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标题: 主板的MOS管一般选择什么型号替代? [打印本页]

作者: 林青豪    时间: 2006-7-8 05:20
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作者: 林青豪    时间: 2006-7-10 02:23
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作者: liao228    时间: 2006-7-18 11:15
VDSS(耐压)>=原管VDSS的8 W% y5 z( _2 G1 v
   ID(最大通过电流)>=原管ID的
" ^1 n* I8 ]: K3 b* l& G     RDS(内阻)<=原管RDS的
7 g( Y) s) T* f     且封装型式与原管差不多的
作者: 林青豪    时间: 2006-7-18 12:20
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作者: liao228    时间: 2006-7-18 12:34
型号                    内阻(mΩ)        电流(A)        耐压(V)        厂商: y" Q: _& G4 j, N+ E
IRF2804S-7P        1.6        320        40        IRF* M' L  g7 A5 g4 ?" H
IRF2804        2.3        280        40        6 c' Z" t3 [0 v& D3 g7 P
IRF3805S-7P        2.6        240        55        5 u, \9 w" |. L0 c
IRL3713        3        200        30        ' h( s- `8 l% o$ W9 h! w
IRF3805        3.3        220        55       
" _! E+ E6 v) ?$ q/ Q2 m) _  o3 zIRF1503        3.3        190        30       
# r& q% O  u. g  f4 s6 SIRLR7843        3.3        161        30        % @  }9 ~' {" N( X& `; R( P& H: S, `6 q
IRL7833        3.5        150        30        : @* q2 K4 K8 m- o0 F  b
IRF2204        3.6        210        40        5 O- N' P- v3 {) E6 T
IRF1302        4        180        20       
! s% S7 ~. T1 F' U$ r* yIRL3716        4        180        20        8 @, c/ r4 K7 x0 m9 e% o
IRF1404        4        162        40       
  s( D7 u% ^4 d* B* GIRLU3717        4.2        120        20       
" r; H) d; X, M* PIRLR3717        4.2        120        20       
. K; \/ t" F$ GIRLR7833        4.5        140        30       
; h$ [  ]- X' E* ~+ OIRF2805        4.7        135        55       
, r% g, P; y/ q2 m6 {IRF1405        5.3        131        55        " O6 \. o* c  |! I3 M) c2 ^
IRF4104        5.5        120        40        8 r! l+ L) M4 w9 D2 V: P
IRL3803        6        140        30        . v- U& ]. X$ ]8 I: c4 a: ^
IRL8113        6        105        30        3 d; ]* n9 d' f; p1 n
IRLR8113        6        94        30       
' m. X& Q% O6 A4 h  ?" mIRF3711        6        92        20       
% m" S! P6 {0 A' e2 D$ M, ZIRF3709        6.3        87        30        - N8 Q# n2 q3 R, {" B
IRLR8203        6.8        110        30       
# x/ E2 n5 r8 h: G+ o2 u( l% bIRL2203        7        116        30       
$ K8 E/ ]- w1 vIRF3704        7.9        67        20       
/ N% T( H  T: S7 b  GIRF3205        8        110        55        7 H5 Z) d7 ^& F9 }) B6 ]. `' a7 ?9 ~
IRL3705        8        86        55       
/ X" w& n0 i$ a$ ^/ tIPB03N03LA        2.7        80        25        英飞凌
1 n: s& O0 q7 S# K8 }* F7 P/ |IPI03N03LA        3        80        25        ; d) |, D! Y$ ~8 h
IPP03N03LA        3        80        25       
% G+ \  a3 I7 ^IPB04N03LA        3.9        80        25        ) [7 U( A! W! c. C- n' O8 V& @( `
IPD04N03LA        3.8        50        25       
, J/ G) r' n& L1 s9 x( X1 ZIPF04N03LA        4.1        50        25       
( T& L. |. b* b6 t: e+ J( eIPI04N03LA        4.2        80        25       
5 I' b9 P' m( I# \6 O/ eIPP04N03LA        4.2        80        25        4 L* q$ u& T* j5 Q3 b& n' |
IPS04N03LA        4        50        25       
) D% W& i- k( S+ ^( CIPU04N03LA        4        50        25        ) X# l5 u6 U( S3 _! c- O
IPB05N03LA        4.6        80        25       
7 N, R$ l) {5 @$ p9 r  fIPF05N03LA        5.3        50        25       
* a- c6 H% u) Z1 T  r& RIPI05N03LA        4.6        80        25       
& \0 h. Q/ |* r/ c1 RIPP05N03LA        4.9        80        25        9 @9 b2 _! S/ ]  H
IPS05N03LA        5.3        50        25        , Y8 C$ x) A0 U+ u
IPU05N03LA        5.3        50        25       
& N, _6 y6 w% F4 y* q$ zIPB06N03LA        5.9        50        25        " l9 g. D2 T4 i0 X3 ^
IPD06N03LA        5.7        50        25        - t# Q/ ^" q. N) K/ y2 E5 C
IPF06N03LA        5.7        50        25        + q9 B6 j. F' p5 r% ^3 N
IPI06N03LA        5.7        50        25        , t: a; r8 K; Y+ R! }9 [9 I
IPP06N03LA        6.2        50        25        * O% s4 D  e) K1 i" y: T+ Q% _  ^
IPS06N03LA        5.9        50        25        9 Z$ b- O+ {# i; d3 s" X( v2 T
BSC022N03S        2.2        50        30       
0 o* Q  P1 a! z& }BSC032N03S        3.2        50        30        5 U# b4 b- u) E  T7 [4 Q
BSC042N03S        4.2        50        30       
2 P! \4 R; f; D: R# `( `/ `- b& zBSC052N03S        4.2        50        30       
$ {$ r0 t2 Q, c# cBSC059N03S        5.5        50        30       
6 A8 a1 O" U" i& R8 GBSC079N03S        7.9        50        30       
- f/ w/ f, H$ lSPB160N04S2-03        2.9        160        40        ; k+ ^( K" s8 R7 s) Q/ C9 Z
SPP100N04S2L-03        3.3        100        40        7 q% [- o- B. h: F: ^- a
SPP80N04S2L-03        3.4        80        40
作者: casino32    时间: 2006-7-18 16:44
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作者: 林青豪    时间: 2006-7-21 08:13
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作者: liao228    时间: 2006-7-21 09:33
原帖由 林青豪 于 2006-7-21 08:13 发表) a% O. x: R* f
管脚极性有差别么?
! C( ~% W5 I9 e: Y* o
如图,常见的几种封装形式,从左到右依次为G,D,S。一般都是这个顺序,但也不排除某些特殊型号的管脚排列不一样,所以最好是根据你的管子型号查询官方PDF文档。
作者: liao228    时间: 2006-7-21 23:39
多谢自由战士的提醒,我在此补充一下:对于CPU供电的MOS管来说,要区分对待上管和下管(续流管),上管对于Tr(上升沿时间)和Tf(下降沿时间)的要求更高些,要求越小越好,下管要求Rds越小越好。Tr,Tf,Rds均可在PDF文档中查到。
0 Q) q! r0 j2 }. i4 L6 \' ?     用肉眼区分上管和下管的方法:散热片与电感线圈的一端相连的是下管,否则是上管。
+ d. X* W2 ]1 M( Y8 F: l- T* [  [+ t  G( H9 u
      顺便加点题外话,曾经在一块华硕的板上看到,上管选用13N03LA,下管用两颗06N03LA并联,现在看来是非常合理的搭配,而一些二线厂的主板在元器件的选值上就显得不怎么严谨了,比如本人用的8RDA3+,上下管同样采用了性能不是太好的STB55NF03L。记得有这样的说法:设计得好的主板,即便用二相电源也能达到三相的效果,看来此言不虚。
/ U+ A- P4 b$ X
1 s( P2 S1 F0 W5 a2 v3 e[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 00:07 编辑 ]
作者: 邹猩猩    时间: 2006-7-24 02:54
不错~~~~~~~~~~~~~~~~
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-24 11:59
忽略了控制导通电压VGS.
作者: 超频K8S    时间: 2006-7-24 12:22
我真幸浮。。。。#
作者: 超频K8S    时间: 2006-7-24 12:22
我真幸浮。。。。#
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 20:55
我有一块华擎的K7S8XE+主板上的一个型号为:B1202  的MOSFET管坏了,这个管的参数?可用什么管替换?
作者: liao228    时间: 2006-7-25 22:29
原帖由 好好心情 于 2006-7-25 20:55 发表
' V1 s9 X* G8 ]我有一块华擎的K7S8XE+主板上的一个型号为:B1202  的MOSFET管坏了,这个管的参数?可用什么管替换?
0 _3 K; S6 {. P/ H
/ [9 N  i. l9 i8 l/ Q
    会不会是2SB1202?这个管子不是MOSFET,而是个小功率的PNP三极管,Vceo=50V Ic=3A Pc=15W ft=150Mhz- V; S# H' c0 ?& r8 I/ H) |. _& M& N
    可代换的管子很多,例如2SA1802,2SB9626 }; w4 R3 d5 i( @* S1 ]2 u
    封装形式如图:7 l% V. X: b7 [- p# v- t, n
4 d; j8 p- C  V+ \% X' n8 |) ?
[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-26 12:31 编辑 ]
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 23:17
谢谢楼上的。坏掉的主板的管是:A2×××     因为看不到型号,从另外的同型号的主板看到的是:B1202   应该是一个三极管。
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-25 23:24
不会是什么2SB1212的.主板上我基本没有见到有PNP管.只要看是在什么位置.可以猜得出用什么常用管代替.
$ l0 q9 P4 z4 M7 g3 @0 y
0 H7 `+ s+ P+ `, D: T. d[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-25 23:25 编辑 ]
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 23:56
上图。坏管所在的位置。
作者: liao228    时间: 2006-7-26 11:38
仅从型号上判断,Axxxx,Bxxxx为PNP三极管的可能性较大,如果是MOS管,则一般的型号为7 Y% L; d: _, f
IRxxxx(IR公司的命名法),Kxxxx,Jxxxx(日系命名法),xxNxx(其它公司命名法)。
! S$ D1 W7 X9 {9 Q从工作电路看,此板可能是以TL431为基准,LM324作电压调整的串联式稳压电路,因此采用三极管也不奇怪(纯属个人猜测),2SB1202同样可用于开关稳压电路;另外,既然有另一块好板,那么工作时量一下该管1,3脚电压基本可判定是否为三极管,如果1,3(B,E)脚电压低于0.7V,则可以认定是三极管。
8 E' z) J* F$ ~# e! h上图中的封装形式符合2SB1202的另一种封装:
/ Y3 p- _$ d  J; P* }9 U- Y; x( n( S; U8 j
[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-26 12:38 编辑 ]
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-26 13:12
这个位置是内存供电的管子.一般用N场管我见得多.不过最好参照好板的就最简单.3 Q& m/ v. M+ [& W. U6 p' E  D
9 K5 i. M' C' N
找不到一样的随便找一个代替就行了.场管这个地方一般S脚是2.6V
作者: 好好心情    时间: 2006-7-26 23:11
经确认:B1202  是PNP三极管
作者: 好好心情    时间: 2006-7-26 23:13
B1202   PNP三极管是控制2.5V电压的
作者: 林青豪    时间: 2007-1-4 08:21
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作者: 沧海    时间: 2007-1-5 09:04
牛人啊.专业么?????????
作者: kim54    时间: 2007-1-6 15:50
十分专业的回答...偶有一个问题~就是换了这个MOS管对超频可有影响?
作者: h11544    时间: 2007-1-6 20:04
现在主板多用的是TO-252封装的mos吧,换mos对超频的影响远远大于换电容
作者: 拳头    时间: 2007-1-7 02:07
换MOSFET可不是件简单的事情哦,上次将华硕板上空出来的重新补上,用了两天就烧了,原因是型号相同但并不是同一个时间的产品,一致性差了些导致的,换这管子,比换电容要难。
作者: 拳头    时间: 2007-1-7 02:08
补充:加管后新优点一个没出来,反而变的更热
作者: 林青豪    时间: 2007-1-18 06:51
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作者: 维他豆    时间: 2007-1-18 08:14
牛啊,看到牛人在谈电子
作者: agrantleung    时间: 2007-1-18 15:19
普通人diy是以 “配件” 为单位的,什么cpu+什么主板+什么显卡+什么内存,买回家自己装……;
9 a$ @& }/ E! Y4 R! ^$ i高手diy是以 “零件” 为单位的,什么电容+什么mos+什么pcb+什么……,买回家自己焊~8 [+ A" X- K2 d) c

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