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标题: IVB的3D晶体管被人给扒光拍照了，好像和设计图有很大差异—— [打印本页]

作者: nom8393 时间: 2012-5-25 02:24
标题: IVB的3D晶体管被人给扒光拍照了，好像和设计图有很大差异——

这个形状，你懂得——
逆向工程分析公司Chipworks稍早前公布英特尔22nm Ivy Bridge处理器的剖面图，从中可见英特尔称为三栅极(tri-gate)晶体管的FinFET元件，从剖面图看来，它实际上是几乎呈现三角形的梯形。

这颗被解剖的IC是用于服务器的64位四核Xeon E3-1230处理器，Chipworks在香港取得该元件。

三角形部分与英特尔曾经在2011年展示过的理想化矩形截面明显不同。然而，目前尚不清楚这些fin的非垂直侧边是否为制造过程自然产生且无关紧要；亦或是英特尔故意如此设计，而且将对电子迁移率或良率造成关键影响。

从苏格兰格拉斯哥大学独立而出的Gold Standard Simulations Ltd. (GSS) CEO Ase Asenov在网络上回应道：业界对于这种形成“块状”(bulk)FinFET的梯形或是近似三角形结构的优缺点有诸多揣测。GSS已经使用其名为Garand的3D TCAD模拟器对FinFET进行了模拟分析。

作者: yoyofuture88 时间: 2012-5-25 02:39
这个应该是理想跟现实的差别吧。。。不过激光蚀刻有这么不精确么？？？

作者: kinno 时间: 2012-5-25 08:28
这也能逆向分析出来？

作者: 酷威电脑水冷 时间: 2012-5-25 09:35
是不是真的可以逆向分析出。。。。。

作者: cobra_woo 时间: 2012-5-25 11:02
22nm 还是下一代吧

作者: fzmailyl 时间: 2012-5-25 11:58

作者: 悟道 时间: 2012-5-25 13:29
制作工艺达不到设计的要求。其结果大家都懂的。毕竟3D架构才开发出来还有很多需要改经和提高的地方。

作者: fyso 时间: 2012-5-25 14:04
IVB已经体现了3D晶体管阻碍了频率提升，如果将来INTEL由于发热而放弃3D晶体管，那也不是不可能的，随着制程和频率的提升，单位面积上的发热量会更进一步提高，频率提升更加困难，AMD在频率上大做文章的话，INTEL就会陷入被动。

作者: fish2fish 时间: 2012-5-25 14:09

fyso 发表于 2012-5-25 14:04
IVB已经体现了3D晶体管阻碍了频率提升，如果将来INTEL由于发热而放弃3D晶体管，那也不是不可能的，随着制程 ...

intel的技术储备不知有多雄厚，只是想不想拿出来而已

作者: 正宗3332243 时间: 2012-5-25 14:13

fish2fish 发表于 2012-5-25 14:09
intel的技术储备不知有多雄厚，只是想不想拿出来而已

intel确实很多后手，单单是解放倍频就不得了了

作者: reftin2 时间: 2012-5-25 15:23
上面那张图怎么看也不是设计图，最多算是示意图，宣传品

作者: 养小虎 时间: 2012-5-25 16:07
不管是方形、梯形、三角形，表面积都大大增加了

作者: bogstriuk 时间: 2012-5-25 16:21
这也能逆向分析出来无敌

作者: nqhjl 时间: 2012-5-25 18:21
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作者: BDFMK2 时间: 2012-5-25 20:07

kinno 发表于 2012-5-25 08:28
这也能逆向分析出来？

你需要一把锤子和一台电子显微镜

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