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标题:
台积电的20nm怎么可能有这样的密度?
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作者:
CC9K
时间:
2014-9-15 00:15
标题:
台积电的20nm怎么可能有这样的密度?
14nm的
Core M,13亿晶体管,面积82mm^2
20nm的苹果A8 Soc,20亿晶体管,面积89mm^2
作者:
嬲爆爆
时间:
2014-9-15 08:18
本帖最后由 嬲爆爆 于 2014-9-15 08:19 编辑
阴特二的14nm的是3D,加了层垃圾来防止漏电。
台积电下一代16nm
才开始是3D的
我不知道自己在说什么。
作者:
slice
时间:
2014-9-15 11:36
A8 晶体管怎么比Core M还多这么多?
作者:
san_037
时间:
2014-9-15 12:22
狂堆缓存
作者:
san_037
时间:
2014-9-15 13:01
本帖最后由 san_037 于 2014-9-15 13:07 编辑
另外芯片不同密度相差可以很大
比如INTEL的IVB标准4核心集成GT2核显CPU,160平方毫米的面积,14亿晶体管,每平方毫米875万晶体管。这是22nm
INTEL的SNB四核心集成核显CPU,216平方毫米的面积,9.95亿晶体管,每平方毫米461万晶体管。这是32nm
但是看显卡的话,介于22nm和32nm之间的28nm
台积电生产的GK104,294 平方毫米的面积,35.4亿晶体管, 每平方毫米1204万晶体管。
台积电生产的R7970,365平方毫米的面积,43.1亿晶体管,每平方毫米1181万晶体管。
不同的芯片看同代的28nm和32nm比较密度相差两倍多
苹果A8在20nm下每平方毫米2247万晶体管,CORE M在14nm下每平方毫米1585万晶体管
对比同代的20nm和22nm,intel和台积电生产的A8之间基本快到三倍的密度差异了
但是从台积电和intel各自的工艺进化来看,密度变化则基本符合摩尔定律。一般而言,GPU、缓存晶体管密度可以做大,但是CPU就困难了,CPU内部来比较RISC的晶体管密度比CISC更容易做大
作者:
pspsps7
时间:
2014-9-26 22:11
楼上真专业 学习了
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