{, s; G; }9 m6 D; H: J0 A一、R2E的PWM芯片% E" T) b4 a) |+ t7 B: u/ o
# ? o+ I# M+ P" f+ r3 g+ |) |& @5 n' u. L0 h9 X) k
7 U: L& q# V% w9 J, o- J之前不少人说的EPU2是ADP3228打磨的，其实打磨后的叫EPU ASP0700 这个确实是4相，然后通过右边的IC单刀双掷成8相，这个截图来自于P5K/EPU主板) D L! L/ n% j
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后来的EPU2代是ASP0800配合32PIN的单刀双郑芯片 ASP0801即PEM. P u( ]5 e# o6 C2 z
从P5Q DELUX开始到X58时代的P6T DELUX P6X58D 以及ROG系列的R2E都是真8相2 K" i7 N+ g% X' F# W: j; I
直到后来出现的R3E开始换了CHIL的8318芯片
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二、R2E的供电MOS 分为2个时期有所不同6 X/ I9 C. r* _, g; _5 l
09年采用的是瑞萨电子的MOS
上管为K0355 30A 8.2毫欧内阻@10V
( q4 O/ K, g4 ^) W- u下管为K0353 33A 4毫欧内阻 @10V# O- g4 L; v( D) p/ v+ M
" r; y# t7 @4 u) ?" d此组MOS遍布全板，包括北桥、南桥、PCIE供电
包括前期的P5系列都是此MOS8 z6 [! R$ ^! z H+ H2 @3 F& D
^- C9 U: j1 }% t
% ^. s- b: o9 K4 w4 w2008年末刚上市的时候以及09年之后的产品. m) V1 I9 r& d1 U4 p
7 u {2 H. n( Q# b8 S
上下管均为改为NXP（恩智浦）的9025L 66A6 c9 t% t5 p3 G; o( {
内阻6.3毫欧@10V: y4 u0 {! N' k* C/ ^5 P
此MOS在R3E上同期出现 包括后来的R3BE 也是此MOS! W- K& |/ G& o2 c
, l2 Q, P/ v" }+ {2 b$ r三、电感5 z; Y+ [: D0 |/ Z0 P. y- A @
R2E每相电感为30A
16个电感可一共480W输出8 h* e) D8 n0 M
A; B8 M! D* Q7 l& c3 MR3E提高了10A，为40A
8个电感可一共320W输出
! k9 F5 s; X Z* X7 L8 o四、效率
参见效率图, x5 L$ N6 q5 K8 \) |
图中蓝线为R3E 红线为R2E 绿线为EVGA纯数字供电% y* o m4 n2 \9 i
