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标题: 贴个图：8RDA3+更换MOSFET [打印本页]
作者: liao228    时间: 2006-7-18 23:43
标题: 贴个图：8RDA3+更换MOSFET
MOSFET用了IRF2804，TO-220AB封装，所以只好立式安装了，没法装散热片。好在该管的参数极其优良，RDS仅为2.3毫欧，比原先的管子好得多，所以发热也不大。
作者: liao228    时间: 2006-7-18 23:44
因为电感和电容不方便焊接工作，所以先拆掉　！＃
作者: liao228    时间: 2006-7-18 23:46
OK，现在完工了.
作者: viney♂    时间: 2006-7-18 23:46
偶的2奶机用着8RDA3+，不过自己没有时间整
作者: liao228    时间: 2006-7-18 23:49
OK，现在完工了.
作者: 橄榄菜    时间: 2006-7-19 01:43
都什么年代了，还mod这个-_-:sweatingbullets:
作者: fantasyai    时间: 2006-7-19 17:23
哇```廖爷````哈哈``
作者: liao228    时间: 2006-7-19 17:29
原帖由 fantasyai 于 2006-7-19 17:23 发表
0 _( |8 N$ `# Y哇```廖爷````哈哈``
- m. d) `+ p1 @0 G+ q3 z* Z+ ]$ @
哇```fantasyai````哈哈``/ H9 C- n; z# m4 }/ i1 k& B
我不是廖爷，哈哈
& E. ~; _8 F% g. X4 f我借来的ID，哈哈
作者: baboon    时间: 2006-7-19 19:31
有啥好处？9 O6 ]2 F0 C2 d% a3 T
　。。。。。＃
作者: winfast007    时间: 2006-7-19 21:40
可以买一些散热片装在上面啊，帮助散热。
作者: liao228    时间: 2006-7-19 22:43
好处就是提高供电能力，提高稳定性，和换电容的目的是一样的。散热片可以不加，因为发热量并不大，如果加的话还要考虑绝缘性，很麻烦，且一年多的时间证实了非常稳定。
作者: fs_francis    时间: 2006-7-20 09:59
这样排列的话,楼主不考虑一下中间夹一块铜片辅助散热?
作者: liao228    时间: 2006-7-20 10:28
原帖由 fs_francis 于 2006-7-20 09:59 发表, ~9 W5 s8 k1 Z
这样排列的话,楼主不考虑一下中间夹一块铜片辅助散热?

* O# T" N( v- _" h- w* |　　如果条件允许，当然是加散热片更好些，不过要注意：左边那排和右边那排的散热片必须是绝缘的，比较难弄，所以就不加了。
: V& j5 J9 J- a* F! ?  Q$ C2 a+ M　　不加散热片的另一个原因是MOS管的型号：IRF2804，这个管子几乎可算是目前同类MOSFET中的极品了，RDS只有2.3毫欧姆，而原配的管子RDS好象是大于10毫欧的某个型号（时间长记不清了）。这样的话，工作时的功耗只相当于原管的几分之一（功耗与电阻成正比），所以不用加散热片也是可以的。如果不是因为IRF2804的性能这么好，我也不会这么用了。
作者: p3    时间: 2006-7-21 00:35
厉害，这都能换。的
作者: 林青豪    时间: 2006-7-21 08:09
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
作者: 自由战士    时间: 2006-7-21 18:07
原帖由 liao228 于 2006-7-20 10:28 发表
- y& J7 `: ^' C; r4 ~* ]% e- }# z
* W9 m: i0 [8 I2 A2 e- G) x　　如果条件允许，当然是加散热片更好些，不过要注意：左边那排和右边那排的散热片必须是绝缘的，比较难弄，所以就不加了。
( @* C8 |  T: m+ [1 {8 S' D3 N4 v　　不加散热片的另一个原因是MOS管的型号：IRF2804，这个管子几乎可算是目前同类M ...

" L8 \$ U! F& B- Q% U) n  |) f( f! F* \/ P  ^; U: A5 V7 s
其实未必要全换:wub:, g+ h: `: r4 u$ O1 W- V
RDS小的管子,其结电容必然要大些
/ d* A# v1 ~+ a8 B& c$ @( E7 d上面控制脉宽的管子,它的脉冲宽度要比续流管小的多,所以它的损耗主要是开关损耗,导通损耗相对少的多,而下面的续流管的工作状态和损耗正好和上面的开关管相反(续流管工作在零电压状态下,理论上其开关损耗为零,只有导通损耗),所以,你完全可以不用更换上面的管子,只换续流管就可以
作者: liao228    时间: 2006-7-21 23:20
原帖由 自由战士 于 2006-7-21 18:07 发表2 r1 Y4 d6 F# h

. v8 y+ f$ X' o; h0 V9 {2 A4 M3 W+ `1 B
其实未必要全换:wub:
, y/ k$ i) U1 U. kRDS小的管子,其结电容必然要大些" x4 R( y7 }  j3 d
上面控制脉宽的管子,它的脉冲宽度要比续流管小的多,所以它的损耗主要是开关损耗,导通损耗相对少的多,而下面的续流管的工作状态和损耗正好和上面的开关 ...
5 c( @- C. w- t% R
      这个理论是对的，不过还要看元器件的实际情况。
& m5 J/ S+ \0 ~3 C! [' ^7 Z+ e% o$ [      根据查到的原MOS管(STB55NF03L)与新MOS管(IRF2804)的资料对比，可知：3 W/ W# p& @' @; _) [* w1 L1 R
STB55NF03L   Rds = 10 mΩ(典型值)! K  f4 {' T7 B) Y' M
                    Tr= 280ns
7 [* J& u* P) z# z                    Tf=60ns
5 v( Z$ w8 Z: ^2 ^3 s+ |0 H
* Y) @) T1 q: W7 K6 d! D6 X% s0 YIRF2804   Rds= 1.8 mΩ(典型值)6 u3 L( H) X" j0 i0 V. N
              Tr=120ns: z2 i* S6 |* g- O* l
              Tf=130ns
5 R3 t$ \; {+ e9 j6 x, g0 R  p& F, u8 |3 X0 w
可见，虽然后者的结电容的确大于前者，但后者的的Tr和Tf之和居然还小于前者的，这可能就是厂家实力和工艺上的差别了吧。, u5 h. J. H% A

: C* u( }) c8 z- R: T经过大致的计算(公式来自官方PDF文档)，更换新管后，上管功耗约为原管的三分之二(包括开关损耗)，下管功耗约为原管的五分之一弱.% p! w( C* w- H- N: l

, p! h2 o" T3 D6 t6 p9 H     不过上管换成IRF2804的确不是很适合，如果换英飞凌的管子可能更好些，可惜手上没有，下管么就物超所值了。
; d' C" q7 j' `5 h
9 |9 k: p2 z- E! u  t[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-21 23:31 编辑 ]
作者: 自由战士    时间: 2006-7-22 17:47
可见，虽然后者的结电容的确大于前者，但后者的的Tr和Tf之和居然还小于前者的，这可能就是厂家实力和工艺上的差别了吧。     ...

! ^% }  K+ q$ ^6 B; c: a7 l8 e8 K- @2 `
1 H/ J+ [3 ^( z3 V% V影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3055这块PWM控制芯片内)
1 w; b  S" n/ A) M4 n/ F厂家给出的Tr,Tf值,是在栅极驱动内阻小到可以忽略的情况下测出的,实际应用中就不一样了,特别是栅极驱动集成在PWM芯片中的电路,从PWM到MOSFET栅极的布线的宽度,长度,都会深刻影响MOSFET的性能.如果PWM的输出内阻本来就不低,加上MOS管的Qg又大,那么不论其Tr,Tf如何优秀,都可能会大大增加上升和下降的时间:wub:9 v' K$ k. W" L2 ]# ^+ [
偶认为,BUCK同步变换器中,高侧MOS管的Qg比RDS等其他参数更重要,另外,栅极驱动内阻与Qg的配合也很重要,一定 程度上就是由它的充电时间决定高侧MOSFET的开关速度和损耗..:a)
作者: 自由战士    时间: 2006-7-22 17:55
原帖由 jickl 于 2006-7-22 11:27 发表
; B  f. j' o# V) Y9 H/ W偶感觉应该象电源一样两面MOS管，中间散热片，用绝缘的3M贴贴上，嘿嘿
: P2 y/ I: P$ C$ _# P* q

7 M6 `9 O/ x* u) e7 @! y* {偶认为应该找些铜片,直接焊在MOS管的基板上,既牢靠,效果又比用绝缘片的好:lol:
作者: 自由战士    时间: 2006-7-22 17:59
原帖由 橄榄菜 于 2006-7-19 01:43 发表) ^8 X+ U+ z" L2 _
都什么年代了，还mod这个-_-:sweatingbullets:

, I/ u, J0 o" r. T+ i0 a5 Z" ^& g
玩了这些,你就会明白什么3相8相供电,什么数码供电,都是一回事情:lol:
作者: liao228    时间: 2006-7-22 18:32
原帖由 自由战士 于 2006-7-22 17:47 发表5 Q( ?; @& Z  a& e' [  f9 o

- E( Q. d0 [3 L% l* Y% ~9 K/ d& C5 `: h" I
影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3 ...

# P3 C8 O% X" U4 u+ n- p0 Y6 p& E# O2 }
5 L, b5 V# A- y+ c6 k, F2 k" W看来自由战士在这方面是高手，无比佩服.但是查阅IRU3055的文档，没有提供驱动内阻的值，仅有其它几个参数，不知是否也能计算出理论上的功耗？
  A% b7 f7 ?- J! }能不能就以IRU3055和IRF2804为例，来详细分析一下呢？我提供IRU3055和IRF2804的基本参数：
作者: bjbhappy    时间: 2006-7-22 20:00
偶真的是很佩服
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-22 22:00
这样装.非常不好.
& l4 J# I( v9 j0 T& `6 e: T+ {/ q8 U$ I& c1 G) `. D  I! u: t
场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.
8 o# S) K7 ]: X  S+ i! K* n8 P; {
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:09 编辑 ]
作者: liao228    时间: 2006-7-22 22:58
原帖由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:00 发表
7 V: D# j/ D# @6 \这样装.非常不好.& w- M7 I3 o% N% i# o; N9 Y3 E6 s
$ r! f9 A0 J6 g$ x) H
场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.
2 q) R" v4 Q4 @6 ]
; t$ J6 u% Z, p  I. l
      不见得不好，至少我能找到两种以上的主板采用立式安装，并且不带散热片的，前提是管子的性能足够强悍。而且立式安装的好处也是有的，即CPU风扇出来的风能够吹到。
$ i( b, w% x* K" `4 m1 F6 s' [8 Z- h; J, V9 n' l
      再补充一点，其实温度对MOS管参数的影响并不能算是“巨大”，MOS管的极限工作温度可高达175度，假设从20度升至60度的话，Rds最多只增加20%左右，一般的工作温度大致也就在这个范围内吧，我自制的甲类功放还工作在70-80度呢。并且，温度升高对除Rds以外的其它参数也产生影响，但并不是所有的影响都是坏的，有些甚至可能有好处呢。# N) `! c4 M, x7 Y- N0 f; Z

0 r8 ]7 V4 A. ]- f7 p& t0 q    本人理论知识不精，说错也难免，欢迎高手指正.& o; q2 v) W% J: |- o7 H; n, [* l9 K
. D) n* H& a# L& \
[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 23:52 编辑 ]
作者: liao228    时间: 2006-7-22 23:06
Inel915芯片组，LAG775
作者: isail    时间: 2006-7-22 23:25
强悍死了。佩服惨了。
作者: p3    时间: 2006-7-23 21:39
这个也能换？？真折腾啊
作者: 灰人    时间: 2006-7-23 21:45
我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
4 L0 N' W$ d. S& w5 L: u# R现在出了些莫名其妙的问题
" ^2 a& n$ \8 G0 x供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V0 a7 L2 Y1 ?$ `+ q0 a
现在刻录机接上面都用不了，读盘都读不出来不知道硬盘什么时候挂……汗
( N5 `/ f- {! F4 C$ r# E求教一下大概是那里的问题呀？
作者: liao228    时间: 2006-7-23 21:58
原帖由 灰人 于 2006-7-23 21:45 发表4 w6 F  _- N0 C5 D7 W
我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~5 j% ^7 E6 W/ {  M: [0 e" S
现在出了些莫名其妙的问题
% k; c8 r9 Z0 @# s9 m供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V, ^% K6 o$ H0 d$ M* a7 ]
现在刻录机接上面都用不 ...

, }. w1 V/ f2 G) A- a6 U' {
0 h$ X- O' W  d1 J0 l/ }" b要么是你换的那些电容不好，要么就是电源有问题。
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-27 14:17
我说帖片比插式的好不是想像的.从官方资料都可以看出* F4 c7 s% w* w6 @5 f+ @
同样的IR 2804 在标准情况下.SMD的RDS=1.5毫欧. 而TO220封装的是1.8毫欧.帖片的散热性和性能是要明显优于插式的.当然我是说能买到SMD当然是最好的.
: `% y" l) ]( l( V+ N8 r6 g. u/ G2 f& n
另外.2804的上升下降时间也太长了.TF越长的话.管子也容易发热.
; |/ D( q; `$ z$ o& R5 @1 k2804   TR=120毫欧.TR=130毫欧.& [: Q0 @5 b2 a, Y
6 P7 z* l' T. u* o
我随便找了一个NF4X主板上面的.IR 的3709Z 的参数.   TR=12 NS    Tf=3.9NS.# v4 V, r. ]: b' w" r2 U( k4 `# G* `
6 m% f& X' |( g6 P( A' s) i, Y
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-27 14:18 编辑 ]
作者: fengpc    时间: 2006-7-27 22:33
楼上说得没错，mos的导通损耗是比较小的，跟BJT的饱和导通一样，但是作为高频应用的开关电源就不同了，上升和下降时间长的话在高频率的开关转换中就会产生较大的损耗，这也是高频开关电源损耗最大的一部分
, p$ y1 K, \. D2 A" L* I% S, ]$ ups:不是乱吹，有书为证的：）
作者: longzhit1    时间: 2006-10-21 17:30
这次修改不太YY了，毕竟已是旧机，YY为重。



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