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标题: Intel独步天下的资本！14nm工艺牛逼得一塌糊涂 [打印本页]

作者: 32nm 时间: 2014-8-13 16:07
标题: Intel独步天下的资本！14nm工艺牛逼得一塌糊涂
本帖最后由 32nm 于 2014-8-13 16:15 编辑

Intel曾经自己高调宣扬过，整个世界也都承认，无与伦比的先进制造工艺是这家芯片巨头永远令人眼红的优势。14nm工艺虽然从年初拖到了年底，但到时候仍然是这个地球上最先进的。其他半导体企业纷纷减缓脚步或者合纵连横的同时，Intel仍在坚持独行，仍在引领世界。

随着Broadwell-Y Core M系列初步揭开面纱，Intel也公布了14nm工艺的大量相关资料，介绍了它的发展情况和技术优势。

简单地说：

1、Intel 14nm工艺已经通过各项验证，并在美国俄勒冈、亚利桑那工厂投入了量产，明年还会加入爱尔兰工厂。

2、它使用了第二代Tri-Gate(FinFET)立体晶体管技术，拥有业界领先的晶体管性能、功耗、密度和成本。

3、Broadwell家族将首先采用14nm工艺制造，其后陆续扩展到Intel各条处理器产品线。

4、Intel 14nm不但自己用，还会为很多客户代工大量产品，从高性能到低功耗均可(已拿下Altera、松下)。

事实上，14nm也是迄今为止Intel面临的最艰难的挑战，Intel对此也是很坦诚，并没有遮遮掩掩。根据官方数据，14nm工艺良品率初期低得要命，直到今年第二季度末才达到量产标准，预计2015年第一季度才能追上22nm的水平，后者迄今仍是Intel良品率最高的工艺。

也只有到了2015年上半年，14nm的良品率、产能两个关键指标才能都满足多条产品线的需求。这也正是Broadwell为什么首发只有一个超低压版的Core M系列，更多产品明年才会发布的根本原因。

下边继续跟随Intel的幻灯片，一起看看14nm工艺的神气，尤其是和现有的22nm好好对比对比。

22nm上率先引入了Tri-Gate三栅极立体晶体管技术，堪称半导体历史上的一次革命。虽然带来了晶体管密度等方面的一些问题，导致核心面积过小、发热密度升高，但仍然是大势所趋，其他厂商纷纷引入，不过在名字上都叫做FinFET，异曲同工。

晶体管鳍片是最能反应该技术进步的地方。鳍片高度从34nm增至42nm(进步比例24％)，更高更薄可以改善驱动电流、性能；间距从60nm缩小到42nm(进步比例30％)，可以提高集成密度；整体所需鳍片数量减少，可以改进集成密度、降低电容。

另外，晶体管栅极间距、互联间距也分别缩小到了70nm、52nm，进步比例为22％、35％。

鳍片外围覆盖着的(黄色)就是金属栅极。

层连最小间距也从80nm来到了52nm(进步比例35％)。

SRAM存储单元的面积，上代是0.108平方微米，现在仅为0.0588平方微米，进步比例达46％，几乎缩小了一半。

晶体管开关速度(关乎性能)也在继续稳步提升，漏电率则在继续稳步下降，而且能适用于从服务器到桌面到笔记本再到移动计算各类设备。

至少按照Intel宣称的，每代工艺都在几乎线性地稳定提高性能、降低功耗，而最大的受益点是能效(能耗比)，每一代都能提高大约60％，而且无论服务器、桌面、笔记本都是如此。

14nm更牛逼，能耗比是22nm的两倍甚至更多，超越了以往，而这正是之前所说各项指标进步的结果。Intel声称，14nm的各项数据都超出了预期正常水平。

下边开始对比其他厂商了，主要指标是逻辑面积，也就是栅极间距、金属间距的乘积。Intel宣称，该面积每一代都能缩小到上一代的大约53％。

历史上，其他厂商在这一点上做得比Intel更好一些，但是量产速度一直落后与Intel。

而到了16/14nm环节上，其他厂商忙于开发FinFET，没有功夫继续缩小逻辑面积，Intel趁机凭借第二代实现反超，而且投产时间继续领先。

Intel工艺晶体管密度、单位面积成本、单位晶体管成本的历史进步趋势，14nm在晶体管密度上尤为突出，超越了以往的固定节奏。

最后看看实际成果：Broadwell-Y处理器的内核面积、基板面积都比Haswell U-Y系列小得多，尤其是基板封装面积小了足足64％。可惜，同时整合的芯片组没有更新工艺，显得更庞大了。

作者: AlcatrazX 时间: 2014-8-13 16:13
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作者: 32nm 时间: 2014-8-13 16:16

AlcatrazX 发表于 2014-8-13 16:13
太牛逼，不知道超频性能怎么样

都说是牛B得一塌糊涂咯

作者: kinno 时间: 2014-8-13 17:46
值得期待。实际性能呢？

作者: wl00560 时间: 2014-8-13 19:39
这是不是说明已到了极限了？

作者: junychen 时间: 2014-8-13 19:59
Intel 10nm 7nm 已经在开发了据说要在10nm节点抢苹果这个大客户

作者: valkyrie1996 时间: 2014-8-13 20:43
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作者: lemonninja 时间: 2014-8-14 00:40
我不知道14NM之后会不会上马极紫外光刻

作者: lillxu 时间: 2014-8-14 08:38
如果用在nv amd的GPU上多好～性能狂提升

作者: kangtian 时间: 2014-8-14 09:15
巨人的脚步！

作者: qsxyz 时间: 2014-8-14 18:52
出个默频5G的再说多NB吧

作者: 顽皮的灰兔 时间: 2014-8-14 19:37

kinno 发表于 2014-8-13 17:46
值得期待。实际性能呢？

我觉得最大好处是手持设备CPU能力可以大幅提高

作者: 9500To9800 时间: 2014-8-15 11:39
希望功耗维持不变的前提下把现在平板处理器的速度再提高一倍就行了

作者: 9500To9800 时间: 2014-8-15 11:40
或者现在平板处理器的性能不变的前提下功耗降低50%

作者: 猥琐的民工 时间: 2014-8-15 11:58
本帖最后由猥琐的民工于 2014-8-15 11:59 编辑

valkyrie1996 发表于 2014-8-13 20:43
不知道能否继775后，切实实现风冷5G主频……

775——>1366/1156——>2011/1155/1150，从2008年至今，风冷 ...

775双核上4.5都加很多电压了，长期稳定使用也就4g左右吧，四核就更难调
1155/1150四核上4.5g长期稳定使用难道不比775容易

作者: valkyrie1996 时间: 2014-8-15 16:03
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作者: 发动机 时间: 2014-8-16 06:31
别看广告，看疗效。

作者: solen 时间: 2014-8-18 09:28
14nm 连南桥都吃了。。。。

作者: aivv 时间: 2014-8-18 12:42
这个对于移动设备可是绝对的好消息啊。

作者: staar 时间: 2014-8-29 14:09
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作者: guang3000 时间: 2014-8-29 16:40
工艺就快到极限了，硅原子半径才0.几个纳米

作者: largewc 时间: 2014-9-2 17:34

staar 发表于 2014-8-29 14:09
我用用手机就行了。现在的手机。玩ngc模拟器竟然都能基本流畅。我的渣电脑都这个水平

那是因为ngc用的也是arm，模拟自己指令集，现在x86几乎都没什么损失了。

模拟psp，实际性能不如ngc的设备，就差多了。

作者: CC9K 时间: 2014-9-2 23:29

largewc 发表于 2014-9-2 17:34
那是因为ngc用的也是arm，模拟自己指令集，现在x86几乎都没什么损失了。

模拟psp，实际性能不如ngc的设 ...

NGC是PowerPC

作者: largewc 时间: 2014-9-4 10:25

CC9K 发表于 2014-9-2 23:29
NGC是PowerPC

确实是，我搞错了，sorry

作者: FENG950 时间: 2014-9-4 22:31

staar 发表于 2014-8-29 14:09
我用用手机就行了。现在的手机。玩ngc模拟器竟然都能基本流畅。我的渣电脑都这个水平

哪个版本的模拟器都基本流畅了？画面不破？跑个生化0看看

作者: xxxyyy1 时间: 2014-9-8 20:43
现在都是移动设备上需要了，桌面系统都饱和了

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