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标题: 联电：完成45nm工艺试产 [打印本页]

作者: ccf 时间: 2006-11-21 20:39
标题: 联电：完成45nm工艺试产
联电宣布，其已经完成了45nm工艺的试产，其生产出了一片0.25平方微米的SRAM芯片，这中芯片使用了low-k电介质，改善了电子迁移问题。联电将在明年如期正式投产45nm工艺。与65nm工艺相比，45nm工艺可以将相同晶体管数量的芯片面积减少50%，但性能可以提升30％。

而之前的几个月TMSC已经完成了45nm工艺的试产，这样一来，台湾已经有两家公司掌握了45nm工艺的生产，此外包括英特尔、IBM、TI也都提出了对应的解决方案。相信明年又将是一个半导体工艺竞争的年份。

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