littlemouse 发表于 2013-6-25 18:28 http://www.sandisk.cn/products/ssd/sata/x110/
cocker 发表于 2013-6-25 12:50
我说的不是事实么?
金士顿自己买了die用在自家的SSD上会用很差的die么?
东芝官方敢标明19nm的PE么? ...
你搞错了吧,我的主贴里从来就没提过Hyper X系列啊,你看贴也太不小心了吧,我想你的意思是指V+和V系列的颗粒,我就是从TBW的变化推算出V300用的就是2000P/E的颗粒啊,从来就没有认为V+200和V300用的是同等级的颗粒啊。
"东芝正规渠道是绝对对每批颗粒都标了指导寿命,报价和产品等级相对应,作为商业机密没有义务公开。你看不到所以就是没有?"
商业秘密没有义务公开? 颗粒的寿命是商业秘密? 这是非常重要的参数啊,直接涉及到TBW的计算,和用户预期的寿命使用。 那为什么intel 镁光和三星的SSD就敢公开(镁光的AD值,三星的B1值,intel的E9值直接就可以计算出SSD上颗粒的P/E
你说的是那个E8参数吧,这个参数其它SSD厂家也都有,问题是这个参数并不能直接量化地反映SSD的P/E寿命值,这个E8值可能因为固件bug或颗粒质量不过关而爆炸式增长,例如上面那块512GB的m5p才写了734GB的用户数据就把E8消耗得只剩下8%,按你的逻辑用户写了734GB就用掉了SSD 92%寿命? 这也太黑东芝的颗粒了吧, 真实情况是这块512GB上没有坏掉的闪存块实际用了1% P/E寿命都不到,因此E8值只能反映坏块的情况,并不能反映SSD整体寿命的P/E消耗情况,也就是完全不能用于量化SSD的可用寿命. 相反的是intel 镁光和三星的SSD就敢公开这个定量的P/E值 (镁光的AD值,三星的B1值,intel的E9值直接就可以计算出SSD上颗粒的P/E),这个定量值能给用户很好的预期寿命规划和体验,而不是一个看RP的E8值. 要知道当P/E消耗到最后的时候,坏块会爆炸式地增长,E8值也会爆炸式地降低,用户还没来得及反应,SSD可能就突然挂掉了.
你说金士顿买来的晶圆是最低端的,请拿出证据? 官方数据? 或者你拿出其它厂商购买的颗粒的官方寿命数据来? 没有数据就什么也说明不了,我们只能把它当做普通的颗粒来推算,同一个19nm生产线上出来的颗粒寿命具有很重要的参考意义,我在这里做横向推算,逻辑上没有问题,有何“搞笑”之处?
我们先来看看金士顿V+200这个型号的SSD,这是使用sandforce 2281主控 + intel 25nm异步颗粒的SSD,有测评说这是3000P/E的颗粒:http://www.pcpop.com/doc/0/829/829186_all.shtml
金士顿官方对其保证的写入寿命是这样的:
http://www.kingston.com/datasheets/SVP200S3_us.pdf
Total Bytes Written (TBW)
60GB: 48TB
90GB: 72TB
120GB: 96TB
240GB: 192TB
480GB: 384TB
那么金士顿官方对这块盘的数据描述是怎样的呢?
http://www.kingston.com/datasheets/SV300S3_us.pdf
官方的数据标明:
Total Bytes Written (TBW)
60GB: 32TB
90GB: 64TB
120GB: 128TB
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