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标题: 美光M500今天猛降，这是神马节奏？ [打印本页]

作者: ccjjy2k 时间: 2013-10-31 11:45
标题: 美光M500今天猛降，这是神马节奏？
美光M500 120GB MLC 120GB/20nm/--/Marvell 9187 530元
美光M500 240GB MLC 240GB/20nm/Marvell 9187 920元

这是今天中关村报价，问题是，美光可靠吗？

作者: tcgg1983 时间: 2013-10-31 13:04
本帖最后由 tcgg1983 于 2013-10-31 13:06 编辑

镁光商家 240G 880左右~~带运费。。。。说实话镁光的国内保修不给力在M4时候让很多人都有了阴影~~~现在的M500是新团队的作品稳定性有待市场检验相对性价比很好原厂的正品MLC 比三星的TLC厚道金士顿影驰 OCZ这种用白片的货色就别来比较了不是一个档次的东西

作者: slr 时间: 2013-10-31 14:22
本帖最后由 slr 于 2013-10-31 14:22 编辑

金士顿虽然经常用垃圾主控，但是颗粒并不差。甚至可以说比棒子840PRO都要厚道

作者: zhjecho 时间: 2013-10-31 14:51
这是要逼死三星的节奏啊。。。。

作者: ITCK 时间: 2013-10-31 21:09
本帖最后由 ITCK 于 2013-10-31 21:20 编辑

slr 发表于 2013-10-31 14:22
金士顿虽然经常用垃圾主控，但是颗粒并不差。甚至可以说比棒子840PRO都要厚道

那是hyperX的金士顿。用的是ME3的颗粒。3000PE。

Intel 的335用的MF2，intel自己开始标称1000PE，后来自己改了3000。也有人测试过是1500PE就挂了。

。。。。。而且记忆中那个测试的话，SF的压缩算法对保护颗粒是有好处的，所以领先其他非SF也是一个原因。

一般的KST SV300之类的都是白片good die而已。当然价格也是便宜点的。

海盗船的是那个貌似是24nm的东芝颗粒，耐久度理论上是强于20nm的产品的。

作者: slr 时间: 2013-11-1 10:40

ITCK 发表于 2013-10-31 21:09
那是hyperX的金士顿。用的是ME3的颗粒。3000PE。

Intel 的335用的MF2，intel自己开始标称1000PE，后来 ...

同样的标称就有不同的颗粒，这点你能不懂？

金士顿生产的闪存产品比intel都多，拥有全套测试设备，什么等级用什么货，清楚的紧。出货量大，下限也控制的好，性能再怎么质量绝对不会差，否则返修返死。就算是以前的JM无缓存垃圾主控，基本也是只卡不坏

测试分了可压缩和不可压缩，英文写的很清楚啊

作者: sewsew 时间: 2013-11-1 15:57

ITCK 发表于 2013-10-31 21:09
那是hyperX的金士顿。用的是ME3的颗粒。3000PE。

Intel 的335用的MF2，intel自己开始标称1000PE，后来 ...

hyperX是5000PE的.V+200才是3000PE

作者: sunstarmoon 时间: 2013-11-1 16:20
M500就值这价钱，不能再多了

作者: ITCK 时间: 2013-11-1 20:13

sewsew 发表于 2013-11-1 15:57
hyperX是5000PE的.V+200才是3000PE

上面测试的是hyperX 3K，拆解见到是ME3，标称只是3000PE的，跑同步ONFI。

V+200是异步的ME3。

初代的hyperX是25nm的ME2，标称的5000PE

作者: ITCK 时间: 2013-11-1 20:36
本帖最后由 ITCK 于 2013-11-1 20:47 编辑

slr 发表于 2013-11-1 10:40
同样的标称就有不同的颗粒，这点你能不懂？

金士顿生产的闪存产品比intel都多，拥有全套测试设备，什么 ...

同样的标称当然有不同的颗粒，所以我说intel 自己的MF2标称1000，后来可能觉得宣传上不好，所以才改的3000，有人测试过1500PE左右就挂了，所以估计是1000PE的机会居多。

我也没说金士顿hyperX 3K用ME3同步颗粒不好啊。
我只是说明金士顿跑这个测试能领先其他的原因。
intel335同样也是SF的主控，但是颗粒就差很多，所以明显就弱掉了。

但同样的，金士顿现在的SV300用的是IMFT的白片good die。所以如果参测，成绩就可能不如理想了。当然SV300本来就是价格低一些的。金士顿一直以来用的颗粒就算是最便宜的型号，都还算可以。其实就算颗粒打标编码一样，但是品质也可能有所不同。这个就要看厂商还有供货商之间的了。

Neutron GTX 240G是24nm的东芝颗粒，应该也是3000PE的产品，后期产品换了19nm的（应该是和M5S和M5P用的类似），但是东芝的颗粒出了名的耐操。。

这里看到三星的产品明显较弱，TLC的840就不说了。但是840PRO用的应该是21nm的三星颗粒（新版的有替换成19nm的，不知道测评用的是哪一种），按理说如果是21nm的版本PE数应该不错的，不知为何在这个测试中会表现如此差。估计是由于这款是测试里面同级别，但是容量最大（256G、250G，OP太小）有一部分影响么。

作者: cocker 时间: 2013-11-2 00:12
本帖最后由 cocker 于 2013-11-2 00:12 编辑

ITCK 发表于 2013-11-1 20:36
同样的标称当然有不同的颗粒，所以我说intel 自己的MF2标称1000，后来可能觉得宣传上不好，所以才改的300 ...

看了一下这个测试，由于并没有给出测试软件Anvil's Storage Utilities寿命测试的配置文件，因此无法判断测试数据的写入模型，随机数据占多少比例呢？也无法判断测试过程中有没有让ssd休息做GC，这些都是是影响写入放大的，他们给出的写入数据是从Anvil's Storage Utilities和SMART中的F1值取得的，是操作系统的写入量，而不是SSD内部的实际写入量，实际上840和840Pro的nand写入量可以从SMART数据中的B1值取得，B1值表示全盘擦写次数，这个值从470系列的SSD开始就有了，从以下这段话可以看出，他们连如何从840和840Pro的SMART数据中取出代表全盘擦写次数的B1值都不会：
http://techreport.com/review/25320/the-ssd-endurance-experiment-22tb-update
We can compare those totals to the host write tallies in order to get a sense of write amplification. Both HyperX drives report 21.6TB of host writes, resulting in write amplification factors of 1.05 for the incompressible data and 0.72 for compressible data. The Intel 335 Series registers 22.9TB of total NAND writes on 21.6TB of host writes, closely matching the write amplification of its HyperX counterpart. Unfortunately, the other SSDs don't track NAND writes in addition to host writes, preventing us from calculating their write amplification factors.

这就无法判断840和840Pro的写入放大了，更无法判断840和840Pro的擦写次数了，由于测试数据样本和测试过程的不透明，因此这个测试结果完全无法反映840和840Pro的寿命...

还有一点：和840、840Pro一起对比的盘都是240G的，出厂就已经做了16G的OP空间，这16G的OP空间是很影响写入放大的，也很影响测试过程中的写入性能，如果非要放到一起对比的话，至少先对840和840Pro手工做OP空间，把840和840Pro都做成240G的盘放到一起测试才算公平。

作者: ITCK 时间: 2013-11-2 00:19

cocker 发表于 2013-11-2 00:12
看了一下这个测试，由于并没有给出测试软件Anvil's Storage Utilities寿命测试的配置文件，因此无法判断测 ...

也有道理，对于用户而言，840系列相对于其他那几个，可用空间是最大的，但是自然带来OP小的问题。至于测试是否有算法上的错误，还值得研究。按理三星的颗粒（也不会供货给其他厂商，所以品质应该是靠谱的）不应该是这种水平。

作者: cocker 时间: 2013-11-2 00:29
本帖最后由 cocker 于 2013-11-2 00:32 编辑

ITCK 发表于 2013-11-2 00:19
也有道理，对于用户而言，840系列相对于其他那几个，可用空间是最大的，但是自然带来OP小的问题。至于测 ...

所以只要他们把840和840Pro的SMART B1值取出来一计算，就可以得出写入放大了，也就真相大白了，因为在这种高写入压力下，写入的数据模型和OP空间的大小对写入速度和写入放大的影响是非常大的。

至于Anvil's Storage Utilities这个软件的配置，实际上是可以配置成每轮写入测试后让SSD休息多少时间的，这个休息时间非常重要，SSD可以在休息时做GC来减小写入放大和恢复写入速度，但是这个网站却没有给出配置，因此很难判断。

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