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标题: AMD获得新Z-RAM技术缓存密度有望大增 [打印本页]

作者: sharptime 时间: 2006-12-5 16:16
标题: AMD获得新Z-RAM技术缓存密度有望大增
今年1月，AMD和Innovative Silicon Inc.(ISI)公司达成协议，获得了后者高密度缓存技术Z-RAM的授权(相关报道)，可使处理器的缓存容量提高5倍之多，同时不会增大处理器核心面积。看来AMD对这一技术非常满意，因为他们刚刚又签下了ISI的第二代Z-RAM技术。

Z-RAM全称Zero capacitor RAM，即“无电容RAM”，其最大特点就是不使用电容来保存数据，并采用先进的SOI工艺，可比处理器缓存常用的嵌入式SRAM得到大得多的密度，能显著提高处理器缓存容量。

据悉，第二代Z-RAM技术能使65nm处理器的缓存密度达到每平方毫米5Mb(625KB)，理论上可以在16平方毫米的面积内集成10MB缓存，而 Intel Core 2 Duo的4MB二级缓存占用了143平方毫米的面积，密度只有前者的4.5％。与此同时，新一代Z-RAM技术的速度和功耗也都取得了长足进步，最高频率 400MHz，每MHz只需0.00001W，也就是1微瓦。

在ISI的新闻稿中，AMD技术研发副总裁Craig Sander表示，Z-RAM具备优秀的密度、功耗、性能表现，而且符合我们的标准生产过程，因此成为我们未来微处理器的不二之选。

缓存容量一向是Intel的优势，不过AMD正在准备改变这一局面，比如2007年下半年的高端桌面四核心“Altair FX”就将具有6MB之多的二级缓存和三级缓存。新的Z-RAM技术无疑会助AMD一臂之力。

作者: lmqq 时间: 2006-12-6 13:22
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