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标题: AMD继续悲剧中， Intel 开始研制 7nm 和 5nm 工艺芯片 [打印本页]

作者: stanwich 时间: 2012-5-16 16:14
标题: AMD继续悲剧中， Intel 开始研制 7nm 和 5nm 工艺芯片
。。。。。。。

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 16:29
大马士革栅极成了，回头随便包装一个什么名字就能出来骗钱喽

不过Intel是第一个迈过10nm的，这是有决定性意义的，这表明现在已经没人可以挑战它了……

作者: GTX999 时间: 2012-5-16 16:44
全世界半导体工艺都搞不过一个Intel。哈哈

作者: GTX999 时间: 2012-5-16 17:50
标题: RE: AMD继续悲剧中， Intel 开始研制 7nm 和 5nm 工艺芯片

lzhpro2 发表于 2012-5-16 17:01
现在除了intel，工艺最高的就是三棒和太极殿了吗？ibm这种搞实验的不算在内

三棒子的渣工艺只能做做低频ARM 做个高频CPU得爆炸。
台鸡店做高频CPU的经验都为0

作者: NORAWITHMYCALL 时间: 2012-5-16 17:56

GTX999 发表于 2012-5-16 17:50
三棒子的渣工艺只能做做低频ARM 做个高频CPU得爆炸。
台鸡店做高频CPU的经验都为0

目前全世界芯片工艺公开的制造商，能力最强的应该是荷兰的ASML。

作者: asdfjkl 时间: 2012-5-16 18:13

GTX999 发表于 2012-5-16 17:50
三棒子的渣工艺只能做做低频ARM 做个高频CPU得爆炸。
台鸡店做高频CPU的经验都为0

你这个描述，太夸张了点吧

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 18:15

mooncocoon 发表于 2012-5-16 16:29
大马士革栅极成了，回头随便包装一个什么名字就能出来骗钱喽

不过Intel是第一个迈过10nm的，这是有决定性 ...

你不是说过台积电全球最威吗？

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 18:31

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 18:15
你不是说过台积电全球最威吗？

要发展的看待事物，在现阶段的工艺中TSMC的确很威，但目前的技术对于TSMC越过10nm没有任何帮助。
10nm是一道坎，能过去的就是强者。Intel砸了差不多7年的钱了，所以它现在又成全球最威了。

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 18:34

mooncocoon 发表于 2012-5-16 18:31
要发展的看待事物，在现阶段的工艺中TSMC的确很威，但目前的技术对于TSMC越过10nm没有任何帮助。
10nm是 ...

那你如何看待台积电的20纳米和英特尔的22纳米工艺呢？谁更威？

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 18:41
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 18:44 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 18:34
那你如何看待台积电的20纳米和英特尔的22纳米工艺呢？谁更威？

TSMC的20nm因为beam机先期交付时发生的一系列包括沉船在内的欢乐事件而被拖延了，而且氧化铝在这个尺寸上能否发挥充分的容纳电子的能力也让人感到怀疑，但它依旧是全球唯一一个分开处理nmos和pmos的工艺，因此我认为它依旧领先22nm 3D tri-gate。
但话分两头，现在先进并不代表永远先进。Intel是PVD厂，它对分开处理上覆层不感冒是正常现象，同时对于大马士革栅极的开发让3D gate的优先级高于了上覆层，所以Intel目前的路并没有错。这不，收获的时候不是到了么。

Intel的表现又是一堂关于“计划性以及对计划贯彻保持坚定有效的执行力”的课，最近我们经常会看到这样良好例子。很多时候计划执行过程中都会遇到这样或者那样的困难，甚至是各种一时的挫折以及旁边唾手可及的诱惑，能够不被干扰的坚持执行原来的计划才是最终达成目标的基础。所以，我个人是希望AMD也能好好看一看的……

作者: 餐具 时间: 2012-5-16 18:45
玩这个的，得有钱~~~

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 18:47
本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 18:48 编辑

mooncocoon 发表于 2012-5-16 18:41
TSMC的20nm因为beam机先期交付时发生的一系列包括沉船在内的欢乐事件而被拖延了，而且氧化铝在这个尺寸 ...

台积电的20纳米与英特尔的22纳米相比，谁能塞进更多的晶体管？英特尔不是说3d晶体管相比2d晶体管可以放入更多的晶体管以达成更高的性能吗？

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 18:49

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 18:47
台积电的20纳米与英特尔的22纳米相比，谁能塞进更多的晶体管？英特尔不是说3d晶体管相比2d晶体管可以放入 ...

3D gate可以带来更大的密度，但能塞更多栅极并不代表栅极的性能就会很好。

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 18:54
本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 18:56 编辑

mooncocoon 发表于 2012-5-16 18:49
3D gate可以带来更大的密度，但能塞更多栅极并不代表栅极的性能就会很好。

照你这么说来要造大怪物还是台积电咯？塞进的晶体管多的还比不上塞得少的，这是什么道理啊？

作者: GTX999 时间: 2012-5-16 19:00

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 18:54
照你这么说来要造大怪物还是台积电咯？塞进的晶体管多的还比不上塞得少的，这是什么道理啊？

再讨论下去你就被忽悠死了

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 19:01

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 18:54
照你这么说来要造大怪物还是台积电咯？塞进的晶体管多还比不上塞得少的，这是什么道理啊？

虽然这种说法有些过，但我觉得应该形容的还算贴切——装一麻袋土跟装一麻袋稀土，价值能一样么？

我记得读研的时候，一小袋49纳米铈粉要20多万……

塞的管子多是好事，但塞进去的管子性能如果不好会极大地抵充掉密度带的集成度优势。集成度是很关键，但光看集成度一项参数就来判断工艺和产品优劣，你不觉得这种做法有点2么？

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 19:08

mooncocoon 发表于 2012-5-16 19:01
虽然这种说法有些过，但我觉得应该形容的还算贴切——装一麻袋土跟装一麻袋稀土，价值能一样么？

我记 ...

你的意思是大家同等制程工艺下，英特尔的工艺不如台积电，台积电的20纳米2D工艺强于英特尔的22纳米3D工艺，那为什么NV还要抱怨台积电的工艺一文不值呢？对台积电的工艺恨之入骨呢？

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 19:25

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 19:08
你的意思是大家同等制程工艺下，英特尔的工艺不如台积电，台积电的20纳米2D工艺强于英特尔的22纳米3D工艺 ...

其实我们可以换个角度来看这个问题——NV如果真的抱怨台积电的工艺一文不值，对其恨之入骨的话，然后Intel又不给它机会的话，它为什么不去找三星、意法或者特许呢？
消息在经过加工之后往往会偏离它的实质。NVIDIA所指责的并不是TSMC工艺烂到把它的芯片性能给坑了，而是在抱怨TSMC的产能一直跟不上它的需求。产能跟工艺是否先进有一定关系，但同样不是单纯由工艺先进性决定的，它更多地来自经验性的学科，比如工业放大过程的能力，这跟大多数工艺本身采用的理念和特定细节是没有必然联系的。TSMC现在所欠缺的，NV眼馋的以及Intel所具备的，正是深厚的对流水线的把握能力以及由此带来的产能差异。

看待问题要全面，NV是在指责TSMC同时流着口水看着Intel，但它指责的根本不是工艺先进程度，而是能否满足它的需求，NV甚至每次“指责”时还都要特意加上“28nm工艺给芯片性能带来了极大提升”之类的固定台词。Intel的工艺并没有差到对芯片性能产生决定性影响的地步，同时其厚重到令人生畏的产能可以给Fabless们带来难以想象的出货量和出货速度，NV眼馋的正是这个。

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 19:48

mooncocoon 发表于 2012-5-16 19:25
其实我们可以换个角度来看这个问题——NV如果真的抱怨台积电的工艺一文不值，对其恨之入骨的话，然后Inte ...

原来NV抱怨的是台积电的产能不足，并不是工艺不先进，英特尔的工艺最先进但是性能不如台积电，可是产能又非常富足，这就叫有利有弊吧~

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 19:58

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 19:48
原来NV抱怨的是台积电的产能不足，并不是工艺不先进，英特尔的工艺最先进但是性能不如台积电，可是产能又 ...

嗯，其实相比于我常说的“全球最威”，有利有弊才是更合适的说法。
我个人更倾向于讨论工艺本身的理念和细节，所以会用上这种形容词。

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 20:02

mooncocoon 发表于 2012-5-16 19:58
嗯，其实相比于我常说的“全球最威”，有利有弊才是更合适的说法。
我个人更倾向于讨论工艺本身的理念和 ...

那你能否透露一下台积电的28纳米栅极比英特尔的32纳米栅极性能要高多少？我指的是每瓦特性能。

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 20:14
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 20:16 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 20:02
那你能否透露一下台积电的28纳米栅极比英特尔的32纳米栅极性能要高多少？我指的是每瓦特性能。

每瓦特性能只能用同样的逻辑结构来衡量，所以没办法给你这样的数字……比较直观的衡量晶体管性能一般会用阈值电压，Intel 32nm的Vt在先期是1.06V~1.03V，后期稳定的流水线上参数通常可以在1.0V，而TSMC目前的Vt则处在0.94~0.98V之间，Tahiti投产时的数据是0.97V，算是相当不错的了。

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 20:18
从你给出的参数看，貌似台积电领先英特尔也不多嘛

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 20:19

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:14
每瓦特性能只能用同样的逻辑结构来衡量，所以没办法给你这样的数字……比较直观的衡量晶体管性能一般会 ...

从你给出的参数看来，台积电领先英特尔也不多嘛，差距是微乎其微的

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 20:22

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 20:19
从你给出的参数看来，台积电领先英特尔也不多嘛，差距是微乎其微的

我从来没用“大幅”之类的词来定性过两者之间的性能差距吧。
应该说TSMC虽然采用了更加先进的理念，但其蹩脚的经验限制了新工艺的发挥的……
如果把分离处理上覆层的方法交给其他人，甚至是三星来完成的话，结果都会好更多的。

作者: mikessb 时间: 2012-5-16 20:24
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作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 20:30
本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 20:31 编辑

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:22
我从来没用“大幅”之类的词来定性过两者之间的性能差距吧。
应该说TSMC虽然采用了更加先进的理念，但其 ...

经验不足是因为需要学习曲线吗？再则能做出GK110这种大芯片你还能说台积电是蹩脚的经验？

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 20:38
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 20:39 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 20:30
经验不足是因为需要学习曲线吗？再则能做出GK110这种大芯片你还能说台积电是蹩脚的经验？

这里的学习曲线可不是做特定的芯片，而是“做芯片”本身。他需要经年累月的积累以及大量的流水线时间。说白了就是熬年头+拼工厂数量，年头有了，Fab多了，经验自然就来了。
500来平方毫米的芯片能不能做出来不是经验问题，能不能“大量”而且“快速”的做出来才是经验问题。而这恰恰有关系到被代工者的出货量以及收入，SO……
明白TSMC为啥要被NV骂了吧，活儿再细没量也是不行的。

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 20:48
本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 20:51 编辑

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:38
这里的学习曲线可不是做特定的芯片，而是“做芯片”本身。他需要经年累月的积累以及大量的流水线时间。 ...

做500mm2这种芯片，只怕英特尔也难以保证大量快速的做出来吧？英特尔的fab够多了吧，经验也够多了吧

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 20:55

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 20:48
做500mm2这种芯片，只怕英特尔也难以保证大量快速的做出来吧？英特尔的fab够多了吧，经验也够多了吧

我不喜欢对没有出现过的事物直接下定论，但从Intel在100平方毫米范围向200平方毫米范围跃升时的表现来看，反正蹩脚这个词是很难用到它身上的。
即便是130nm以及进入90nm第一次面对深亚微米屏障时，Intel在遇到问题时进行解决的能力也明显强于其他人，比如说导致P4 1.6A突然死亡的刻线深度不足问题，Intel就只用了2个月便以砍翻重练的形式搞定了。

作者: Racca 时间: 2012-5-16 21:31
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作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 21:52
本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 21:54 编辑

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:55
我不喜欢对没有出现过的事物直接下定论，但从Intel在100平方毫米范围向200平方毫米范围跃升时的表现来看， ...

100平方毫米到200平方毫米不成问题了，500+mm2的大东西可能说得过了，那来试试GK104这个面积294mm2的货吧，看看英特尔是不是能够大量快速的做出来

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 22:09
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 22:11 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 21:52
100平方毫米到200平方毫米不成问题了，500+mm2的大东西可能说得过了，那来试试GK104这个面积294mm2的货 ...

SNB的面积大于200平方毫米，量咋样不用多说了。
SNB-E面积430多平方毫米，好像也没听说过缺货的事。

这就是Intel，它在大部分时候都不是技术最先进的，但不管是对IBM、TSMC还是别的什么人，技术“不足”经验补一直都是致胜的不二法门。

作者: 乐极生悲 时间: 2012-5-16 22:22
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作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 22:27

mooncocoon 发表于 2012-5-16 22:09
SNB的面积大于200平方毫米，量咋样不用多说了。
SNB-E面积430多平方毫米，好像也没听说过缺货的事。

那这么说来英特尔的工艺制程是业界冲得最快最新的，也是业界最成熟产能最大的，就算同制程工艺性能落后台积电微乎其微，还是可以凭借巨大的产能秒杀对手

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 22:29
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 22:30 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 22:27
那这么说来英特尔的工艺制程是业界冲得最快最新的，也是业界最成熟产能最大的，就算同制程工艺性能落后台 ...

是啊。
所以我之说目前TSMC的28nm工艺最威，从来没说过TSMC超越Intel或者宇宙第一甚么的吧。

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 22:36

mooncocoon 发表于 2012-5-16 22:29
是啊。
所以我之说目前TSMC的28nm工艺最威，从来没说过TSMC超越Intel或者宇宙第一甚么的吧。

那为什么台积电不能像英特尔那样冲得最快最新呢？因为28纳米虽然全球最威，但是工艺始终落后英特尔一代，造成28纳米对垒英特尔22纳米的局面，还是会败给英特尔的22纳米工艺啊

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 22:43

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 22:36
那为什么台积电不能像英特尔那样冲得最快最新呢？因为28纳米虽然全球最威，但是工艺始终落后英特尔一代， ...

刚不是说了么，经验是时间和工厂数堆起来的。TSMC这两条上别说追Intel，就是连跟三星比都差很大的……
很多时候不是说想“冲的最快最新”，就能冲的最快最新的。TSMC选择半代工艺，其实也有实在是追不上的原因在。

作者: thewife 时间: 2012-5-16 22:48
AMD 90nm同频性能明显高于65nm性能，3800cz经典啊，温度低又能超。

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 22:51

mooncocoon 发表于 2012-5-16 22:43
刚不是说了么，经验是时间和工厂数堆起来的。TSMC这两条上别说追Intel，就是连跟三星比都差很大的……
很 ...

那NV可以尝试给三星代工阿，不要掉死在台积电这一棵树上

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 23:06
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 23:06 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 22:51
那NV可以尝试给三星代工阿，不要掉死在台积电这一棵树上

三星的经验和半导体事业规模确实远大于TSMC，但目前的半导体工艺水准还不及Intel，如果Intel是麦当劳的话，三星顶天了就是一庆丰……
Fabless的尴尬之一，就是这世界上目前还不存在又快又好吃的餐厅，所以你只能二挑一。

作者: 西把拉古 时间: 2012-5-16 23:07
一问一答好激情啊

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 23:14

mooncocoon 发表于 2012-5-16 23:06
三星的经验和半导体事业规模确实远大于TSMC，但目前的半导体工艺水准还不及Intel，如果Intel是麦当劳的话 ...

三星的半导体工艺水准不及英特尔，但是只要比台积电强就可以了，NV完全可以放心的把GK104交给三星代工，英特尔是麦当劳似的快餐店？那台积电是什么？现在就是不知道三星是否也已经进入了22纳米时代了，应该还是要快过台积电的步伐吧？

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 23:23

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 23:14
三星的半导体工艺水准不及英特尔，但是只要比台积电强就可以了，NV完全可以放心的把GK104交给三星代工，英 ...

我们讨论了这么多楼，答案不是已经很明显了么。

TSMC在规模、经验和综合实力层面不济Intel和三星。在这一个瞬间，也就是28nm HKMG出炉之后，TSMC凭借分开处理上覆层的先进理念获得了工艺技术层面的领先，他可以给NV的芯片带来优异的性能和功耗表现，但他的产能依旧不济，无法满足NV的需求。

NV无法获得Intel庞大的产能，三星的产能和工艺水准均不及Intel，也无法提供TSMC能够提供的量虽然不大但性能不错的芯片。你说NV能怎么办？

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 23:29
本帖最后由 gzeasy2006 于 2012-5-16 23:31 编辑

既然三星代工的芯片性能不如台积电，那性能差台积电多少呢？如果是微乎其微的差距的话，NV完全可以把GK104放给三星代工阿，最多频率低一些嘛，三星的产能那么大 NV不会不知道吧？

作者: kinno 时间: 2012-5-16 23:31
三星的dram和nand产能够大，但是和cpu，gpu复杂度完全不是一回事啊

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 23:36
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-16 23:37 编辑

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 23:29
既然三星代工的芯片性能不如台积电，那性能差台积电多少呢？如果是微乎其微的差距的话，NV完全可以把GK104放 ...

事实上，目前尚未见三星有过大型复杂逻辑芯片代工的经验。为了一个未知的产能资源而冒险转移所有的EDA资源，如果是我我也不换。

要么吃给的多的，要么吃给的好的，给的不如Intel多，质量又不如TSMC好，而且最终能不能表现良好还是未知数的三星，在西方价值观中显然不是一个好的选择。

当然，NV不选择三星还有其他各种各样搞笑的原因，那些商业性的要素并不在此贴讨论的范畴内，所以就略过吧。

作者: dizhang 时间: 2012-5-16 23:36
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作者: mooncocoon 时间: 2012-5-16 23:39

dizhang 发表于 2012-5-16 23:36
问一个外行的问题，假定Intel给nv代工，intel有没有可能从此窃取到nv的gpu核心机密？

其实GPU怕被偷掉的核心机密并不多，Intel被挡在图形界门外的最大障碍不是什么核心机密而是专利墙。

作者: Racca 时间: 2012-5-16 23:42
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作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-16 23:46

mooncocoon 发表于 2012-5-16 23:36
事实上，目前尚未见三星有过大型复杂逻辑芯片代工的经验。为了一个未知的产能资源而冒险转移所有的EDA资源 ...

那NV前怕狼后怕虎就只能吊死台积电这棵树上，等着到20纳米工艺台积电的涨价吧，NV不是有文章分析台积电的20纳米工艺毫无成本优势了吗？那就等着被台积电宰吧

作者: dizhang 时间: 2012-5-16 23:46
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作者: loverlong 时间: 2012-5-16 23:53

GTX999 发表于 2012-5-16 17:50
三棒子的渣工艺只能做做低频ARM 做个高频CPU得爆炸。
台鸡店做高频CPU的经验都为0

听说NV要勾搭三棒子，现在连三棒子也要黑啊，你这杆枪还真好使啊

http://we.pcinlife.com/thread-1900409-1-1.html说好的一超就爆炸残废网卡670呢。

作者: frankincense 时间: 2012-5-17 02:10

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 21:52
100平方毫米到200平方毫米不成问题了，500+mm2的大东西可能说得过了，那来试试GK104这个面积294mm2的货 ...

nehalem的面积是246mm2
sandy bridge ep-4(3820)有294mm2
sandy bridge ep-8(3960x)去到435mm2
nehalem-ex则有约600mm2
tukwila应该是intel史上数得上的巨型芯片，65nm制程的面积达到了698.75mm2
intel绝不是做不出大芯片，更多是基于成本和性能功耗考虑，在消费市场不需要那么大的芯片

作者: xiaxin222a 时间: 2012-5-17 08:55

mooncocoon 发表于 2012-5-16 23:36
事实上，目前尚未见三星有过大型复杂逻辑芯片代工的经验。为了一个未知的产能资源而冒险转移所有的EDA资源 ...

求搞笑

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-17 09:53

frankincense 发表于 2012-5-17 02:10
nehalem的面积是246mm2
sandy bridge ep-4(3820)有294mm2
sandy bridge ep-8(3960x)去到435mm2

英特尔就算是698mm2平方毫米的巨型芯片也无法和GK110相提并论，因为英特尔的巨型芯片80%是缓存，真正的逻辑单元最多也就占20%，不像GK110这种大怪物，芯片上的逻辑单元占到了80%的惊人比例。

作者: Racca 时间: 2012-5-17 09:58
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作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-17 10:29

Racca 发表于 2012-5-17 09:58
跟逻辑不逻辑没关系, 大芯片主要是考验Mask和缺陷率, SRAM有缺陷一样不能用. 逻辑电路也一样屏蔽.
何况剩 ...

NV说造大规模静态存储器容易过大规模的逻辑单元，你怎么说两者都一样呢？

作者: wohewanjun 时间: 2012-5-17 11:25
台积电的同制程工艺实际上还是不错的，只不过产能稍弱，另外10NM这个坎，需要很多很多的money

作者: wwq1233 时间: 2012-5-17 11:37

mooncocoon 发表于 2012-5-16 18:41
TSMC的20nm因为beam机先期交付时发生的一系列包括沉船在内的欢乐事件而被拖延了，而且氧化铝在这个尺寸 ...

beam机？你是说IMP么。哪家的又出新机台了？High energy？High current？还是medium current？
Intel的tri gate，thin gateoxide是用Applied的ISG长出来的么？

作者: mooncocoon 时间: 2012-5-17 12:06
本帖最后由 mooncocoon 于 2012-5-17 12:24 编辑

不是新机啊，TSMC不是一直采购Mapper的beam机么，这说的是2年多以前的欢愉事件了。TSMC第一次下单，然后风车佬表示现在下单要延期2月，“2个月之后下单就不会延期了”。然后TSMC第二次下单，那边装船出港之后触礁沉了。

后来beam运到Fab12又赶上厂房设施改造周期，只能先去其他地方又蹲了一阵，结果一系列的欢乐导致了20nm的整体延期。
Intel有用“长”做过gateoxide么，沉积和生长是不能混淆的啦……

作者: potomac 时间: 2012-5-17 13:26
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作者: frankincense 时间: 2012-5-17 13:33

gzeasy2006 发表于 2012-5-17 09:53
英特尔就算是698mm2平方毫米的巨型芯片也无法和GK110相提并论，因为英特尔的巨型芯片80%是缓存，真正的逻 ...

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Tukwila的晶圆图，缓存部分也就大约一半而已。
GK110绝大部分是重复的CUDA Core，复杂度还真不如CPU巨大而复杂的内核部分

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-17 14:50

frankincense 发表于 2012-5-17 13:33
Tukwila的晶圆图，缓存部分也就大约一半而已。
GK110绝大部分是重复的CUDA Core，复杂度还真不如CPU ...

那照你这么说来，CPU的大核心比GPU的大核心更难制造？良率更难保证？

作者: frankincense 时间: 2012-5-17 15:08

gzeasy2006 发表于 2012-5-17 14:50
那照你这么说来，CPU的大核心比GPU的大核心更难制造？良率更难保证？

同时做过大核心CPU和GPU的似乎只有IBM了
像Intel这样工艺和设计一脚踢的应该有比较完善的良率控制方案，不过从Intel的大核心一般都用落后一代的成熟工艺而且都较主流产品迟出来看，良率恐怕也不怎么好控制
例如2010年Intel主流已经进入32nm，而同期的Nehalem-EX还是45nm，Tukwila干脆是65nm

作者: GTX999 时间: 2012-5-17 18:54
竟然有人说intel工艺不如太极殿了哈哈哈
ngun都疯了

作者: Racca 时间: 2012-5-17 22:06
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作者: itany 时间: 2012-5-17 23:42

gzeasy2006 发表于 2012-5-17 09:53
英特尔就算是698mm2平方毫米的巨型芯片也无法和GK110相提并论，因为英特尔的巨型芯片80%是缓存，真正的逻 ...

GPU的逻辑单元和CPU的缓存一样
另外，Intel的缓存绝不是80%。您自己去量量看吧

作者: wgqg 时间: 2012-5-18 08:10
Intel的表现又是一堂关于“计划性以及对计划贯彻保持坚定有效的执行力”的课，最近我们经常会看到这样良好例子。很多时候计划执行过程中都会遇到这样或者那样的困难，甚至是各种一时的挫折以及旁边唾手可及的诱惑，能够不被干扰的坚持执行原来的计划才是最终达成目标的基础。所以，我个人是希望AMD也能好好看一看的……

这句话说的太好了

作者: gzeasy2006 时间: 2012-5-22 20:37

frankincense 发表于 2012-5-17 15:08
同时做过大核心CPU和GPU的似乎只有IBM了
像Intel这样工艺和设计一脚踢的应该有比较完善的良率控制方案， ...

似乎至强系列还是用32纳米工艺

作者: 侧翼 时间: 2012-6-15 22:34
搞笑，如果AMD明天宣布破产，你看谁最急？
INTEL保证跟孙子一样立即侵犯AMD专利，让AMD起诉，然后赔钱让AMD度过难关

作者: Elwin 时间: 2012-6-15 22:44
三棒在dram领域还是头把交椅，只是intel和镁光在nand领域越来越强势，dram作为接近领域压力也越来越大

话说这个结果在amd拆分工厂后就是注定了，今后两者差距会越来越大，别说跟intel比，棒子和小岛的半导体工业也进步的很快，gf我看没两年就不必存在了

作者: gz_easy 时间: 2012-6-15 22:58

gzeasy2006 发表于 2012-5-22 20:37
似乎至强系列还是用32纳米工艺

Xeon 1200系列带V2的都是22nm Ivy Bridge.
http://ark.intel.com/compare/65735,65734,65733,65732,65730,65729,65728,65727,65726,65725,65722

作者: nBAN 时间: 2012-6-16 00:34

gzeasy2006 发表于 2012-5-17 14:50
那照你这么说来，CPU的大核心比GPU的大核心更难制造？良率更难保证？

没错 cpu的复杂度高于gpu无疑

作者: 顽皮的灰兔 时间: 2012-7-2 14:16

mooncocoon 发表于 2012-5-16 19:25
其实我们可以换个角度来看这个问题——NV如果真的抱怨台积电的工艺一文不值，对其恨之入骨的话，然后Inte ...

我在公司是做厂房建设，有幸台机电和intel项目都有接触。我见到的是台机电在管理和基础设施投入上和intel差距非常大。台机电我能看到的唯一优势是不考虑可靠性稳定性的前提可能会有相对低的成本。

作者: wwq1233 时间: 2012-7-21 19:38

mooncocoon 发表于 2012-5-17 12:06
不是新机啊，TSMC不是一直采购Mapper的beam机么，这说的是2年多以前的欢愉事件了。TSMC第一次下单，然后风车 ...

0.0 thin gate oxide 的确不是沉积上去的呢。

作者: boltblade 时间: 2012-7-21 20:40

gzeasy2006 发表于 2012-5-16 18:34
那你如何看待台积电的20纳米和英特尔的22纳米工艺呢？谁更威？

台积电20NM出来的时候英特尔早就14NM了

作者: PRAM 时间: 2013-5-20 10:54

mooncocoon 发表于 2012-5-17 12:06
不是新机啊，TSMC不是一直采购Mapper的beam机么，这说的是2年多以前的欢愉事件了。TSMC第一次下单，然后风车 ...

扯什么EB.吞吐一直上不去的，几十年前出来的玩意了

作者: PRAM 时间: 2013-5-20 10:56

mooncocoon 发表于 2012-5-16 20:14
每瓦特性能只能用同样的逻辑结构来衡量，所以没办法给你这样的数字……比较直观的衡量晶体管性能一般会 ...

PMOS和NMOS性能呢？

作者: PRAM 时间: 2013-5-20 10:59
EB和T20 都能扯到一起，真是扯淡

作者: PRAM 时间: 2013-5-20 10:59
TSMC 当年代工C7 那就NB啊逼的VIA不得不换代工厂

作者: xf20062006 时间: 2013-5-20 12:29

mooncocoon 发表于 2012-5-16 18:41
TSMC的20nm因为beam机先期交付时发生的一系列包括沉船在内的欢乐事件而被拖延了，而且氧化铝在这个尺寸 ...

这分析真是极好的..

作者: xf20062006 时间: 2013-5-20 12:33

mooncocoon 发表于 2012-5-16 18:41
TSMC的20nm因为beam机先期交付时发生的一系列包括沉船在内的欢乐事件而被拖延了，而且氧化铝在这个尺寸 ...

这分析真是极好的..

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