一、R2E的PWM芯片( U/ E) }6 C' L6 N" g- B
: J9 R. G# S. Y. ^7 }7 R6 G, J8 S5 Y& x1 f9 J! ~
z. H7 o& g6 Z9 a7 u
之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板/ }# H& Y: l- W
6 A/ u& y5 `% ~# t0 ^: A7 j. g$ K, y8 V. y" [; D- f
后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片- x, U+ g b9 j! Q9 z7 `+ t$ G* P
- W, _2 r* c% z: i+ X7 j! ]; r4 H/ [; b二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同
09年采用的是瑞萨电子的MOS
上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V
7 Y; D8 m. I/ p- D: d# Z( s# p$ D" M& o0 h
下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V
. F1 }6 M6 W0 M) L6 A此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电$ H, c3 c$ I3 r6 h, F
包括前期的P5系列都是此MOS! ? i5 K2 g7 W/ b1 K; ?' U
1 \) A% k. j! m8 V! F! p
2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品
Z- L e6 @$ W5 R. s! L
上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A6 D* j5 i% k5 N7 ^1 Q# |5 P
内阻6.3毫欧@10V
) K E$ \0 U2 V0 [6 e
5 s; p! [$ V3 {此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS% c* G- v: E' U' g1 y
三、电感6 x3 r7 [5 Y( E6 m2 t7 r
) z+ A) G8 ~* PR2E每相电感为30A 6 Z, l( {5 h2 J( }/ `6 M6 {
16个电感可一共480W输出, P' G7 H1 C) {9 [+ b0 D
% ] H# W4 e1 p6 R+ _; o# ~R3E提高了10A，为40A
8个电感可一共320W输出" @. _! M5 r" ~; m! S& e5 B ~/ Y
/ C! d5 ^7 U; P8 i. b" f5 {% T% h, F1 B* W4 J
四、效率
参见效率图
图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电
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