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标题: 单芯片达1TB！Crossbar RRAM挑战闪存 [打印本页]

作者: floo 时间: 2013-8-8 08:38
标题: 单芯片达1TB！Crossbar RRAM挑战闪存

美国加州创业公司Crossbar, Inc.经过长期沉默后突然爆发，宣布了自主研发的全新大容量、高性能非易失性存储技术“Crossbar Resistive RAM”(电阻式记忆体/RRAM)，号称可在200平方毫米大小(基本上就相当于个拇指盖)的芯片里存储最多1TB数据。

　　 Crossbar同时宣布，已经在一家商业晶圆厂内开发出了可工作的Crossbar存储阵列，完整集成了单片电路CMOS控制器，从而迈出了投入实用的里程碑一步，而不仅仅是停留在幻灯片上。

　　目前，Crossbar已经完成了该原型的定性、优化，首款产品将会面向嵌入式SoC市场，并向SoC厂商开放技术授权，不过RRAM的适用范围极广，包括消费电子、手机、平板机、企业存储、固态硬盘、云计算、工业联网设备、损耗计算、安全支付等等，基本上NOR、NAND存在的地方都可以涉足。

看到这则新闻真是很期待！！

作者: pcinlift 时间: 2013-8-8 08:54
量产到上市到普及要猴年马月啊

作者: ilmic 时间: 2013-8-8 14:51
肯定要暴利卖一段时间

作者: guanyc 时间: 2013-8-8 23:24
这个不算什么了吧。。

记得忆阻器是HP实验室的产物吧，
我就记得一个立方厘米（糖块大小）可以保存128TB(不是Bit）左右。。

而且，那个新闻还说，今年（2013）年底试产。

就是不知道可靠性如何，
另外，这个绝对是对HHD的冲击，对Ssd也一样，因为速度和内存差不多。

想想，将来手机可以保存几个TB 数据，平板可以100多个TB。

作者: erin 时间: 2013-8-10 05:23
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作者: 嬲爆爆 时间: 2013-8-10 07:36
如果忆阻器年底就量产，那么三年后才量产的Crossbar Resistive RAM不是可以直接人工流产咯

作者: zzwjz 时间: 2013-8-10 10:29
切,网络传输速度至少到1GB/s才用得到上T的存储空间。。。。。。

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