, J8 Z" f+ E5 d! M" A5 P一、R2E的PWM芯片6 w; T& w: G7 \, W0 F& D
6 h* \0 o3 N q6 G" l2 U8 e7 X- K$ l5 Y# J6 C: P: `7 L/ c& b9 E& U- y
& u( J0 K6 R; h9 m s
1 _9 c2 }1 a% q( e+ b) g' u; s之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板
: ~! B. @& |2 @: W( n0 d3 O( h% V6 O6 {$ s$ ~
后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片
! O& S( Q) U2 d" C$ y" {+ Y
二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
09年采用的是瑞萨电子的MOS6 b9 j* t# d1 C7 x( J
上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V
9 s8 \% A3 T% n: [( L6 b n
下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V( v/ s3 h- W3 v* Z) J& G, x3 {
1 _2 |, T% |# t1 ~) |6 Y% z
此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电* }4 h( T" A" ~
包括前期的P5系列都是此MOS
7 ~' D: q' y! }, h" E1 c
. Z- S! q$ \+ G- h3 Z
2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品1 L6 Y8 G/ c& W0 K: i! V+ ^" f$ P2 j
/ ~6 {' v4 U2 n
上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A6 l+ q( g/ ?1 f2 _; j. T
内阻6.3毫欧@10V
, i' D- |" g) C* T此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS- P8 p/ E5 @! L' m( T8 x2 g' P$ S- L5 \
$ _6 G3 |& s( _+ {- t5 ?) T三、电感% v: H9 v4 }8 e2 c4 r6 G
, i# n& y- n% k4 bR2E每相电感为30A
16个电感可一共480W输出
R3E提高了10A，为40A
8个电感可一共320W输出) }6 a5 s- s2 c( _5 e
四、效率
参见效率图. S5 r7 c9 r% f) I" O1 }
图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电6 m/ H/ i4 x2 l- u. ?4 u
