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标题: 主板的MOS管一般选择什么型号替代？ [打印本页]
作者: 林青豪    时间: 2006-7-8 05:20
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作者: 林青豪    时间: 2006-7-10 02:23
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作者: liao228    时间: 2006-7-18 11:15
VDSS(耐压)>=原管VDSS的; X* @$ D7 n- l" K: W
　  ID(最大通过电流)>=原管ID的* k# F' Q  w- N+ s+ ?7 x4 W; g
     RDS(内阻)<=原管RDS的
! E1 r) Q7 t$ r- N. U; C/ q     且封装型式与原管差不多的
作者: 林青豪    时间: 2006-7-18 12:20
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作者: liao228    时间: 2006-7-18 12:34
型号                    内阻(mΩ)        电流(A)        耐压(V)        厂商. p& @2 M" A( J& ^: h
IRF2804S-7P        1.6        320        40        IRF
" f1 T- A0 @! N* B8 YIRF2804        2.3        280        40       
5 B: A- `0 n4 \1 fIRF3805S-7P        2.6        240        55        1 o  P1 k3 B( m- G
IRL3713        3        200        30       
! q! U% U9 n  y, ?IRF3805        3.3        220        55        8 V2 W6 I+ F) L- n6 Z
IRF1503        3.3        190        30       
3 I1 Y# _2 ]" \( m9 mIRLR7843        3.3        161        30        0 d3 ]9 h" y# c# S2 v" k& F# w* X
IRL7833        3.5        150        30        . r9 N' S+ S( R7 l) ~
IRF2204        3.6        210        40        ! V1 z; x+ p9 y+ A3 t0 \
IRF1302        4        180        20       
& [1 R1 M5 g! D' O+ B; O5 \& C$ cIRL3716        4        180        20        7 y+ S2 G$ u: Y- ~" v  J
IRF1404        4        162        40        , y: R) b. G5 X( [3 U& t  s1 C
IRLU3717        4.2        120        20       
6 i5 U7 h7 ^. s5 P( Q# u5 a; \, }IRLR3717        4.2        120        20        5 r0 B; w2 R/ w4 o
IRLR7833        4.5        140        30        5 r* k5 B. ^% x4 E7 }3 M
IRF2805        4.7        135        55       
( s( T2 {2 e  \7 s. |IRF1405        5.3        131        55       
* r5 q: [8 V: b+ AIRF4104        5.5        120        40        / g+ }7 i1 y8 f' E& O6 d% s! M
IRL3803        6        140        30       
- L# Q7 ^  C7 S* V5 h  ]; DIRL8113        6        105        30        1 [# K4 m: g4 H! ^
IRLR8113        6        94        30       
6 e+ c9 S# x6 c9 q/ Y! k+ G% p5 _IRF3711        6        92        20       
& @: @9 s: O; i  ~. i  p& hIRF3709        6.3        87        30       
# x$ i8 r: ?- rIRLR8203        6.8        110        30        ; w; N( `5 p1 W4 k5 n3 n; }9 K; ^( K5 u
IRL2203        7        116        30        & K/ u9 [0 Q; [8 i: h% q9 \# e
IRF3704        7.9        67        20       
8 t* N" J2 A$ [% l( T9 NIRF3205        8        110        55       
; }; L( {  d% m3 `. H5 T+ F/ PIRL3705        8        86        55       
) N  E# d7 W% v8 |' C- }, r  QIPB03N03LA        2.7        80        25        英飞凌
8 ~0 W$ Y. B% tIPI03N03LA        3        80        25        + C$ f- o- K: @. O$ W' K
IPP03N03LA        3        80        25       
1 C  i$ e, H' w( ~" Q: ?. O, CIPB04N03LA        3.9        80        25       
& k, b$ x0 }8 j6 }IPD04N03LA        3.8        50        25       
, N- i& n$ d' K5 m) QIPF04N03LA        4.1        50        25       
: B' Q0 W0 Q/ x$ l& DIPI04N03LA        4.2        80        25       
$ b( ~+ T0 x7 ?4 E  h: VIPP04N03LA        4.2        80        25       
2 I! i) S) ?0 i+ d2 J3 qIPS04N03LA        4        50        25       
( a- j; Y5 p9 D6 [IPU04N03LA        4        50        25       
; W( P; N6 d. `" `3 o* ?; vIPB05N03LA        4.6        80        25        , q' x5 A7 {! l9 Q" q1 G/ q
IPF05N03LA        5.3        50        25        6 z8 o0 E3 s) |* O' x# w6 R' u
IPI05N03LA        4.6        80        25       
  x' U  J! E3 X, ~% LIPP05N03LA        4.9        80        25        1 Q" ?0 y; D& V9 ~2 D& O
IPS05N03LA        5.3        50        25       
+ G% \$ l2 C. M3 |1 E( eIPU05N03LA        5.3        50        25        5 D2 ^$ g5 w8 c! G3 t( y
IPB06N03LA        5.9        50        25       
( ?+ A5 j: C! d: I9 {. O( v3 NIPD06N03LA        5.7        50        25       
2 i. [" {( v+ @* cIPF06N03LA        5.7        50        25       
) m" h! v5 y5 x3 {. ?; oIPI06N03LA        5.7        50        25        / u7 X3 w: ]( o# ?
IPP06N03LA        6.2        50        25        ' c% x6 u! x1 U+ W9 B3 b, r
IPS06N03LA        5.9        50        25        4 N/ E4 h2 G/ H4 G3 u) E. u* D
BSC022N03S        2.2        50        30       
2 M/ n  i! r! n0 P* u4 hBSC032N03S        3.2        50        30       
7 n# R6 q3 h9 sBSC042N03S        4.2        50        30       
( ^8 g1 ~, D, U" DBSC052N03S        4.2        50        30       
0 @- Z( H2 G# ?BSC059N03S        5.5        50        30        6 D, Z; k" V  b, B& L3 Y) K
BSC079N03S        7.9        50        30       
$ [: P. h$ O) R- CSPB160N04S2-03        2.9        160        40        0 t6 x) z# w" ^7 W9 j, l
SPP100N04S2L-03        3.3        100        40        ; |8 T9 X* H2 L" B% ]
SPP80N04S2L-03        3.4        80        40
作者: casino32    时间: 2006-7-18 16:44
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作者: 林青豪    时间: 2006-7-21 08:13
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作者: liao228    时间: 2006-7-21 09:33
原帖由 林青豪 于 2006-7-21 08:13 发表
$ G8 C  N* I; _6 H; _管脚极性有差别么？

5 K' K4 H3 |# L- X如图，常见的几种封装形式，从左到右依次为G，D，S。一般都是这个顺序，但也不排除某些特殊型号的管脚排列不一样，所以最好是根据你的管子型号查询官方PDF文档。
作者: liao228    时间: 2006-7-21 23:39
多谢自由战士的提醒，我在此补充一下：对于CPU供电的MOS管来说，要区分对待上管和下管(续流管)，上管对于Tr(上升沿时间)和Tf(下降沿时间)的要求更高些，要求越小越好，下管要求Rds越小越好。Tr,Tf,Rds均可在PDF文档中查到。
+ h: p' C# ~; C) |, K& Q/ _3 S$ K     用肉眼区分上管和下管的方法：散热片与电感线圈的一端相连的是下管，否则是上管。
% B3 f, E, A) j/ B, G; a6 Y/ i* N% Q8 |- N3 m, }' e; _0 P
      顺便加点题外话，曾经在一块华硕的板上看到，上管选用13N03LA,下管用两颗06N03LA并联，现在看来是非常合理的搭配，而一些二线厂的主板在元器件的选值上就显得不怎么严谨了，比如本人用的8RDA3+，上下管同样采用了性能不是太好的STB55NF03L。记得有这样的说法：设计得好的主板，即便用二相电源也能达到三相的效果，看来此言不虚。7 h5 I; S+ D5 L) N) H+ ]' u! C

+ h% j7 p/ p5 B9 Q% W4 j[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 00:07 编辑 ]
作者: 邹猩猩    时间: 2006-7-24 02:54
不错～～～～～～～～～～～～～～～～
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-24 11:59
忽略了控制导通电压VGS.
作者: 超频K8S    时间: 2006-7-24 12:22
我真幸浮。。。。＃
作者: 超频K8S    时间: 2006-7-24 12:22
我真幸浮。。。。＃
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 20:55
我有一块华擎的K7S8XE+主板上的一个型号为：B1202  的MOSFET管坏了，这个管的参数？可用什么管替换？
作者: liao228    时间: 2006-7-25 22:29
原帖由 好好心情 于 2006-7-25 20:55 发表
! @" V$ |" _& e6 T+ `2 A1 k我有一块华擎的K7S8XE+主板上的一个型号为：B1202  的MOSFET管坏了，这个管的参数？可用什么管替换？
' b' o; ?- u* K- F
- ], I+ h/ w( s  |  S! m
    会不会是2SB1202？这个管子不是MOSFET，而是个小功率的PNP三极管，Vceo=50V Ic=3A Pc=15W ft=150Mhz3 X( ?& D" _) ?9 T
    可代换的管子很多，例如2SA1802，2SB962
0 k$ W3 k. a) G1 u- y, r; f* Q2 A    封装形式如图：
6 K: O" X% K/ R) `" i1 _3 H3 |( y. a
8 \& u, W8 L! a" v4 i9 m[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-26 12:31 编辑 ]
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 23:17
谢谢楼上的。坏掉的主板的管是：A2×××     因为看不到型号，从另外的同型号的主板看到的是：B1202   应该是一个三极管。
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-25 23:24
不会是什么２ＳＢ１２１２的．主板上我基本没有见到有ＰＮＰ管．只要看是在什么位置．可以猜得出用什么常用管代替．8 G( O5 `# Y. Y" h) H8 j
6 J  ~2 H" K( b- f: l, J
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-25 23:25 编辑 ]
作者: 好好心情    时间: 2006-7-25 23:56
上图。坏管所在的位置。
作者: liao228    时间: 2006-7-26 11:38
仅从型号上判断，Axxxx,Bxxxx为PNP三极管的可能性较大，如果是MOS管，则一般的型号为1 }2 g( @0 F! w& p, v9 Q
IRxxxx(IR公司的命名法),Kxxxx,Jxxxx(日系命名法),xxNxx（其它公司命名法）。
4 X" h+ p) f4 w- x* q0 S% J( |5 k7 M5 ?- u从工作电路看，此板可能是以TL431为基准，LM324作电压调整的串联式稳压电路，因此采用三极管也不奇怪（纯属个人猜测），2SB1202同样可用于开关稳压电路；另外，既然有另一块好板，那么工作时量一下该管1,3脚电压基本可判定是否为三极管，如果1,3(B,E)脚电压低于0.7V，则可以认定是三极管。
0 q5 H6 n/ G/ Z- t  Z9 }( b上图中的封装形式符合2SB1202的另一种封装:
1 P7 f, Y3 `& d3 ~5 V' p" c. m% f- X9 W
[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-26 12:38 编辑 ]
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-26 13:12
这个位置是内存供电的管子.一般用N场管我见得多.不过最好参照好板的就最简单.8 r) |3 w2 O) C. k
  \+ J- c& d* j5 E( C$ c
找不到一样的随便找一个代替就行了.场管这个地方一般S脚是2.6V
作者: 好好心情    时间: 2006-7-26 23:11
经确认：B1202  是PNP三极管
作者: 好好心情    时间: 2006-7-26 23:13
B1202   PNP三极管是控制２．５Ｖ电压的
作者: 林青豪    时间: 2007-1-4 08:21
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作者: 沧海    时间: 2007-1-5 09:04
牛人啊.专业么?????????
作者: kim54    时间: 2007-1-6 15:50
十分专业的回答...偶有一个问题～就是换了这个MOS管对超频可有影响？
作者: h11544    时间: 2007-1-6 20:04
现在主板多用的是TO-252封装的mos吧，换mos对超频的影响远远大于换电容
作者: 拳头    时间: 2007-1-7 02:07
换MOSFET可不是件简单的事情哦，上次将华硕板上空出来的重新补上，用了两天就烧了，原因是型号相同但并不是同一个时间的产品，一致性差了些导致的，换这管子，比换电容要难。
作者: 拳头    时间: 2007-1-7 02:08
补充：加管后新优点一个没出来，反而变的更热
作者: 林青豪    时间: 2007-1-18 06:51
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作者: 维他豆    时间: 2007-1-18 08:14
牛啊,看到牛人在谈电子
作者: agrantleung    时间: 2007-1-18 15:19
普通人diy是以 “配件” 为单位的，什么cpu＋什么主板＋什么显卡＋什么内存，买回家自己装……；
- S$ t1 r0 D3 U& N0 ^7 k5 |( I) z: [高手diy是以 “零件” 为单位的，什么电容＋什么mos＋什么pcb＋什么……，买回家自己焊～
, Z) e1 ^9 @% U' R- Z6 ?& i
5 [) R3 s4 a7 w$ b; q$ M2 Z) x* }3 Z% f:lol: :lol: :lol: :lol:



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