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标题: 第二代Z-RAM技术可将CPU缓存提至100M [打印本页]

作者: sharptime 时间: 2006-12-8 20:13
标题: 第二代Z-RAM技术可将CPU缓存提至100M
近日，Innovative Silicon公司公布了其第二代Z-RAM技术。Innovative Silicon发布的声明中并没有透露太多信息，但是由于AMD就Z-RAM技术与Innovative Silicon合作之后，事情就变得非比寻常了。

Z-RAM（零电容DRAM）是一种比普通D-Ram，甚至是高端CPU用来开发缓存的S-RAM还要密集许多的内存芯片。这种新内存背后的技术将使相同管芯下实现更大缓存。四核心Kentsfield（2×4MB缓存）这类CPU中使用的大容量缓存芯片占据了芯片几乎所有的空间，因此，这一创新可能将实现行业一大技术突破。

当刚推出第一代Z-RAM时，Innovative Silicon称，它的技术可以将使用SOI（硅绝缘体）技术和130nm工艺的标准S-RAMS密度提到至原先的5倍。第二代Z-RAM仍然依赖于 SOI，但是厂商已经开始在90nm工艺下使用65nm和45nm生产线来生产Z-RAM。较之常规技术，当分配大容量内存空间时，第二代Z-RAM所耗电能明显低很多。

该公司同时还称，真实的Z-RAM可以“在内存位单元存储更多指令”，从而缩短CPU读写周期。据Innovative Silicon的消息，Z-RAM可以突破1GHz限制。该公司对外公布的信息显示，当使用65nm工艺时，内存每平方毫米可以存储5MB数据；当使用 45nm制造工艺时，内存每平方毫米存储容量将超过10MB。如果该技术能够应用到真实CPU的晶片尺寸，它将很容易就可以把L2缓存值提升到50- 100MB。

在早期的一份声明中，Innovative Silicon总裁兼首席执行官Mark-Eric Jones声称：“我们的第二代Z-RAM技术确实是一项技术突破。当前，我们还没有发现任何与之相仿的其他技术。Z-RAM已经成为世界上最密内存技术，通过Z-RAM第二代，CPU速度将提高两倍以上，内存读取功耗将降至原先的75%，而内存写入功耗将降至90%。”

作者: AIR_FORCE 时间: 2006-12-8 20:41
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作者: amu 时间: 2006-12-8 20:53
跟内存的使用容量还是有很大差距啊,怎能这样就代替哦,价格也不同一回事

作者: 华尔街商人 时间: 2006-12-8 21:02
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作者: 孤狼望月 时间: 2006-12-8 21:51
要真做成内存啊,成本啊~~~

作者: InuYasha 时间: 2006-12-8 21:54
这个是做CPU的L1和L2啊,谁说做内存了?

作者: lmqq 时间: 2006-12-8 21:56
100mL2
i饭又要开心了

作者: ly7707 时间: 2006-12-8 22:19

原帖由 lmqq 于 2006-12-8 21:56 发表
100mL2
i饭又要开心了

这是A记的SOI专用的:lol:

作者: lmqq 时间: 2006-12-9 11:22
:funk: 内存大多了啊

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