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标题: 联电45nm工艺取得重大突破 [打印本页]

作者: 流氓兔116 时间: 2006-11-21 23:14
标题: 联电45nm工艺取得重大突破
台湾联电(UMC)已经在45nm工艺进程之路上完成了关键的一步：生产出了一块不到0.25平方微米的SRAM芯片。

为了这块小小的实验性芯片，工程师们动用了各种最新工艺，比如沉浸平版印刷术、超浅结(USJ)、low-k电介质等，并改善了电子迁移问题。随着技术的进步，工程师们面临的难题也越来越多。

联电计划在明年投产45nm工艺产品。与65nm工艺相比，新工艺可以将六晶体管SRAM芯片的面积减小50％，性能则提升30％。

台积电(TMSC)曾在今年夏天宣布，已经使用沉浸平版印刷术制造出45nm实验性芯片，拥有10个金属层，门长度仅有26nm，并使用了应变硅技术、三栅氧化层和第二代low-k电介质薄膜。与竞争对手类似，UMC也使用了193nm的沉浸平版印刷扫描仪，以改进晶圆蚀刻。

迄今为止，已经有多家半导体业巨头披露了45nm工艺进程，如Intel、IBM、德州仪器、台机电等，特许半导体、三星、英飞凌也正在与IBM展开合作，不过他们的工艺用途各有不同，没有直接的可比性。

作者: deathwaltz 时间: 2006-11-22 12:30
为什么每次工艺都可以往前走？极限在哪里?

作者: 坏人t 时间: 2006-11-22 13:09
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作者: gzxiaohuo 时间: 2006-11-22 19:09
加油加油啊
等着摩尔定律失效呢:unsure:

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