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标题: 三星出样50纳米工艺16GbNAND闪存芯片 [打印本页]

作者: GCSER 时间: 2007-1-4 23:00
标题: 三星出样50纳米工艺16GbNAND闪存芯片
三星电子今天宣布出样了世界首款50纳米工艺的16Gb NAND闪存芯片，产品采用了全新的MLC设计，采用4KB地址读取取代了之前的2KB读取，这样大大加强了读取速度，增长了越150％。
预期在2006年至2010年期间，NAND闪存市场销售收入的年复合增长率将达到14%，NAND闪存芯片需求年复合增长率将达到96%，但价格将下降42%。

数码相机和MP3播放器可能取代手机是推动NAND闪存需求增长的关键。到2010年，SSD 和 NAND缓存将开始影响市场。另外在硬盘存储方面，这种闪存也将发挥很重要的作用。
三星将在07年一季度大规模量产这种最新的闪存芯片。

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