是TSMC太强了，所以没人带他玩？[titter>

台积电当年加入Crolles 2联盟，IBM表示没兴趣入伙

作者: 2ndWeapon 时间: 2012-3-16 15:32

eDRAM 发表于 2012-3-16 13:29
NVIDIA在14纳米也没有3D晶体管可用了，悲剧了[crying>

NV已经向三星靠拢

作者: mooncocoon 时间: 2012-3-16 15:38

32nm 发表于 2012-3-16 14:16
台积电可以等到10纳米在启用3D晶体管更成熟更保险些[blush>

10nm是大马士革栅极的问题，等到那时候再引入FinFET就是给自己找事。

作者: 32nm 时间: 2012-3-16 16:54

mooncocoon 发表于 2012-3-16 15:38
10nm是大马士革栅极的问题，等到那时候再引入FinFET就是给自己找事。

那为什么台积电要等到28纳米才引入高K金属栅极？

作者: 32nm 时间: 2012-3-16 16:57
个人估计GF在未来五年内将具备挑战台积电的能力

作者: 32nm 时间: 2012-3-16 17:00

lanyan3232 发表于 2012-3-16 15:16
14纳米节点？Intel已经到了，后面几个小弟还要等很多年才能陆陆续续到达呢，Intel的3D CPU又要火星了

INTEL的14纳米是第二代3D晶体管技术了，其他的后来者只是第一代3D晶体管技术，远远落后INTEL一个时代。

作者: CC9K 时间: 2012-3-16 17:00

32nm 发表于 2012-3-16 16:54
那为什么台积电要等到28纳米才引入高K金属栅极？

台积电又不代工3G、4G主频的芯片

作者: zhishixc 时间: 2012-3-16 17:02
貌似落后Intel很多

作者: 餐具 时间: 2012-3-16 18:06
INTEL就是靠这个做到老大的，每年投入这方面的研究，花掉的钱，估计AMD10年也赚不回来

作者: mooncocoon 时间: 2012-3-16 19:16
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-3-16 19:17 编辑

32nm 发表于 2012-3-16 16:54
那为什么台积电要等到28纳米才引入高K金属栅极？

28/32nm节点上没有别的事情，所以如果你有本事在前面顶住的话，现在来更新HKMG也没什么大不了的。
10nm本身就是一个坎，不管TSMC到时候选择整代还是半代工艺，都要做很多事才能迈过去的，在这种时候平添更多的麻烦显然会遭殃。

作者: IAFCyg 时间: 2012-3-16 20:13

餐具发表于 2012-3-16 18:06
INTEL就是靠这个做到老大的，每年投入这方面的研究，花掉的钱，估计AMD10年也赚不回来

Intel太强大了，烧钱拼工艺，有了好工艺又赚更多的钱..
A记疲于奔命也赶不上。

作者: 32nm 时间: 2012-3-17 22:56

mooncocoon 发表于 2012-3-16 19:16
28/32nm节点上没有别的事情，所以如果你有本事在前面顶住的话，现在来更新HKMG也没什么大不了的。
10nm本 ...

28/32nm没有别的事情，为什么到10nm就有事了呢？

欢迎光临 POPPUR爱换 (https://we.poppur.com/)