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标题: 贴个图：8RDA3+更换MOSFET [打印本页]
作者: liao228    时间: 2006-7-18 23:43
标题: 贴个图：8RDA3+更换MOSFET
MOSFET用了IRF2804，TO-220AB封装，所以只好立式安装了，没法装散热片。好在该管的参数极其优良，RDS仅为2.3毫欧，比原先的管子好得多，所以发热也不大。
作者: liao228    时间: 2006-7-18 23:44
因为电感和电容不方便焊接工作，所以先拆掉　！＃
作者: liao228    时间: 2006-7-18 23:46
OK，现在完工了.
作者: viney♂    时间: 2006-7-18 23:46
偶的2奶机用着8RDA3+，不过自己没有时间整
作者: liao228    时间: 2006-7-18 23:49
OK，现在完工了.
作者: 橄榄菜    时间: 2006-7-19 01:43
都什么年代了，还mod这个-_-:sweatingbullets:
作者: fantasyai    时间: 2006-7-19 17:23
哇```廖爷````哈哈``
作者: liao228    时间: 2006-7-19 17:29
原帖由 fantasyai 于 2006-7-19 17:23 发表0 b1 l+ y: @4 N+ N/ f) H& t. u
哇```廖爷````哈哈``
' L3 _6 E9 g  y& y. z# j
哇```fantasyai````哈哈``
$ ?+ V1 v3 B' |1 h6 }我不是廖爷，哈哈4 b: b# }/ ?: {! t
我借来的ID，哈哈
作者: baboon    时间: 2006-7-19 19:31
有啥好处？
/ [1 Y: P7 G1 d; }9 N　。。。。。＃
作者: winfast007    时间: 2006-7-19 21:40
可以买一些散热片装在上面啊，帮助散热。
作者: liao228    时间: 2006-7-19 22:43
好处就是提高供电能力，提高稳定性，和换电容的目的是一样的。散热片可以不加，因为发热量并不大，如果加的话还要考虑绝缘性，很麻烦，且一年多的时间证实了非常稳定。
作者: fs_francis    时间: 2006-7-20 09:59
这样排列的话,楼主不考虑一下中间夹一块铜片辅助散热?
作者: liao228    时间: 2006-7-20 10:28
原帖由 fs_francis 于 2006-7-20 09:59 发表  D2 l7 x8 G2 C9 l* |6 t& G
这样排列的话,楼主不考虑一下中间夹一块铜片辅助散热?

- n) G5 r+ C$ Q8 K$ q1 ^& B　　如果条件允许，当然是加散热片更好些，不过要注意：左边那排和右边那排的散热片必须是绝缘的，比较难弄，所以就不加了。
% t+ K: g  p3 O% J: A  L  e) y　　不加散热片的另一个原因是MOS管的型号：IRF2804，这个管子几乎可算是目前同类MOSFET中的极品了，RDS只有2.3毫欧姆，而原配的管子RDS好象是大于10毫欧的某个型号（时间长记不清了）。这样的话，工作时的功耗只相当于原管的几分之一（功耗与电阻成正比），所以不用加散热片也是可以的。如果不是因为IRF2804的性能这么好，我也不会这么用了。
作者: p3    时间: 2006-7-21 00:35
厉害，这都能换。的
作者: 林青豪    时间: 2006-7-21 08:09
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽
作者: 自由战士    时间: 2006-7-21 18:07
原帖由 liao228 于 2006-7-20 10:28 发表
/ b9 s, [8 \& S$ n  S$ @
; }8 c5 ]* n( h, q　　如果条件允许，当然是加散热片更好些，不过要注意：左边那排和右边那排的散热片必须是绝缘的，比较难弄，所以就不加了。
/ h% D: t; Z6 T5 G　　不加散热片的另一个原因是MOS管的型号：IRF2804，这个管子几乎可算是目前同类M ...
+ k+ r2 u3 l8 K

+ n: q  d0 R) A3 d- P4 C4 q其实未必要全换:wub:
2 x5 a1 [1 E+ `1 z  XRDS小的管子,其结电容必然要大些  I8 y; _- P; d6 E; b
上面控制脉宽的管子,它的脉冲宽度要比续流管小的多,所以它的损耗主要是开关损耗,导通损耗相对少的多,而下面的续流管的工作状态和损耗正好和上面的开关管相反(续流管工作在零电压状态下,理论上其开关损耗为零,只有导通损耗),所以,你完全可以不用更换上面的管子,只换续流管就可以
作者: liao228    时间: 2006-7-21 23:20
原帖由 自由战士 于 2006-7-21 18:07 发表
6 j0 W! z6 l, h9 s( R
) s; t& N. ]6 S) U5 \, x# h5 F& o" W3 o1 }
其实未必要全换:wub:
! O, G6 M$ S: ~5 NRDS小的管子,其结电容必然要大些; H( e# Z8 F) V5 y& Q5 `7 [
上面控制脉宽的管子,它的脉冲宽度要比续流管小的多,所以它的损耗主要是开关损耗,导通损耗相对少的多,而下面的续流管的工作状态和损耗正好和上面的开关 ...

" d; T- K6 I* l+ v      这个理论是对的，不过还要看元器件的实际情况。- P. M6 c- H2 y; D) ]3 b
      根据查到的原MOS管(STB55NF03L)与新MOS管(IRF2804)的资料对比，可知：
+ V' M5 ^, n5 O& x, Z5 V" VSTB55NF03L   Rds = 10 mΩ(典型值)" [6 Z5 H' D0 l" \# i6 V! M2 d  M
                    Tr= 280ns
3 T3 p  Y: q8 E8 s                    Tf=60ns7 n9 ?6 b4 S) g/ W% V5 ~$ o

, N2 |+ X( }6 ^0 G% d; g9 gIRF2804   Rds= 1.8 mΩ(典型值)# p1 C" f2 N" e2 }
              Tr=120ns, z. [5 N1 }3 N6 g" F/ g
              Tf=130ns7 x4 e1 F2 E+ e6 A" @  l9 H

% g; k3 O/ ]9 |可见，虽然后者的结电容的确大于前者，但后者的的Tr和Tf之和居然还小于前者的，这可能就是厂家实力和工艺上的差别了吧。" r) I, J7 Q" t% k8 c' O* K$ s! ]
& d$ l% B) T9 k- V7 F
经过大致的计算(公式来自官方PDF文档)，更换新管后，上管功耗约为原管的三分之二(包括开关损耗)，下管功耗约为原管的五分之一弱.- i& Z; J# \0 \0 P. E+ ~
1 C% h9 y+ S2 ~  _
     不过上管换成IRF2804的确不是很适合，如果换英飞凌的管子可能更好些，可惜手上没有，下管么就物超所值了。
: q. K# e+ W% P& B) F4 D/ I( k6 d% T
[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-21 23:31 编辑 ]
作者: 自由战士    时间: 2006-7-22 17:47
可见，虽然后者的结电容的确大于前者，但后者的的Tr和Tf之和居然还小于前者的，这可能就是厂家实力和工艺上的差别了吧。     ...
# L0 _) W( [4 S& i" i
* `6 `" g; k6 ^
影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3055这块PWM控制芯片内)
& ^1 o5 m$ H5 h) T- l, `" P厂家给出的Tr,Tf值,是在栅极驱动内阻小到可以忽略的情况下测出的,实际应用中就不一样了,特别是栅极驱动集成在PWM芯片中的电路,从PWM到MOSFET栅极的布线的宽度,长度,都会深刻影响MOSFET的性能.如果PWM的输出内阻本来就不低,加上MOS管的Qg又大,那么不论其Tr,Tf如何优秀,都可能会大大增加上升和下降的时间:wub:
, R/ F+ T6 l2 e1 ~7 J' j3 L偶认为,BUCK同步变换器中,高侧MOS管的Qg比RDS等其他参数更重要,另外,栅极驱动内阻与Qg的配合也很重要,一定 程度上就是由它的充电时间决定高侧MOSFET的开关速度和损耗..:a)
作者: 自由战士    时间: 2006-7-22 17:55
原帖由 jickl 于 2006-7-22 11:27 发表  a' G; Y, x8 [; p' \; D% i' i. e
偶感觉应该象电源一样两面MOS管，中间散热片，用绝缘的3M贴贴上，嘿嘿

$ M' g0 q4 y' s7 T9 {7 K, a5 n- z3 R" n+ e  W0 F
偶认为应该找些铜片,直接焊在MOS管的基板上,既牢靠,效果又比用绝缘片的好:lol:
作者: 自由战士    时间: 2006-7-22 17:59
原帖由 橄榄菜 于 2006-7-19 01:43 发表2 f3 w( n" x9 _& b: u9 g
都什么年代了，还mod这个-_-:sweatingbullets:
, s' G' {/ l7 e* E, @  [/ k* V  {

: @2 B  f% n- t2 S1 @玩了这些,你就会明白什么3相8相供电,什么数码供电,都是一回事情:lol:
作者: liao228    时间: 2006-7-22 18:32
原帖由 自由战士 于 2006-7-22 17:47 发表
, b& x* p) R# a* D- `: I8 K8 |4 Q6 C0 `  P

8 g: K+ @4 ~$ n影响MOSFET开关速度除了其本身固有Tr,Tf外,还有一个重要的参数:Qg (栅极总静电荷容量).该参数与栅极驱动电路的输出内阻共同构成了一个时间参数,影响着MOSFET的性能(你主板的MOSFET的栅极驱动电路就集成在IRU3 ...
' V' k$ J$ C5 Q6 V
4 T- Y2 `3 L; y# X5 ^/ \
看来自由战士在这方面是高手，无比佩服.但是查阅IRU3055的文档，没有提供驱动内阻的值，仅有其它几个参数，不知是否也能计算出理论上的功耗？: E2 ?3 h1 H/ M% i* b" z5 b" P6 a; C
能不能就以IRU3055和IRF2804为例，来详细分析一下呢？我提供IRU3055和IRF2804的基本参数：
作者: bjbhappy    时间: 2006-7-22 20:00
偶真的是很佩服
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-22 22:00
这样装.非常不好.
- e, f1 U4 _! h  v" r1 \5 q* j
& t0 h- q9 x/ j& `8 H: P场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.
! X0 P$ ~# c7 G( K, c; H% M# r7 \. [) x8 u, R) E0 ]5 J, L- z
[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:09 编辑 ]
作者: liao228    时间: 2006-7-22 22:58
原帖由 ljm_ljm 于 2006-7-22 22:00 发表
1 ^. v  U( v  o* a% A  Q这样装.非常不好.. t2 V9 i/ r7 l( j
4 @5 N3 U& R, i9 n3 O, H
场管的背面本来是焊在PCB上的.通过PCB上大面积的铜来散热, 你这样很不好.你知道这些场管的参数.应该了解温度对场管的巨大影响..应该用帖片的2804S.

& _, {9 B# x; v) U
- S" ]& f% F9 Z! e3 ^- N7 }      不见得不好，至少我能找到两种以上的主板采用立式安装，并且不带散热片的，前提是管子的性能足够强悍。而且立式安装的好处也是有的，即CPU风扇出来的风能够吹到。9 p6 ]* e8 u! Y

# ]' F; y/ U' G. N0 L1 C% _      再补充一点，其实温度对MOS管参数的影响并不能算是“巨大”，MOS管的极限工作温度可高达175度，假设从20度升至60度的话，Rds最多只增加20%左右，一般的工作温度大致也就在这个范围内吧，我自制的甲类功放还工作在70-80度呢。并且，温度升高对除Rds以外的其它参数也产生影响，但并不是所有的影响都是坏的，有些甚至可能有好处呢。
! E! t9 _0 L' v6 L9 e2 F; _& L9 k: b
    本人理论知识不精，说错也难免，欢迎高手指正." X* x2 C+ K6 I+ d

& `$ X8 N4 B% D8 _) i2 D[ 本帖最后由 liao228 于 2006-7-22 23:52 编辑 ]
作者: liao228    时间: 2006-7-22 23:06
Inel915芯片组，LAG775
作者: isail    时间: 2006-7-22 23:25
强悍死了。佩服惨了。
作者: p3    时间: 2006-7-23 21:39
这个也能换？？真折腾啊
作者: 灰人    时间: 2006-7-23 21:45
我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
* S) T7 f; H6 P现在出了些莫名其妙的问题% J- n: [1 o7 Y6 J) ?: E
供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V2 _: w1 U! ~" Z
现在刻录机接上面都用不了，读盘都读不出来不知道硬盘什么时候挂……汗, c% q; _9 F  j  r: c
求教一下大概是那里的问题呀？
作者: liao228    时间: 2006-7-23 21:58
原帖由 灰人 于 2006-7-23 21:45 发表
% \. U$ Q2 y2 U我N奶机有块这爆浆板，自己换了CPU旁边一排电容。不是什么YY电容，单位找来的差不多的就焊上了~
. H" v, p, N$ Y* Q( B4 ]现在出了些莫名其妙的问题
' I1 A8 P$ P) @2 p供电电压极其不稳，3V就只有2.5XV 5V只有4.4XV 12V只有 11.6V
' O% V8 j+ L* e& t/ l现在刻录机接上面都用不 ...

- Q6 s' X5 W" _6 Y; n2 v
8 T# V# s( N7 P* @. ~& T: C要么是你换的那些电容不好，要么就是电源有问题。
作者: ljm_ljm    时间: 2006-7-27 14:17
我说帖片比插式的好不是想像的.从官方资料都可以看出- Q. U" Z! e5 B3 ~( t
同样的IR 2804 在标准情况下.SMD的RDS=1.5毫欧. 而TO220封装的是1.8毫欧.帖片的散热性和性能是要明显优于插式的.当然我是说能买到SMD当然是最好的.: ^) q  k, o5 I2 E
6 }/ A5 F7 O) R* h
另外.2804的上升下降时间也太长了.TF越长的话.管子也容易发热.. T, @3 k- v1 t" v- r) A
2804   TR=120毫欧.TR=130毫欧.
* ?7 k) S+ m" \2 X0 r% n3 t8 M' A7 _: M( z/ V
我随便找了一个NF4X主板上面的.IR 的3709Z 的参数.   TR=12 NS    Tf=3.9NS.
+ S# D5 V7 N- I0 H7 k
8 w; U% E9 k0 d2 c0 E  O[ 本帖最后由 ljm_ljm 于 2006-7-27 14:18 编辑 ]
作者: fengpc    时间: 2006-7-27 22:33
楼上说得没错，mos的导通损耗是比较小的，跟BJT的饱和导通一样，但是作为高频应用的开关电源就不同了，上升和下降时间长的话在高频率的开关转换中就会产生较大的损耗，这也是高频开关电源损耗最大的一部分
7 U: x$ k! @- H* O  H9 M! D6 fps:不是乱吹，有书为证的：）
作者: longzhit1    时间: 2006-10-21 17:30
这次修改不太YY了，毕竟已是旧机，YY为重。



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