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标题: 存储电路密度创纪录超越Intel十几年 [打印本页]

作者: fraction 时间: 2007-1-26 16:25
标题: 存储电路密度创纪录超越Intel十几年
来自加利福尼亚的科学家们制造出了密度最高的计算机存储电路，相当于在一个白血球大小的单元内保存大约2000个单词。
加利福尼亚理工学院(Caltech)和加利福尼亚大学洛杉矶分校(UCLA)研制的这种存储单元的大小只有10微米左右，相当于一个人类白血球，但却能存储160Kb信息，换算成存储密度就是每平方厘米100Gb。
Caltech在一份声明中称，该单元可以存储一份美国《独立宣言》大小的文件，而且还有剩余空间。
领导这一研究项目的Caltech化学教授James Health声称，按照摩尔定律，Intel要到2020年才能造出他们这种设备，而他们已经坚定了在分子尺寸范围内制造实用性的电子电路，只是要投入实用还很遥远，即使到了2013年，也不一定能找到合适的路子。
Heath说：“能不能把这种新的存储电路用在笔记本上，我不知道，但我们有的是时间。”
Caltech和UCLA的研究论文将发表在下一期《自然》科学杂志上。

作者: jiangnux 时间: 2007-1-26 17:19
caltech！最仰慕的大学！
能去那里读书将是我一生的理想:mad:

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