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标题: 消弭外间对DDR3误解低延迟值、更高速更凉快 [打印本页]

作者: 流氓兔116 时间: 2006-10-23 22:40
标题: 消弭外间对DDR3误解低延迟值、更高速更凉快
据Intel最新桌面平台规划，Intel将会于2007年第二季起，推出支援DDR3记忆体模组、产品代号为Bearlake的晶片组产品，而然Intel亦不讳这DDR3记忆体模组要于2009年才有望成为市场主流。

Intel市场供应研究经理Charles Chang于台北IDF会上表示，现时Intel已接收到各大记忆体厂商的DDR3记忆体模组，并已稳定地运作于Intel测试平台上，预测业界将会于2007年初正式投产DDR3记忆体模组，并于年中推出市面。

据Charles Chang指出，DDR3记忆体模组拥有较DDR2优胜的频宽功耗比(Bandwitdh per watt)，对比现有DDR2-800产品，DDR3-800、1067及1333的功耗比分别为0.72X、0.83X及0.95X，不单记忆体频宽的大幅提升外，功耗表现亦较上代为佳。

但Chalres Chang不讳言在2009年前，DDR3并非主流用家的玩意，市场上仍是以DDR2为主流，Charles Chang引用iSuppli于2006年第三季作出的DDR3对比DDR2出量货与价格预估报告指出，2007年DDR3记忆体模组出货仅占DDR3与DDR2记忆体模组市场总和不足一成，而DDR3记忆体模组售价平均比DDR2高出约五成。2008年DDR3记忆体模组出货将会提升至二成五，而售价将会大幅贴近DDR2记忆体，但预计要直至2009年，市场才会出现交替动作。

不少消费者均被CAS延迟值数值所误导，认为DDR3记忆体在延迟值表现将不及DDR2，但据Samsung半导体记忆体产品规划事业群高级工程师Kim Gyou Joong指出，这是完全错误、无知的观念，事实上，JEDEC定下的DDR2-533的CL 4-4-4、DDR2-667的CL 5-5-5及DDR2-800的 CL6-6-6，其记忆体延迟均为15ns。

据Kim Gyou Joong指出，CAS Latency是指记忆体需要经过多少个周期，才能开始读写资料，但要计算整个记忆体模组的延迟值，还需要把记忆体颗粒运作时脉计算在内。

现时，DDR3-1066、DDR3-1333及DDR3-1600的CL值分别为7-7-7、8-8-8及9-9-9，把记忆体颗粒运作时脉计算在内，其记忆体模组的延迟值应为13.125、12.ns及11.25ns，相比DDR2记忆体模组改善约25%，因此消费者以CAS数值当成记忆体模组的延迟值是不正确的。

根据Samsung记忆体模组最新规划，Samsung将会于2007年第二季开始出货桌面系统用DDR3-800/1066产品，第三季推出DDR3-1333，但要在2008年下半年才会推出最高速的DDR3-1600产品。而行动平台则要在2008年第一季才会导入DDR3产品，速度为DDR3-800/1066，而2009年第一季则会提升至DDR3-1333。

图四为会场中展出Bearlake-P晶片组测试平台，并以DDR3样本运作并执行3DMark 06测试软件

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