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标题: 看看TSMC工艺能达到的性能峰值 [打印本页]

作者: Elwin 时间: 2013-6-8 11:43
标题: 看看TSMC工艺能达到的性能峰值
1999年，0.22um的Geforce 256 DDR代表了此时代最高水准，粗略的将其算作1

2001年，0.18um的Geforce 2 Ultra是此时代的no.1，基准性能1.8

2003年，0.15um从Geforce 3开始历经数代产品，最终却以ATI R350也就是Radeon 9800XT的形态结束，诸多经典产品都属于这个时代。9800XT，性能指数6

2004年，尽管nvidia很早就引入了0.13um，但真正大成还是在这一年属于GeForce 6800 Ultra。性能指数11。

2005年，0.11um是属于nvidia G70芯片的，ATI在这上面浅唱辄止。Geforce 7800GTX超频版512M，性能21。津津乐道的NV43芯片也属于这里。

2006年，尽管ATI很早涉足90nm，但是后期无疑又是属于nvidia时代。而且此后每次都是nvidia以老旧成熟工艺去应对ATI/AMD的新工艺高频率。8800 Ultra，性能指数48。90nm同样经典层出不穷。

2007年，80nm成为最杯具的一代产品，2900XT领衔结果可想而知。nvidia在这里尝试了下G84芯片，尽管很多人不买账，也帮助了TSMC清理库存。2900XT，性能34

2008年，65nm又是属于nvidia的。AMD早早的跳槽到55nm，nvidia却认真耕耘65nm，做出了GTX280这样的巨型。GPU历史上最大成员最多的G92家族也站在这里。GTX280，性能66。

2008年，AMD其实早在07年就全线来到55nm，但是登峰造极的产品还是要看GTX285。总体来看，AMD产品在55nm部分略占上风，而nvidia迟来好过不来，与65nm产品搭配卖也不落下风。GTX285，性能74

2010年，40nm经过数年坑爹终于铺开。AMD来的比谁都早，但是峰值又在nvidia手里。经历了HD5800的爆发，HD6900显得苍白无力，而Fermi却一步一步踏实的前进。GTX580，性能140

新任怪物GK110目前在领衔28nm，看这意思估计28nm也就这样了，未来也许会有完整的GK110出现，谁知道呢。目前的Titan相对40nm提升幅度还是相当的巨大，GTX580SLI未必是对手。Titan，性能275

作者: nfs14 时间: 2013-6-8 13:00
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: asdfjkl 时间: 2013-6-8 15:19
总结的好~~~ 时间的跨度真的很大！
就看下一代NV的20nm大核心的威力了

作者: lxilikepal 时间: 2013-6-8 15:28
不过，这个性能指数（姑且这么称呼吧）是怎么得出的？单纯的3DMark跑分么？或者是有一个统一的游戏性能测试么？又或者是从公布的理论性能数据里计算得出的？

作者: coollab 时间: 2013-6-8 15:38
TSMC就是渣

作者: R620 时间: 2013-6-8 19:22
杯具啊……TSMC的20纳米没3D晶体管

作者: NG6 时间: 2013-6-8 21:40
好文。。。。。。

作者: coollab 时间: 2013-6-8 21:51
本帖最后由 coollab 于 2013-6-8 21:52 编辑

R620 发表于 2013-6-8 19:22
杯具啊……TSMC的20纳米没3D晶体管

英特尔的3D只是把源极站起来了而已，实际上不能算作“真正的”3D晶体管，晶体管本身就是3D的。
英特尔只是较早实现了三栅极技术，当然其先进性毋庸置疑，性能表现也很不错，市场宣传有点过了
TSMC估计在20nm也应该引入FinFET了

作者: feeling253 时间: 2013-6-8 22:45
还是支持下台积电，能跟着英特尔跑就很不错了，还是中国人开的公司呢，怎么不见这里有人自豪一下，反而嘲讽的人多？就因为人家在岛上？

作者: R620 时间: 2013-6-8 23:47

coollab 发表于 2013-6-8 21:51
英特尔的3D只是把源极站起来了而已，实际上不能算作“真正的”3D晶体管，晶体管本身就是3D的。
英特尔只 ...

连英特尔的3D晶体管都不是真正的3D晶体管的话……那什么才能叫做真正的3D晶体管？请赐教

作者: coollab 时间: 2013-6-9 00:50

R620 发表于 2013-6-8 23:47
连英特尔的3D晶体管都不是真正的3D晶体管的话……那什么才能叫做真正的3D晶体管？请赐教

可是，晶体管在结构上看，本来就是3D的啊。

英特尔只是把平的源极站起来，就号称3D晶体管，技术上也是早在研发中的FinFET，算不得首创，也只能说是首次大规模商业化应用，占了个市场宣传的便宜。

真正的3D晶体管，应该是整个芯片结构3D化，上下左右都有构建，不过短期内别想看到，未来是不是可能也不知道了。

另外，个人认为堆叠芯片相对英特尔的FinFET，更应该有3D晶体管的称号。

作者: coollab 时间: 2013-6-9 00:50

feeling253 发表于 2013-6-8 22:45
还是支持下台积电，能跟着英特尔跑就很不错了，还是中国人开的公司呢，怎么不见这里有人自豪一下，反而嘲讽 ...

这种嘲讽其实并非针对TSMC。。。。

作者: san_037 时间: 2013-6-9 12:16
TSMC的3D晶体管和intel是不同的，是鱼鳞状的。

作者: R620 时间: 2013-6-9 13:53

san_037 发表于 2013-6-9 12:16
TSMC的3D晶体管和intel是不同的，是鱼鳞状的。

鱼鳞状有啥好处？

作者: Elwin 时间: 2013-6-9 14:00
ATI以前真心认真做GPU的，0.15um做出了8500和9700这两代经典，90nm也做出了1900XTX这样理念先进的巨无霸，更别提Xenos那样领先时代的东西。

给人的感觉ATI好像被nvidia收购了似的，现在的AMD就像以前的nvidia不停在做高频新工艺快餐芯片，而nvidia却反过来做以前ATI的事。

作者: xiaxin222a 时间: 2013-6-9 14:03

Elwin 发表于 2013-6-9 14:00
ATI以前真心认真做GPU的，0.15um做出了8500和9700这两代经典，90nm也做出了1900XTX这样理念先进的巨无霸，更 ...

8500 9700是收购的公司带进来的方案吧。
估计后来老本吃完了。

作者: xiaxin222a 时间: 2013-6-9 14:04

coollab 发表于 2013-6-9 00:50
可是，晶体管在结构上看，本来就是3D的啊。

英特尔只是把平的源极站起来，就号称3D晶体管，技术上也是 ...

多层堆叠芯片，感觉散热是大问题。

作者: coollab 时间: 2013-6-9 15:20

xiaxin222a 发表于 2013-6-9 14:04
多层堆叠芯片，感觉散热是大问题。

晶圆很薄很薄，就没有问题了

作者: 66666 时间: 2013-6-9 15:51
很明显老黄搞所谓3D堆叠显存就是估计到台积电未来会越来越不给力，如果GPU本身规模没法大规模提升的话，只有靠2条路，一是提升Compute Shader效率，二就是提升带宽规模。

这正好是Maxwell和之后NV显卡发展的方向。

作者: R620 时间: 2013-6-9 16:03

coollab 发表于 2013-6-9 00:50
可是，晶体管在结构上看，本来就是3D的啊。

英特尔只是把平的源极站起来，就号称3D晶体管，技术上也是 ...

只有堆叠才是真3D晶体管吗？

作者: coollab 时间: 2013-6-9 16:04

R620 发表于 2013-6-9 16:03
只有堆叠才是真3D晶体管吗？

我从没这样说过。

作者: R620 时间: 2013-6-9 16:17

coollab 发表于 2013-6-9 15:20
晶圆很薄很薄，就没有问题了

显存容量的问题是否能解决？

作者: R620 时间: 2013-6-9 16:38

coollab 发表于 2013-6-9 16:04
我从没这样说过。

那你为啥要否定英特尔的3D晶体管？

作者: G81 时间: 2013-6-9 19:01
TSMC应该和三星合作....一同抗衡英特尔

作者: goldman948 时间: 2013-6-9 19:53
谁信三星谁傻

作者: R620 时间: 2013-6-9 20:21
本帖最后由 R620 于 2013-6-9 20:22 编辑

coollab 发表于 2013-6-9 16:04
我从没这样说过。

你的回答就是这个意思啊！

作者: frankincense 时间: 2013-6-9 21:03

G81 发表于 2013-6-9 19:01
TSMC应该和三星合作....一同抗衡英特尔

三星已经上了IBM和GF打造的贼船

作者: coollab 时间: 2013-6-9 21:49

R620 发表于 2013-6-9 16:17
显存容量的问题是否能解决？

显存堆叠就好了啊，你可以查查HMC的内容。

作者: coollab 时间: 2013-6-9 21:49

R620 发表于 2013-6-9 16:38
那你为啥要否定英特尔的3D晶体管？

我没有否定。

作者: R620 时间: 2013-6-9 22:43

coollab 发表于 2013-6-9 21:49
显存堆叠就好了啊，你可以查查HMC的内容。

显存堆叠的容量能和外置式显存的容量一样吗？

作者: R620 时间: 2013-6-9 22:57
本帖最后由 R620 于 2013-6-9 22:57 编辑

coollab 发表于 2013-6-9 21:49
我没有否定。

是你自己说英特尔不是真3D晶体管的啊！

作者: coollab 时间: 2013-6-10 00:27

R620 发表于 2013-6-9 22:43
显存堆叠的容量能和外置式显存的容量一样吗？

更大。同面积下。

作者: coollab 时间: 2013-6-10 00:28

R620 发表于 2013-6-9 22:57
是你自己说英特尔不是真3D晶体管的啊！

晶体管本来就是3D的。。。。

作者: san_037 时间: 2013-6-10 01:35

R620 发表于 2013-6-9 13:53
鱼鳞状有啥好处？

工艺据说比intel的长条矩形状要简单点，主要是台积电的3D晶体管只有左右两边是栅极，而intel除了左右两边，顶上也是栅极，性能么台积电表示无差别，具体如何，现在没有实物芯片测试，就不知道了，不过也有说法是因为台积电的工艺路线和intel不同所以无法做得和intel一样，嗯，三星和GF的3D也是鱼鳞状。

作者: G81 时间: 2013-6-10 08:30

frankincense 发表于 2013-6-9 21:03
三星已经上了IBM和GF打造的贼船

赶紧下船和TSMC合作同办晶圆厂才是正道

作者: R620 时间: 2013-6-10 11:09

san_037 发表于 2013-6-10 01:35
工艺据说比intel的长条矩形状要简单点，主要是台积电的3D晶体管只有左右两边是栅极，而intel除了左右两边 ...

这么说性能是一样的？鱼鳞状也没什么特别之处嘛！

作者: san_037 时间: 2013-6-10 13:16

R620 发表于 2013-6-10 11:09
这么说性能是一样的？鱼鳞状也没什么特别之处嘛！

性能从两家3D晶体管的基本结构来说，理论上intel的三门晶体管在开关特性上应该更好，而台积电（其实是IBM技术）的双门鳍状晶体管应该在漏电和功耗上表现会比较好，这也符合intel在工艺一贯更看重性能，对功耗和漏电居于次要地位的一贯技术路线，但是实际上由于目前双门鳍状晶体管还没有实物可以来比较，所以谁比较好还说不清楚。

作者: R620 时间: 2013-6-10 16:15

coollab 发表于 2013-6-10 00:27
更大。同面积下。

堆叠显存同面积下更大的话…也就没外置式显存啥事了，那三星海力士的显存都卖不出去啦！

作者: coollab 时间: 2013-6-10 17:03

R620 发表于 2013-6-10 16:15
堆叠显存同面积下更大的话…也就没外置式显存啥事了，那三星海力士的显存都卖不出去啦！

三星和hynix都会转HMC的

作者: R620 时间: 2013-6-10 17:54

coollab 发表于 2013-6-10 17:03
三星和hynix都会转HMC的

全部转投堆叠～那外置式显存还继续发展吗？

作者: coollab 时间: 2013-6-10 21:50

R620 发表于 2013-6-10 17:54
全部转投堆叠～那外置式显存还继续发展吗？

你猜？

作者: R620 时间: 2013-6-10 22:40

coollab 发表于 2013-6-10 21:50
你猜？[titter>

猜不到！你知道就说嘛

作者: G81 时间: 2013-6-10 23:18
本帖最后由 G81 于 2013-6-10 23:26 编辑

66666 发表于 2013-6-9 15:51
很明显老黄搞所谓3D堆叠显存就是估计到台积电未来会越来越不给力，如果GPU本身规模没法大规模提升的话，只有 ...

直接在GPU里面集成ARM可以解决Compute Shader效率的问题…………要解决显存带宽瓶颈的问题目前看来只能靠硅打孔的堆叠显存了……因为GDDR6不靠谱

作者: coollab 时间: 2013-6-11 10:13

R620 发表于 2013-6-10 22:40
猜不到！你知道就说嘛

我明显不知道。

作者: 32nm 时间: 2013-6-13 17:51
台积电应该在美国办厂更容易吸引高科技的人才

作者: 刘丹 时间: 2013-6-20 20:01
在下感觉TSMC的工艺是越来越给力啊~~能制造出那么巨大无比的GPU~本身就是再向Intel示威嘛~

作者: song000 时间: 2013-6-20 21:11
日，四大金刚的登记照头像

作者: asdfjkl 时间: 2013-6-20 21:52

刘丹发表于 2013-6-20 20:01
在下感觉TSMC的工艺是越来越给力啊~~能制造出那么巨大无比的GPU~本身就是再向Intel示威嘛~

Intel的工艺也是相当牛掰的，Xeon Phi的面积： 700+平方毫米，22nm 3D 晶体管。无论是实际面积，还是换算成28nm工艺下的面积，都远远超过GK110。

作者: NORAWITHMYCALL 时间: 2013-6-21 00:19
tsmc要和intel掰手腕不现实，还是不要吃着碗里的，看着碗外的。

作者: san_037 时间: 2013-6-21 09:25
看看TMSC和Intel对asml的投资力度就知道了，在极紫外光光刻上，TMSC已经落后了，更不用说Intel已经在搞18寸的生产线了。

作者: Elwin 时间: 2013-6-21 09:28
晶圆的生产能力和芯片的制造能力是两回事，生产能力不用比了，tsmc送它三年时间差不多才能追上intel。

制造能力也没法直接比，与intel长时间生产单一的cpu不同，tsmc有着丰富的代工经验，几乎各种芯片都做过，以我来看，tsmc能力更全面，而intel在自己那一亩三分地上专精能力是首屈一指的。

作者: gzeasy2006 时间: 2013-6-22 08:29

asdfjkl 发表于 2013-6-20 21:52
Intel的工艺也是相当牛掰的，Xeon Phi的面积： 700+平方毫米，22nm 3D 晶体管。无论是实际面积，还是换算 ...

英特尔的大核心大部分都是缓存，不具备可比性

作者: frankincense 时间: 2013-6-22 09:03

gzeasy2006 发表于 2013-6-22 08:29
英特尔的大核心大部分都是缓存，不具备可比性

大部分？

[attach]2293393[/attach]
Tukwila，面积698mm2，缓存部分也就四成左右；

[attach]2293395[/attach]
SandyBridge-EP，435mm2，缓存部分更少；

[attach]2293396[/attach]
Xeon Phi，超700mm2，结构上和GPU差不多都是靠堆运算单元，这个东西的缓存面积更少了；

[attach]2293398[/attach]
GK110，绝大部分都是简单的Core单元，这才更不具备可比性

作者: w7231665 时间: 2013-6-23 18:49
关键还是看设备了，没极紫外光别说3D 2D都难得搞，看谁能先进到14nm的坎谁才是赢家- -不过肯定是INTEL最先14nm

作者: frankincense 时间: 2013-6-23 19:21

w7231665 发表于 2013-6-23 18:49
关键还是看设备了，没极紫外光别说3D 2D都难得搞，看谁能先进到14nm的坎谁才是赢家- -不过肯定是INTEL最先1 ...

Intel确认明年上半年＂量产＂14nm
台积电预计今年能搞定20nm，明年＂试产＂16nm

作者: w7231665 时间: 2013-6-25 11:33

frankincense 发表于 2013-6-23 19:21
Intel确认明年上半年＂量产＂14nm
台积电预计今年能搞定20nm，明年＂试产＂16nm

双重曝光不行用三重，三重不行用四重，直到EUV能商用= =这等霸气除开INTEL还有谁来搞

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