一、R2E的PWM芯片; c, v- z" y2 y" B/ @ S" k/ w
* b V( i, o! m3 L4 C; Y$ |3 m; j& b& K, G2 q3 Q3 q( }
. J" i$ Z4 u! v' D T
/ _! \: }# V6 U2 H" a0 W% Z2 W之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板2 V) T- J! K0 I- |7 c
2 j) P! v$ ?4 d0 n8 O B' x- L) N/ I3 I
后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM# B, j& f7 i2 y& y- r, ]- {1 m
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相) F4 {. f6 l1 u* |1 s" Q
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片
3 i) N" u$ ^9 a4 ]5 Z" c- n" \) ?' C6 l
二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同1 V E+ V9 U: A
09年采用的是瑞萨电子的MOS
上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V
: V- R8 y8 f. n
( T& v C9 U. Q% A2 V
下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V* h$ h4 @5 \. c1 Z' ]. u
2 Z, n' U; {0 s; A2 D" b. f此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电
包括前期的P5系列都是此MOS
0 m" q9 ~3 N5 Z3 l
! @) n; K+ S, Z; h* `4 i( Q3 i: O4 L! g5 c) M
2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品. D7 p7 J7 ?4 t h& @+ g
上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A( o3 w4 Q. Z9 R( l/ Y% w' F# l8 K S
内阻6.3毫欧@10V. h+ w! [& \+ g
此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS$ a( `) o; F& v+ X& @7 T
( g% ~6 F m* n. K3 i, g9 w5 _( I4 b三、电感
: s; R7 }9 ^; _1 pR2E每相电感为30A , ~1 l+ m9 I) R' ^0 ?# J. [
16个电感可一共480W输出7 _1 r+ p8 X( d+ }+ c+ ]
- b: k, s( A& t& D) `! B2 b6 ]R3E提高了10A，为40A
8个电感可一共320W输出
% o" M) P2 G( U1 ?7 P' z四、效率# C2 M" k9 g# |8 [0 g
参见效率图
图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电8 K6 o8 D n4 d1 g
