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标题: 主板的MOS管一般选择什么型号替代? [打印本页]

作者: 林青豪    时间: 2006-7-8 05:20
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作者: 林青豪    时间: 2006-7-10 02:23
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作者: liao228    时间: 2006-7-18 11:15
VDSS(耐压)>=原管VDSS的
" T, y! v3 O) I+ @( R   ID(最大通过电流)>=原管ID的. U" ~; d5 a0 K) r( O7 B
     RDS(内阻)<=原管RDS的  p: R. I7 ?; k' g1 f
     且封装型式与原管差不多的
作者: 林青豪    时间: 2006-7-18 12:20
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作者: liao228    时间: 2006-7-18 12:34
型号                    内阻(mΩ)        电流(A)        耐压(V)        厂商5 y- y+ @/ H$ x
IRF2804S-7P        1.6        320        40        IRF
6 z" @5 K6 C! u( @2 v5 c9 ?+ k/ KIRF2804        2.3        280        40        6 u1 R: }7 U2 O6 v# g* D
IRF3805S-7P        2.6        240        55       
+ e- q2 Z4 a  u+ y1 s6 K/ ]% {IRL3713        3        200        30        ( @  _: |4 m0 ]4 k
IRF3805        3.3        220        55        * T" q4 {: N1 B+ v
IRF1503        3.3        190        30       
+ ~/ Y. P# Q% y; ~IRLR7843        3.3        161        30        7 B2 D+ j0 V6 h% X7 H, ^% H
IRL7833        3.5        150        30        ( [, N' c& @8 C$ c+ s) j" k
IRF2204        3.6        210        40       
% V  W- z1 }8 q' F8 h& h" zIRF1302        4        180        20       
0 r* f& ]% k, r* [! [IRL3716        4        180        20        * t' ~. V! M# m) h3 i6 D
IRF1404        4        162        40       
+ O  H* l; R8 a2 x; P+ GIRLU3717        4.2        120        20       
6 H: q( M7 W2 RIRLR3717        4.2        120        20       
/ m) N+ _0 q& `- R% q8 U( WIRLR7833        4.5        140        30        ( \1 a  G4 q9 e( o( C& @
IRF2805        4.7        135        55        5 H, p, @4 ]/ O+ e& W& S: F2 P
IRF1405        5.3        131        55        2 R% }/ V! C4 q0 |8 r# T4 b+ a
IRF4104        5.5        120        40       
% s8 ^7 Y7 w; t& VIRL3803        6        140        30       
% L  g  d8 H' i; v4 x* yIRL8113        6        105        30       
2 U4 H% z/ O7 X, S" o6 eIRLR8113        6        94        30       
" ]4 {& L$ L9 Q: V, L6 a* eIRF3711        6        92        20       
2 ~  A1 t4 ?& K! }0 AIRF3709        6.3        87        30       
. a  _2 m! w# U( GIRLR8203        6.8        110        30        0 U! S3 v/ D5 ?
IRL2203        7        116        30        & S: O7 K+ x* g* X
IRF3704        7.9        67        20       
' v) F' V, G7 k1 UIRF3205        8        110        55          ^0 y: j& s2 y! _# T! P2 b
IRL3705        8        86        55       
' `* X+ S. B5 R1 vIPB03N03LA        2.7        80        25        英飞凌. `! V  b4 f$ D3 M- Q# e
IPI03N03LA        3        80        25       
2 `+ W3 y) _3 w: f, G  w3 iIPP03N03LA        3        80        25        4 p7 A7 I5 e* @4 R& D  u
IPB04N03LA        3.9        80        25        / i8 s* \+ W: T& Z% i
IPD04N03LA        3.8        50        25        ; J+ u3 m3 G7 a" O6 Q- f
IPF04N03LA        4.1        50        25       
+ a. k/ V. S' n& LIPI04N03LA        4.2        80        25       
  ?/ j' k* a- X1 R$ oIPP04N03LA        4.2        80        25        ( t4 h- n9 d1 m
IPS04N03LA        4        50        25        * Q, n3 u, O9 X3 }
IPU04N03LA        4        50        25        1 M) e# s8 a* N! x  Z, b
IPB05N03LA        4.6        80        25        ' y; O( C# }! s8 V( K
IPF05N03LA        5.3        50        25       
3 H  L: C6 }6 k+ x7 O5 v- B; g7 CIPI05N03LA        4.6        80        25        4 |" C8 q. d5 b9 T# Y
IPP05N03LA        4.9        80        25       
- u+ P  |; a: Q4 {; B2 t# @- vIPS05N03LA        5.3        50        25       
8 `2 K# ?2 ~% S+ [IPU05N03LA        5.3        50        25       
( e# z) n5 g; _. M. h/ CIPB06N03LA        5.9        50        25       
" m) C* }& i4 M2 H4 eIPD06N03LA        5.7        50        25        # [( S: n+ p/ J# y( _$ d# b# d$ S! C
IPF06N03LA        5.7        50        25       
0 D! n# Y) x7 u% e$ z. OIPI06N03LA        5.7        50        25       
' H8 U: y2 ~, T3 q8 R% U* EIPP06N03LA        6.2        50        25       
* V; v2 P' \! c0 E) D/ tIPS06N03LA        5.9        50        25        . f, ^- U  v+ U" `7 ?' E, _
BSC022N03S        2.2        50        30       
4 a. u" S5 t+ KBSC032N03S        3.2        50        30       
! R7 j9 M3 L. q& Z9 uBSC042N03S        4.2        50        30       
* s. v$ Y4 U1 a! L5 M8 sBSC052N03S        4.2        50        30       
9 c7 ?" q4 F" q  bBSC059N03S        5.5        50        30        % a& m- k! c2 x
BSC079N03S        7.9        50        30        . x. x+ a  o, Q9 _2 g
SPB160N04S2-03        2.9        160        40        . M& s) O/ C; \) Z9 ^) g
SPP100N04S2L-03        3.3        100        40       
; f/ t  ~* P4 s3 j+ F8 l4 sSPP80N04S2L-03        3.4        80        40
作者: casino32    时间: 2006-7-18 16:44
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作者: 林青豪    时间: 2006-7-21 08:13
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作者: liao228    时间: 2006-7-21 09:33
原帖由 林青豪 于 2006-7-21 08:13 发表
! x+ Q6 t6 ?4 P管脚极性有差别么?
/ h9 H: W3 z4 b8 I! ]$ P! Z
如图,常见的几种封装形式,从左到右依次为G,D,S。一般都是这个顺序,但也不排除某些特殊型号的管脚排列不一样,所以最好是根据你的管子型号查询官方PDF文档。
作者: liao228    时间: 2006-7-21 23:39
多谢自由战士的提醒,我在此补充一下:对于CPU供电的MOS管来说,要区分对待上管和下管(续流管),上管对于Tr(上升沿时间)和Tf(下降沿时间)的要求更高些,要求越小越好,下管要求Rds越小越好。Tr,Tf,Rds均可在PDF文档中查到。
6 d' W! [8 J2 `, y. @* i5 M' }     用肉眼区分上管和下管的方法:散热片与电感线圈的一端相连的是下管,否则是上管。
+ G6 V. A" @5 e% r, _: G  c0 u; n& E
      顺便加点题外话,曾经在一块华硕的板上看到,上管选用13N03LA,下管用两颗06N03LA并联,现在看来是非常合理的搭配,而一些二线厂的主板在元器件的选值上就显得不怎么严谨了,比如本人用的8RDA3+,上下管同样采用了性能不是太好的STB55NF03L。记得有这样的说法:设计得好的主板,即便用二相电源也能达到三相的效果,看来此言不虚。
3 Z& m5 l( W, ?# x3 E; w6 H  Z3 ^0 ?" K, u8 `8 j- v) i
[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 00:07 编辑 ]
作者: 邹猩猩    时间: 2006-7-24 02:54
不错~~~~~~~~~~~~~~~~
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-24 11:59
忽略了控制导通电压VGS.
作者: 超频K8S    时间: 2006-7-24 12:22
我真幸浮。。。。#
作者: 超频K8S    时间: 2006-7-24 12:22
我真幸浮。。。。#
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 20:55
我有一块华擎的K7S8XE+主板上的一个型号为:B1202  的MOSFET管坏了,这个管的参数?可用什么管替换?
作者: liao228    时间: 2006-7-25 22:29
原帖由 好好心情 于 2006-7-25 20:55 发表
! N. M: X+ e5 @7 }, I我有一块华擎的K7S8XE+主板上的一个型号为:B1202  的MOSFET管坏了,这个管的参数?可用什么管替换?
: J$ r/ _  i) Z  h" O* r

4 j" [- @# `! |3 D& \+ k2 e    会不会是2SB1202?这个管子不是MOSFET,而是个小功率的PNP三极管,Vceo=50V Ic=3A Pc=15W ft=150Mhz
, a* P3 }- ?3 R7 F/ u0 z" z) T    可代换的管子很多,例如2SA1802,2SB962, X5 {% Z$ V: A
    封装形式如图:* o! y* I' A8 T

! P' H  o) p3 c5 e+ w. `, ]2 _[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-26 12:31 编辑 ]
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 23:17
谢谢楼上的。坏掉的主板的管是:A2×××     因为看不到型号,从另外的同型号的主板看到的是:B1202   应该是一个三极管。
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-25 23:24
不会是什么2SB1212的.主板上我基本没有见到有PNP管.只要看是在什么位置.可以猜得出用什么常用管代替.! M7 S1 F" P( q3 e) A
+ X6 q6 p- M5 C5 e! W, Y
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-25 23:25 编辑 ]
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 23:56
上图。坏管所在的位置。
作者: liao228    时间: 2006-7-26 11:38
仅从型号上判断,Axxxx,Bxxxx为PNP三极管的可能性较大,如果是MOS管,则一般的型号为
. M9 `8 J6 h% i; X% O8 x! D* ]IRxxxx(IR公司的命名法),Kxxxx,Jxxxx(日系命名法),xxNxx(其它公司命名法)。
1 i5 x( f+ i+ T$ e7 Q从工作电路看,此板可能是以TL431为基准,LM324作电压调整的串联式稳压电路,因此采用三极管也不奇怪(纯属个人猜测),2SB1202同样可用于开关稳压电路;另外,既然有另一块好板,那么工作时量一下该管1,3脚电压基本可判定是否为三极管,如果1,3(B,E)脚电压低于0.7V,则可以认定是三极管。
3 q* D7 P( k- N5 a1 S上图中的封装形式符合2SB1202的另一种封装:% v2 T6 [0 V) [2 d/ P1 y( ^0 H( v# Q
  B! i7 e8 ?. t' G; Z
[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-26 12:38 编辑 ]
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-26 13:12
这个位置是内存供电的管子.一般用N场管我见得多.不过最好参照好板的就最简单.
) s8 ^6 V' q8 G. w' o6 F% {. ?1 ~! `: H7 n( Z( x* v
找不到一样的随便找一个代替就行了.场管这个地方一般S脚是2.6V
作者: 好好心情    时间: 2006-7-26 23:11
经确认:B1202  是PNP三极管
作者: 好好心情    时间: 2006-7-26 23:13
B1202   PNP三极管是控制2.5V电压的
作者: 林青豪    时间: 2007-1-4 08:21
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作者: 沧海    时间: 2007-1-5 09:04
牛人啊.专业么?????????
作者: kim54    时间: 2007-1-6 15:50
十分专业的回答...偶有一个问题~就是换了这个MOS管对超频可有影响?
作者: h11544    时间: 2007-1-6 20:04
现在主板多用的是TO-252封装的mos吧,换mos对超频的影响远远大于换电容
作者: 拳头    时间: 2007-1-7 02:07
换MOSFET可不是件简单的事情哦,上次将华硕板上空出来的重新补上,用了两天就烧了,原因是型号相同但并不是同一个时间的产品,一致性差了些导致的,换这管子,比换电容要难。
作者: 拳头    时间: 2007-1-7 02:08
补充:加管后新优点一个没出来,反而变的更热
作者: 林青豪    时间: 2007-1-18 06:51
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作者: 维他豆    时间: 2007-1-18 08:14
牛啊,看到牛人在谈电子
作者: agrantleung    时间: 2007-1-18 15:19
普通人diy是以 “配件” 为单位的,什么cpu+什么主板+什么显卡+什么内存,买回家自己装……;
( p; f$ I: F( T  B+ T: T高手diy是以 “零件” 为单位的,什么电容+什么mos+什么pcb+什么……,买回家自己焊~
2 u' {3 _* n5 S- M
2 d2 C. `. I+ A, L! u$ a4 B- m:lol: :lol: :lol: :lol:




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