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标题: 多公司合作Tb级3D封装存储芯片 [打印本页]

作者: gatorade 时间: 2006-12-20 12:17
标题: 多公司合作Tb级3D封装存储芯片
NEC公司和Elpida尔必达以及Oki冲电气合作，宣布已经开发出一种创新的封装方式，可以将八颗存储芯片和一颗控制芯片垂直封装起来，各芯片中采用三维方式进行连接。

技术的关键在于堆栈中芯片的连接方式，每颗芯片的上下各有超过1000支阵脚，直接连接在芯片内部的多晶硅电极上，直接垂直穿透芯片。这个封装在此形式下垂直排列异常紧凑，每颗存储芯片的厚度仅50微米。

三家公司的开发者们正在一步步解决技术中的难题，为下一代移动设备创造出高容量高速以及低功耗的存储解决方案。看来垂直封装技术已经成为存储芯片容量提升的公认途径，上周我们刚刚报道过三星采用准备垂直封装技术制造NAND闪存的计划。

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